专利名称：用来抛光半导体层的组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及用来改良半导体器件中含二氧化硅的层的去除速率的抛光组合物。本发明还涉及用来从下垫层(underlying layer)上除去含二氧化硅的层的化学机械平面化(CMP)法，所述下垫层是例如碳化硅(SiC)、碳氮化硅(SiCN)和氮化硅(Si3N4)。
背景技术：
芯片制造商采用多个化学机械平面化(CMP)步骤对晶片进行平面化，以便制造平坦的基片表面。这些平坦表面有助于制造多级集成电路，这些电路不会由于对不均匀的基片施用电介质而发生有害的畸变。
CMP处理通常以两步的过程进行，以改进抛光性能。首先，抛光过程使用“第一步”浆液，这种浆液特别设计用来快速地除去铜之类的互连金属。在最初的铜去除步骤之后，用“第二步”浆液除去阻挡层。通常第二步浆液具有选择性，能够除去阻挡层，而不会通过在互连金属中“形成凹陷”而对互连结构的物理结构或电性质造成负面影响。对阻挡层的去除速率与对金属互连或介电层的去除速率之比被称为选择性比。出于本说明书的目的，去除速率表示每单位时间厚度的变化，例如埃/分钟。
去除阻挡层之后，浆液通常会除去下垫层，例如含二氧化硅的材料。出于本发明的目的，含二氧化硅的材料包括原硅酸四乙酯(TEOS)之类的源自硅烷的材料，以及其它用来制造半导体的含二氧化硅的涂料。不幸的是，以高去除速率去除含二氧化硅材料的浆液也容易去除下面的掩模、覆盖材料，例如碳氮化硅(SiCN)、氮化硅(SiN)和碳化硅(SiC)。对这些下垫层不受控制的去除会对集成电路的最终性能造成不利影响。
人们已经提出了出于各种目的添加角叉菜聚糖的CMP抛光组合物。例如Thomas等人在美国公开第2005/0104048号中揭示了通过加入角叉菜胶来减少铜的凹陷。所提出的这些应用是关于铜的去除，不是关于TEOS层的去除。
在一些低k电介质和超低k集成流程中，在电介质顶上沉积覆盖材料，以保护电介质免受机械破坏。然后通过用具有图案的蚀刻法除去位于覆盖层上的TEOS之类的掩蔽层，限定出集成电路中电介质或互连金属的区域。蚀刻之后，阻挡层覆盖着基片，然后铜之类的金属层填充了通道或通路。为了进行有效的CMP，这些半导体集成流程通常需要选择性地去除掩蔽层(例如TEOS掩蔽层)，同时使得金属互连的凹陷程度很小，去除最少的底部覆盖层(例如SiCN或SiC)。
由于TEOS之类的含二氧化硅的层的介电常数高于低k材料和超低k材料，因此这些TEOS层宜保持尽可能薄，以保持晶片具有低的有效介电常数。由于较厚的TEOS层可以改进CMP集成化的过程控制，但是所选的最终厚度表示这两个相互竞争的因素之间的折衷。由这种折衷得到的“厚”TEOS层需要抛光组合物能够有效地除去掩模，而对互连金属的去除速率则受到控制。
总之，这些半导体集成流程要求以高效的去除速率除去含二氧化硅的层，并且材料去除停止于下面的覆盖层或停止于电介质。基于这些考虑，需要提供能够控制含二氧化硅的层的去除的抛光组合物。另外，一直以来人们都需要能够在减小缺陷率的前提下除去TEOS掩蔽层之类的含二氧化硅的层。
另外，由于半导体制造商依赖于不同的集成流程以及低k/超低k材料，半导体消费者对CMP浆液具有不同的需求。这些不同的集成流程使得配制通用性抛光溶液非常困难。因此调节对含二氧化硅的层、覆盖层以及铜之类的金属互连的去除速率，对满足多种集成流程也是有效的。
发明内容
本发明一方面包括一种可用来抛光半导体基片的水性抛光组合物，该组合物包含0.05-50重量％的磨料；0.001-2重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖的浓度可以加快TEOS去除速率。
