专利名称：半导体晶片双面抛光的方法
半导体晶片双面抛光的方法本发明涉及半导体晶片双面抛光的方法。尤其是，本发明涉及针对下一代技术的半导体晶片的双面抛光，该晶片主要是直径为450mm的晶片。目前，直径为300mm、主要为抛光或外延生长涂敷的硅晶片被用于电子工业中较为苛刻的应用中。基底直径为450mm的硅晶片尚处在开发中。然而，基底直径的扩大伴随有重大的、在某些情况下也是全新的迄今不为人知的技术问题。许多处理步骤要求彻底修改，无论其是纯机械的(切割、打磨、机械抛光)，化学(蚀刻、清洁)或化学机械性质的(抛光)，还是热处理(外延涂敷、退火)性质的，并且还部分涉及因此所用的机器和工作材料。半导体晶片从半导体材料构成的单晶(晶锭)切片之后，在多个处理步骤中进行进一步加工。根据现有技术，在研磨、清洁和蚀刻步骤后，半导体晶片的表面要通过一个或多个抛光步骤进行平滑处理。在半导体晶片制造中，得到边缘足够好的几何结构和表面平整度(纳米形貌)特别关键。纳米形貌通常表示为相对于面积为2mmX2mm的正方形测量窗口的高度波动PV (= “峰谷”)。半导体晶片的最终纳米形貌通常通过抛光处理产生。在单面抛光(SSP)的情况下，在加工过程中将半导体晶片通过胶结、真空或通过粘合将其背面保持在支撑板上，并在另一面上进行抛光。在双面抛光(DSP)的情况下，将半导体晶片松散地插入薄的载板(carrierplate)中，并在各自由抛光垫(pad)覆盖的上抛光盘和下抛光盘之间以“自由漂浮”方式在正面和背面上同时进行抛光。通过提供通常基于二氧化硅溶胶的抛光剂浆液来实施该抛光方法。现有技术同样公开了使用固定粘结的研磨剂(“固定研磨剂抛光”，FAP)，其中半导体晶片在抛光垫上抛光，所述抛光垫与其它抛光垫不同之处在于其含有粘结在抛光垫中的研磨材料(“固定研磨剂”或FA垫)。德国专利申请DE 102007035266A1描述了使用FA垫、用于抛光娃材料组成的基底的方法。在DSP或FAP之后，半导体晶片的正面通常以无雾(haze-free)的方式进行抛光。通常使用软抛光垫，借助碱性抛光溶胶进行。在文献中，该步骤经常称为化学机械抛光(CMP)。例如，在 US 2002-0077039 和 US 2008-0305722 中公开了该 CMP 方法。与单面抛光(SSP)相比，半导体晶片的同步双面抛光(DSP)不但更经济，而且还可得到就半导体晶片表面而言更高的平整度。双面抛光例如在US 3，691，694中说明。合适的双面抛光机在DE 10007 390A1中公开。根据EP 0208315B1所描述的一个双面抛光的实施方案，由金属或塑料构成的载板中的半导体晶片以机器和方法参数预先决定的路径、在抛光剂(抛光液)存在下在抛光垫覆盖的两个旋转抛光盘之间移动，由此进行抛光(在文献中，所述载板被称为“模板”)，其中所述载板具有尺寸合适的切口(cutout)。通常使用硬度为60-90(邵氏A)的均匀多孔的聚合物泡沫所形成的抛光垫进行双面抛光步骤，例如，如DE 100 04578C1中所述，其还公开了粘附至上抛光盘的抛光垫布满了沟槽(channel)网络，而粘合至下抛光盘的抛光垫具有的是无这类纹理的光滑表面。该措施首先可用来保证抛光过程中使用的抛光剂的均匀分布，其次可防止抛光完成后上抛光盘升起时半导体 晶片粘附在上抛光垫上。上抛光垫包括规整的方格布置的沟槽，其段尺寸为5mmXmm-50mmX 50mm,沟槽宽度和深度为O. 5-2_。该布置用于在抛光压力优选O. 1-0. 3巴下进行抛光。硅的清除速度优选 O. 1-1. 5 μ m/min,特别优选 O. 4-0. 