本发明另一方面包括一种可用来抛光半导体基片的水性抛光组合物，该组合物包含0.1-50重量％的磨料；以及0.01-1.5重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖的浓度可以加快TEOS的去除速率，而且可以用来减小对选自SiC、SiCN和Si3N4中至少一种的涂层的去除速率。
本发明另一方面包括一种可用来抛光半导体基片的水性抛光组合物，该组合物包含0.1-50重量％的二氧化硅磨料；以及0.05-1重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖的浓度可以加快TEOS去除速率，可以减小对选自SiC、SiCN和Si3N4中至少一种的涂层的去除速率。
本发明另一方面包括一种用来抛光半导体基片的方法，该方法包括用一种水性抛光组合物进行抛光的步骤，该组合物包含0.05-50重量％的磨料；以及0.01-2重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖用于去除TEOS，以及保持选自SiC、SiCN和Si3N4中至少一种的硬掩蔽层。
具体实施例方式
已经发现在包含磨料的浆液中加入λ-角叉菜聚糖可以加快对含二氧化硅的材料的去除速率。角叉菜聚糖表示由红藻提取出的天然生成的硫酸化多糖的络合混合物。具体来说，角叉菜聚糖是由重复的半乳糖单元和3，6-脱水半乳糖(3，6-AG)构成的高分子量多糖，所述重复的半乳糖单元和3，6-脱水半乳糖(3，6-AG)都可以是硫酸化的或未硫酸化的。有三种市售的角叉菜聚糖κ型、ι型和λ型。这些单元通过交替的α1-3和β1-4配糖键连接。影响κ型、ι型和λ型角叉菜聚糖的性质的主要差异在于重复单元上酯硫酸酯基团的数量和位置。每个λ-角叉菜聚糖单元平均包含约1.5个硫酸酯基；每个ι-角叉菜聚糖单元平均包含约1个硫酸酯基，每个κ-角叉菜聚糖单元平均包含约0.5个硫酸酯基。一般来讲，包含更多硫酸化基团的λ-角叉菜聚糖胶凝的可能性较小。λ-角叉菜聚糖通常每个单元包含一个以上的硫酸酯基。包含更多脱水键的κ-角叉菜聚糖由于其更加“纠结”的结构而更容易胶凝。所述λ-角叉菜聚糖在商业应用中用来增大粘度。κ-角叉菜聚糖形成脆而稳固的凝胶，这种凝胶是“无法固化的”，ι-角叉菜聚糖形成“弹性”凝胶，这种凝胶在破碎之后是“可逆的”。另外，包含更多硫酸酯基的角叉菜聚糖更易溶于水，或者说具有高水溶性。加入更易溶的λ-角叉菜聚糖可以加快含二氧化硅的层的去除速率。
λ-角叉菜聚糖的含量为0.001-2重量％。出于本说明书的目的，除非另外说明，所有的浓度均以抛光组合物总重量为基准计的重量百分含量来表示。较佳的是，所述λ-角叉菜聚糖的含量为0.01-1.5重量％，最优选为0.05-1重量％。
所述抛光组合物包含0.05-50重量％的磨料，以促进二氧化硅的去除，或者促进同时去除阻挡层和二氧化硅(取决于集成流程)，所述抛光组合物可用来除去掩蔽层，或者首先除去阻挡层，然后去除含二氧化硅的层。所述磨料优选为胶体磨料。示例性的磨料包括无机氧化物、金属硼化物、金属碳化物、金属氮化物、聚合物颗粒和包含至少一种上述材料的混合物。合适的无机氧化物包括例如二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化铈(CeO2)、氧化锰(MnO2)或包含至少一种上述氧化物的组合。如果需要的话，可使用这些无机氧化物的改良形式，例如涂敷了聚合物的无机氧化物颗粒，以及涂敷了无机物的颗粒。合适的金属碳化物、硼化物和氮化物包括例如碳化硅、氮化硅、碳氮化硅(SiCN)、碳化硼、碳化钨、碳化锆、硼化铝、碳化钽、碳化钛、或包含上述金属碳化物、硼化物和氮化物中至少一种的组合。如果需要的化，也可使用金刚石作为磨料。其它磨料还包括聚合物颗粒和涂敷的聚合物颗粒。优选的磨料是二氧化硅。
希望磨料的用量为0.1-50重量％。在此范围内，需要磨料的含量大于或等于0.2重量％，优选大于或等于0.5重量％。还需要在此范围内，磨料的含量小于或等于15重量％，优选小于或等于10重量％。