9 μ m/min。然而，根据DE 10004578 Cl的方法会在相对两面(背面和正面)的半导体晶片的外缘产生不对称的抛光去除。在根据现有技术的双面抛光的情况下局部有抛光去除差异的进一步的原因是，抛光过程中从半导体晶片表面除去的材料(半导体材料，例如硅或二氧化硅)部分不同程度地覆盖(沉积)在抛光垫表面上。尤其是在抛光过程中在统计上规定的时间内最经常与半导体晶片表面接触的抛光垫表面区域覆盖有研磨掉的材料。研磨掉的材料经常会在抛光垫表面上形成环形区域。由于抛光剂在抛光垫和载板之间的工作间隙中分布不均勻,会进一步助长在抛光垫表面上形成研磨掉的材料所覆盖的区域。就其纹理并就表面附近的组成而言，研磨掉的材料所覆盖的抛光垫区域构成了垫发生改变的区域。因此与受研磨掉的材料覆盖影响程度较少或完全没有受影响的区域比较，就抛光结果而言，这些区域有不同的特性。随着抛光垫覆盖增加，变得越来越难以控制抛光机，使其能生产具有良好几何结构值(GBIR、晶片形状、边缘下降(roll-off))的平坦晶片。进而，有必要计算所述晶片的微粗糙度(雾度值)的增加。类似地，抛光晶片表面上的抛光擦痕风险以及增加的LLS值也会以类似的方式增加。抛光垫的定期调整变得有必要，这样会降低抛光垫的使用寿命(磨损)，还会不利地损害晶片的几何结构和形状-考虑到对抛光垫的机械作用及抛光垫中的相关变化(厚度、垫结构、…)。除了其它，不均匀抛光去除的进一步原因是抛光垫上实现的不均匀的抛光剂分布，其结果是，待抛光的表面被抛光剂不均匀润湿，或者抛光剂不均匀涂敷到所述表面。根据现有技术，抛光剂的分布受重力和离心力的影响。抛光剂从上方进入到抛光垫和载板之间的工作间隙中，并且还因为重力和其它等原因通过载板中半导体晶片的切口流至下抛光垫。在此情况下，载板和抛光垫覆盖的抛光盘的旋转运动促成了抛光剂的分布。载板妨碍抛光剂的均匀分布，特别是对位于载板下面的抛光垫区域。为了改善抛光剂的分布，US 2006-178089A公开了具有多个圆形开口的载板，抛光剂通过所述开口到达下抛光垫。EP 1676672A1的教导内容包括改善向下抛光盘提供抛光剂，使至少15%的载板区域被向抛光剂提供到下抛光盘的通道的孔所占据。然而，圆形载板中的这些额外的“抛光剂切口 ”减少了其惯性面积矩，其结果是也减少了抗扭转(torsion)性。这是不利的，因为由此增加了载板翘曲的危险。载板翘曲会导致垫损坏、垫使用寿命下降、产生颗粒、抛光擦痕、甚至晶片破裂、损坏安装。考虑到进一步增加的未来一代半导体晶片的表面积，例如直径为450mm的晶片，在根据现有技术的抛光过程中只能有限程度地实现均匀的抛光剂分布(抛光剂涂敷)。本发明的目的源自该问题领域。本发明的目的是保证在半导体晶片的同步双面抛光过程中将抛光剂均匀涂敷到抛光垫表面，而不损害载板的稳定性。通过对由半导体材料构成的至少一个晶片的同步双面抛光方法可以实现本发明的目的，所述晶片位于载板中尺寸合适的切口中，并且具有正面和背面，所述双面抛光在提供抛光剂下在第一抛光垫覆盖的上抛光盘和第二抛光垫覆盖的下抛光盘之间进行，其中第一(上)抛光垫表面和第二(下)抛光垫表面在各自情形下都被至少一个从中心到边缘螺旋伸展的沟槽形状的凹陷所中断。通过
图1-2，对本发明的方法和优选实施方案进行详细的描述和说明。图1所示为本发明方法中使用的螺旋线形状(a)对数螺线、(b)阿基米德螺线、(C)费尔马螺线、(d)三螺线。图2所示为根据本发明修改的载板(I)的优选实施方案，其中具有被三个网(web)
(4)中断的分段(segmented)的抛光剂通道(2)，和由半导体材料构成的晶片(5)的适当尺寸的切口(3)，其中半导体材料构成的晶片(5)的切口(3)被分段的抛光剂通道(2)以距离A包围。在该优选实施方案中，网(4)布置成使三个网(4)彼此之间成120°的角度。本发明方法不仅包括局限于特定技术部件的局部特征(aspect)或单独的方法-技术特征(例如，单独的方法参数)，还包括了相关的方法特征。这些方法特征分为I)具有特定表面结构的抛光垫，2)容纳晶片用载板的重构筑，以及3)在两面上进行的抛光剂供应。在用于同步双面抛光(DSP)由半导体材料构成的晶片的本发明方法中，使用根据现有技术的二氧化硅溶胶作为抛光剂，所述二氧化硅溶胶为包括大小为20-50nm的胶态分布颗粒的浆液。DSP过程中的抛光剂分布受抛光垫表面(工作面)特性和其它因素等的影响，抛光垫表面在抛光过程中与半导体晶片的正面和/或背面以材料去除的方式接触。DSP过程中对抛光剂的吸收及其结构(沟槽、凹陷、凹槽)都会影响抛光剂的分布，例如，如DE10004578C1 中所述。根据现有技术，硬度(邵氏A)为60-90的均匀的多孔聚合物泡沫所形成的圆形抛光垫可用于根据本发明的方法中。在用于同步双面抛光由半导体材料构成的晶片的本发明方法的第一实施方案中，上抛光盘和下抛光盘被圆形抛光垫覆盖，其中工作面提供有至少一个螺旋伸展的沟槽(凹陷、凹槽)。螺线沟槽是围绕一个起点圆形伸展的凹陷，取决于伸展(方向)，其离开所述点或者接近所述点。两个螺线沟槽之间的距离(圈之间的距离W)可以是恒定的(阿基米德螺线(图1b))，或者-从起点来观察-可以是连续变大(对数螺线(图la))。一种特殊形式的螺线是三螺线，所述螺线由围绕中点圆形布置的三个阿基米德螺线构成，在有限的圈数后，所述螺线的线形成封闭三个螺线的圆形(图1d)。在用于同步双面抛光由半导体材料构成的晶片的本发明方法中，优选使用在工作面上具有至少一个从内部(抛光垫的中央或中心)朝向外部(抛光垫的边缘)螺旋伸展的沟槽的抛光垫，其特征在于至少一个螺线沟槽的圈之间的距离W从内部朝向外部连续变大(对数螺线，图la)。在用于同步双面抛光由半导体材料构成的晶片的同步双面抛光的本发明方法中，类似地优选使用在工作面上具有从内部朝向外部螺旋伸展的沟槽的抛光垫，其特征在于沟槽的圈之间的距离W从内部朝向外部连续变小(费尔马螺线，图lc)。特别优选地是，在用于同步双面抛光由半导体材料构成的晶片的本发明方法中，使用在工作面上具有从内部朝向外部螺旋伸展的沟槽的抛光垫，其特征在于沟槽的圈之间的距离W是恒定的(阿基米德螺线，图1b)。应选择抛光垫表面上两个螺线沟槽之间的圈之间的距离W，使螺线至少有3圈-与圆形抛光垫的直径无关。优选地，从抛光垫中心(起点)向抛光垫边缘区域螺旋伸展的螺旋布置的沟槽位于抛光垫的表面中。在此情况下，所述螺线凹陷的终点可以一直达到抛光垫的边缘。在类似优选的根据本发明方法的实施方案中，从抛光垫中心(起点)向其边缘伸展的两个或多个螺旋布置的沟槽位于抛光垫表面中。在本实施方案中，特别优选选择在围绕半径为R的圆形抛光垫的中点的内部圆形区域中，其工作面具有三个从抛光垫中心朝向边缘螺旋伸展的沟槽的抛光垫，其中，在抛光垫表面的环状外区(边缘区域)中，其厚度为D，三个螺线沟槽并成一个圆形轨迹(course)(三螺线，图1d)。抛光垫表面的内部圆形区域的半径R优选大于或等于圆形抛光垫半径的三分之二。在此情况下，外环形区域的厚度D优选小于或等于圆形抛光垫半径的三分之一，其结果为环形边缘区域的外半径减去环形边缘区域的内半径之差。螺线沟槽的优选深度为O. 5-1. 5mm，优选宽度为l_5mm。特别优选地，所述螺线沟槽的深度为O. 7-1. Omm,宽度为1. 