磨料的平均粒度小于或等于150纳米(nm)，从而避免使金属过度凹陷并对电介质造成侵蚀。出于本说明书的目的，粒度表示磨料的平均颗粒尺寸。宜使用平均粒度小于或等于100纳米，优选小于或等于50纳米，更优选小于或等于40纳米的胶体磨料。胶体二氧化硅的平均粒度小于或等于40纳米时，对电介质的侵蚀最小，并且金属发生的凹陷最小。胶体磨料的粒度降低到小于或等于40纳米时，会增加抛光组合物的选择性；但是同时会降低阻挡层的去除速率。另外，优选的胶体磨料可以包含添加剂，例如分散剂，表面活性剂和缓冲剂，从而提高胶体磨料在酸性pH范围中的稳定性。一种这样的胶体磨料是来自AZElectronic Materials的胶体二氧化硅。
如果抛光组合物不包含磨料，则对于化学机械平化(CMP)方法而言，抛光垫的选择和调整将变得更为关键。例如，对于一些不含磨料的组合物，固定式抛光垫能够提高抛光性能。
抛光组合物中任选地包含阻挡层去除剂，例如胍，甲脒或它们的衍生物，以加强钽、氮化钽、钛和氮化钛之类的阻挡层的去除效果。化学机械平化组合物还可以任选地包含络合剂，螯合剂，pH缓冲剂，杀生物剂和消泡剂。
任选地利用氧化剂来有利地优化钽、氮化钽、钛和氮化钛之类的阻挡层的去除速率。合适的氧化剂包括例如，过氧化氢，一过硫酸盐，碘酸盐，对苯二甲酸镁、过乙酸和其它过酸，过硫酸盐，溴酸盐，高碘酸盐，硝酸盐，铁盐，铈盐，锰(Mn)(III)盐，锰(Mn) (IV)，锰(Mn) (VI)盐，银盐，铜盐，铬盐，钴盐，卤素，次氯酸盐，或包含上述至少一种氧化剂的组合。优选的氧化剂是过氧化氢。要注意氧化剂通常在立即使用之前加入抛光组合物中，这时，氧化剂存在于独立包装之中。
需要使用0-10重量％的氧化剂。在此范围内，氧化剂的用量宜大于或等于0.1重量％。在此范围内，氧化剂的用量宜小于或等于5重量％。最佳的是，该组合物包含0.1-5重量％的氧化剂。通过调节过氧化物之类的氧化剂的用量，可以控制金属互连的去除速率。例如，增大过氧化物的浓度可以增大铜的去除速率。但是氧化剂的过度增加会对抛光速率造成负面影响。
所述抛光组合物可具有酸性的pH值或碱性的pH值。适用于互连的金属包括例如铜、铜合金、金、金合金、镍、镍合金、铂族金属、铂族金属合金、银、银合金、钨、钨合金以及包含上述金属中至少一种的混合物。优选的互连金属是铜。在使用过氧化氢之类的氧化剂的酸性抛光组合物或碱性抛光组合物和浆液中，主要由于铜的氧化，所以铜的去除速率和静态蚀刻速率都很高。为了减小互连金属的去除速率，抛光组合物使用缓蚀剂。缓蚀剂用来减少对互连金属的去除。这可以通过减少互连金属的凹陷，促进提高抛光性能。
缓蚀剂的含量通常高达6重量％，缓蚀剂可表示对互连金属的单独的缓蚀剂或缓蚀剂的混合物。在此范围内，缓蚀剂的含量宜大于或等于0.0025重量％，优选大于或等于0.15重量％。在此范围内，缓蚀剂的含量宜小于或等于1重量％，优选小于或等于0.5重量％。优选的缓蚀剂是苯并三唑(BTA)。酸性组合物中最佳的缓蚀剂含量可大于碱性pH值的抛光组合物中的含量。
其它的缓蚀剂包括表面活性剂，例如阴离子性表面活性剂、两性离子表面活性剂、非离子性表面活性剂、两性表面活性剂和聚合物表面活性剂、或有机化合物，例如吡咯。合适的阴离子性表面活性剂包括例如包含官能团的表面活性剂，所述官能团是例如磺酸根、硫酸根、羧酸根、磷酸根、或这些官能团的衍生物，或包含至少一种上述表面活性剂的组合。优选的阴离子性表面活性剂是十二烷基苯磺酸钠。合适的非离子性表面活性剂包括例如硅基化合物、氟基化合物、酯、环氧乙烷、醇、乙氧基化物、醚、苷、或这些化合物的衍生物，或者包含至少一种上述非离子性表面活性剂的组合。合适的两性表面活性剂或聚合物包括例如聚羧酸盐及其衍生物、聚丙烯酰胺及其衍生物、纤维素、聚乙烯醇及其衍生物、聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物。可用作缓蚀剂或用于缓蚀剂混合物中的合适的吡咯包括例如甲苯三唑(TTA)、咪唑及其混合物。最优选的次级缓蚀剂是甲苯三唑。