5_3mm。类似地优选选择螺线沟槽的宽度从内部朝向外部扩大，所述扩大沿沟槽长度从起点均勻地(uniformly)延续到终点,其中螺线沟槽开始时的宽度优选2mm(在圆形抛光垫的中心)，优选螺线沟槽结束时所述宽度为4mm(在圆形抛光垫的边缘区域或边缘)。由于与抛光垫中心的螺线沟槽宽度相比，抛光垫工作面上的螺线沟槽的宽度更大，抛光剂的分布可进一步优化。根据本发明，工作间隙中的抛光剂分布还受深度从内部朝向外部扩大的影响，所述扩大在整个螺线沟槽长度上从起点到其终点均匀延伸，其中优选螺线沟槽开始时(在圆形抛光垫的中心)的深度为O. 5_，优选螺线沟槽结束时(在圆形抛光垫的边缘区域或边缘)的深度为1mm。螺线沟槽的内部形状优选具有半圆形状(U-剖面特征)。类似地优选长方形内部形状的螺线沟槽。由螺线沟槽形成的抛光垫表面和凹陷之间所出现的边缘优选是圆整(rounded)的。
优选地，螺旋布置在抛光垫表面中的沟槽以同样意义取向。在抛光垫表面中使用同样意义上取向的螺线沟槽是可能的-因此使用基本相同的抛光垫也是可能的，因为抛光盘以其端侧面(end side)相互面对-因此主动的(active)抛光垫表面也同样，而上抛光盘和下抛光盘则反向旋转(直径方向相反)。由于分别由根据本发明的抛光垫覆盖的工作盘旋转时所产生的离心力，抛光剂在螺线沟槽中从内部朝向外部输送，并且均匀分布在两个抛光垫表面之间的距离所形成的工作间隙中。为了在DSP过程中进一步优化抛光剂分布，根据本发明方法，除了使用布置有根据本发明的螺线沟槽的抛光垫工作面，对用于容纳并引导半导体晶片的载板也可以进行构建。DSP过程中使用的载板包括，根据现有技术，具有一个或多个适当尺寸的切口(3)的圆盘，每个切口可插入由半导体材料构成的晶片(5)。此外，载板可以有“抛光剂切口”，引入到工作间隙中的抛光剂经过所述切口从上方通往下抛光盘。与本发明方法的各自实施方案无关，在根据本发明的方法中，由半导体材料构成的每个晶片优选放置在载板中适当尺寸的圆形切口中，这样能使半导体材料构成的晶片的正面在上抛光垫抛光。在用于同时双面抛光由半导体材料构成的晶片的本发明方法第二实施方案中，使用改进的载板代替根据现有技术的载板。根据本发明的改进的载板(I)具有至少一个用于容纳由半导体材料构成的晶片
(5)的适当尺寸的切口(3)，其特征在于至少一个适当尺寸的切口(3)以距离A被至少一个其它的切口(2)所围绕，该切口(2)起抛光剂通道的作用。优选地，根据本发明的改进的载板(I)具有至少一个用于容纳由半导体材料构成的晶片(5)的适当尺寸的圆形切口(3)，其特征在于至少一个适当尺寸的圆形切口(3)被三个分段的切口(2)以环状方式离圆形切口(3)距离A地包围，所述切口(2)(对于所述区域)有相同的大小并且被网(4)隔开，且在各自情况下相互之间的距离最多110° (图2)。分段切口(2)的优选厚度为1-lOmm，该厚度为外边缘减去内边缘之差的结果。特别优选地，分段切口(2)的厚度为3-7_。圆形切口(3)的外边缘和分段切口(2)的内边缘之间的优选的距离A是恒定的，并且为5-10mm。根据本发明的改进的载板(I)中的分段“抛光剂切口”(2)不影响载板的稳定性。在根据本发明的改进的载板(I)中，各自的半导体晶片(5)可以插入到载板(I)中适当尺寸的切口(3)中，并且其定位使半导体晶片(5)在抛光过程中在载板(I)中的切P (3)内可能会发生固有旋转(inherent rotation)。在根据本发明改进的载板(I)的进一步优选的实施方案中，可在抛光过程中固定半导体晶片(5)，防止载板(I)中适当尺寸切口(3)中的至少一个半导体晶片(5)的固有旋转。例如，通过一个或多个所谓的“缺口指针(notch finger)”，可以实现载板⑴中适当尺寸切口(3)中的半导体晶片(5)的固定。“缺口指针”是例如载板中适当尺寸切口(3)中的突出物，该突出物凸出到半导体晶片(5)边缘的缺口中，从而在载板(I)的切口(3)中固定半导体晶片(5)。
在用于同步双面抛光由半导体材料构成的晶片的本发明方法的第三实施方案中，同时在半导体晶片的正面和背面上进行抛光剂供应，两者都通过上抛光盘和下抛光盘进行。为此目的，抛光剂的供应优选通过集成在两个抛光盘的抛光剂出口中的开口以加压方式实现，以使出口与抛光盘(flush)终止。特别优选地，抛光剂供应优选通过集成在两个抛光盘的抛光剂出口中的喷嘴以加压方式进行，以使喷嘴出口与抛光盘齐平地终止，或者在抛光盘中的开口内终止。抛光处理之前作用于上和下抛光盘的两个圆形抛光垫类似地除螺线凹陷外也有开口，其中抛光盘上的开口的数量和分布对应于抛光垫中的开口的数量和分布，并且所述抛光垫作用于抛光盘的方式能使抛光剂可以从上方和从下方流过开口并进入工作间隙中。优选地，用于施用抛光剂的抛光剂出口在抛光盘和抛光垫中圆形布置。特别优选地，抛光剂出口布置在内部圆形区域和外部环形区域中，其中抛光盘或抛光垫的内部圆形 区域的半径R优选大于或等于圆形抛光盘或抛光垫半径的三分之二。为了进一步优化抛光剂的分布，在抛光垫的内部圆形区域中单位时间内从喷嘴涌出进入工作间隙的抛光剂的量可优选高于在同一时间内从位于外部环形区域中的喷嘴涌出的抛光剂的量。结果是，工作间隙中因过高的抛光剂量而产生的“水滑(aquaplaning)”效应会按目标方式抵消。单位时间内抛光剂的不同量，例如，可通过不同的喷嘴截面、喷嘴种类或者通过由泵单独驱动的喷嘴来设定。用于抛光剂供应的喷嘴或者抛光盘或抛光垫中的开口优选垂直于抛光盘或抛光垫的表面。特别优选地，用于抛光剂供应的喷嘴或者抛光盘或抛光垫中的开口相对于抛光垫表面其角度为45°至小于或等于90°，其中开口存在于上抛光盘和下抛光盘中，也存在于上抛光垫和下抛光垫中。为了防止二氧化硅溶胶颗粒在喷嘴中或抛光剂供应管线中结晶出来(胶凝化)，抛光过程结束之后用水淋洗喷嘴。也为了针对均化抛光去除而进一步优化抛光结果-当然，平面平行的晶片初始几何结构在此是一个前提-所提供抛光剂的温度理想地对应于抛光垫的表面温度。可根据现有技术，通过对抛光盘和抛光剂的相应温度进行调节来实现此目的。优选地，抛光剂的温度和抛光盘的温度处于20-30°C，尤其优选23°C -27°C。用于同步双面抛光由半导体材料构成的晶片的本发明方法还可以与抛光剂循环装置相组合。为此目的，通过侧向出口从工作间隙涌出的所用的抛光剂经过预过滤并且收集在容器中，并可以控制方式补充水、新鲜抛光剂和Κ0Η，并通过过滤器泵送回抛光剂的供应容器中。在此情况下，温度调节可确保维持抛光剂的优选温度。本发明方法的单独方面相互作用，最终可使抛光剂直接在抛光垫上的部位上能够更均匀分布，结果是，使DSP过程中每个半导体晶片上的材料去除变得更均匀。
权利要求
1.至少一个由半导体材料构成的晶片(5)的同步双面抛光方法，所述晶片位于载板(I)中尺寸合适的切口(3)中，并且有正面和背面，所述双面抛光在提供抛光剂下在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘和覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间进行，其中第一(上)抛光垫表面和第二(下)抛光垫表面在各自情形下被至少一个从中心到边缘螺旋伸展的沟槽形状的凹陷所中断。
2.权利要求1的方法，其中在抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状的凹陷至少具有三圈。
3.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的圈之间的距离W从内部朝向外部是恒定的。
4.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的圈之间的距离W从内部朝向外部连续变大。
5.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的圈之间的距离W从内部朝向外部连续变小。
6.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面具有三个围绕抛光垫表面中的抛光垫中点圆形布置的螺线沟槽形状的凹陷，其圈之间的距离W从内部朝向外部连续变大，并且三个螺线沟槽形状凹陷的每一个合并成在抛光垫边缘区域中封闭所述三个螺旋的圆形，而三个圆形沟槽之间没有连接，并且，外边缘区域由抛光垫表面的外三分之一中的环形区域形成。
7.权利要求1-6之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的宽度从内部朝向外部连续变大。
8.权利要求1-7之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的深度从内部朝向外部连续变大。
9.权利要求1-8之一的方法，其中载板(I)中至少一个适当尺寸的圆形切口(3)被三个分段切口(2)以环形状的方式离圆形切口(3)距离A所包围，所述分段切口(2)(对于所述区域)具有相同的大小，并且彼此被网(4)隔开，且在每种情况下相互之间的距离最多110。。
10.权利要求1-9之一的方法，其中载板(I)中适当尺寸的切口(3)内的半导体晶片(5)的固有旋转是可能的。
11.权利要求1-9之一的方法，其中通过将半导体晶片固定在切口(3)中，防止载板(I)中适当尺寸的切口(3)内半导体晶片(5)的固有旋转。
12.权利要求1-11之一的方法，其中抛光剂的供应通过存在于上抛光盘和下抛光盘两者中的开口、以及上抛光垫和下抛光垫两者中的开口以加压方式在半导体晶片(5)的正面和背面上进行，其中用于抛光剂供应的喷嘴可以集成在抛光盘中的开口中。
13.权利要求12的方法，其中集成在抛光盘中用于抛光剂供应的喷嘴开口、或者集成在抛光盘和/或抛光垫中的开口的取向相对于抛光垫表面的角度为45°至小于或等于90。。
14.权利要求13的方法，其中在抛光垫的内部圆形区域中单位时间内从开口涌出进入工作间隙的抛光剂的量高于在同一时间内从位于外部环形区域中的开口涌出的量。
15.权利要求1-14之一的方法，其中由半导体材料构成的至少一个晶片(5)的正面在上抛光垫 进行抛光。
全文摘要
本发明涉及半导体晶片双面抛光的方法，其中在每种情况下抛光垫表面均被从中心向边缘螺旋伸展的至少一个沟槽形状的凹陷所中断。通过在两个面上提供抛光剂、局部单独可调节的抛光剂的量及改进的载板，可以实现优化的抛光剂分布，特别是在半导体晶片直径为450mm的情况下。
文档编号B24B37/08GK102990505SQ20121034201
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月14日 优先权日2011年9月15日
发明者J·施万德纳 申请人:硅电子股份公司