所述抛光组合物还可包含无机或有机的pH值调节剂，以将抛光组合物的pH值降至酸性pH值，或者将pH值增至碱性pH值。合适的无机pH值减小剂包括例如硝酸、硫酸、盐酸、磷酸、或包含至少一种上述无机pH值减小剂的组合。合适的pH值增高剂包括以下的一种金属氢氧化物、氢氧化铵或含氮有机碱、或上述pH值增大剂的组合。
所述抛光组合物能在酸性pH值或碱性pH值下工作。优选的是，抛光组合物的pH值在1-14。在此范围内，其pH值宜大于或等于2，且低于或等于12。抛光组合物的最优选pH值为3-10。
所述抛光组合物可任选地包含螯合剂或络合剂，以调节相对于阻挡层金属去除速率的铜去除速率。螯合剂通过与铜形成螯合的金属络合物而提高铜的去除速率。合适的螯合剂包括例如羧酸、氨基羧酸及其衍生物、或者包含至少一种上述螯合剂的组合。较佳的是，抛光组合物中螯合剂的含量小于或等于2重量％。抛光组合物还可任选地包含缓冲剂，例如各种有机和无机的酸、以及氨基酸或它们的盐，其pKa在1.5-13的pH范围内。所述抛光组合物还可任选地包含消泡剂，例如非离子性表面活性剂，其包括酯、环氧乙烷、醇、乙氧基化物、硅化合物、氟化合物、醚、苷和它们的衍生物。消泡剂也可以是两性表面活性剂。
所述抛光组合物使得CMP设备能够以2.5-15千帕(kPa)的低压工作。在此范围内，优选压力为3-12千帕。低CMP垫压力通过减小划痕以及其它不希望有的抛光缺陷，并使对脆性材料的破坏最小化，从而改进了抛光性能。例如低介电常数材料在暴露于高应力时会破裂和分层。另外，由所述抛光组合物获得的高阻挡层金属去除速率使得可以使用低磨料浓度和小磨料粒度获得高效的阻挡层金属去除速率和含二氧化硅的层(例如TEOS)的去除速率。在一个示例性实施方式中，可以对抛光组合物进行调整或调节，从而在不会对含二氧化硅的层造成任何破坏的前提下有益地获得高阻挡层去除速率。还可有益地进行调节，从而在不会对低k或超低k介电层造成任何破坏的前提下，除去含二氧化硅的层。
所述组合物在至少一种小于21.7千帕(3psi)的抛光压力下加快了TEOS的去除，同时减少了对选自SiC、SiCN和Si3N4中至少一种涂层的去除，所述抛光压力是用垂直于晶片的多孔填充的聚氨酯抛光垫压力测得的。较佳的是，SiC、SiCN和Si3N4中的至少一种涂料是覆盖材料。出于本说明书的目的，对比去除表示使用垂直于晶片的多孔填充的聚氨酯抛光垫压力测得的去除速率。可用来测定选择性的具体抛光垫是IC 1010TM多孔填充的聚氨酯抛光垫。由于组合物可在各种抛光压力下操作，所以这些数据是用来说明所述组合物的功效，而不是用来描述使用该组合物的具体操作压力。使用具有垂直于晶片的多孔填充的聚氨酯抛光垫压力、在至少一种小于21.7千帕的抛光压力下测得，所述抛光组合物的TEOS对覆盖材料的选择性任选至少为2比1。所选的集成流程控制着TEOS选择性。
除了掩模对覆盖材料的选择性以外，使用具有垂直于晶片的多孔填充的聚氨酯抛光垫压力、在至少一种小于21.7千帕的抛光压力下测得，所述溶液任选具有阻挡层对金属互连的去除选择性，即该溶液去除阻挡层材料的速率大于去除金属互连的速率。任选地，使用具有垂直于晶片的多孔填充的聚氨酯抛光垫压力、在至少一种小于21.7千帕的抛光压力下测得，所述抛光组合物得到的氮化钽对铜的选择性大于或等于2比1。任选地，使用具有垂直于晶片的多孔填充的聚氨酯抛光垫压力、在至少一种小于21.7千帕的抛光压力下测得，所述抛光组合物得到的氮化钽对铜的选择性大于或等于5比1。这种高选择性使得芯片制造商可以在不过多地去除互连材料的前提下从阻挡层上除去材料。
或者可以用另外的添加剂使该过程停止于介电层。常规的介电材料包括原硅酸四乙酯(TEOS)之类的源自硅烷的含二氧化硅的材料，低k和/或超低k有机材料，可购自Novellus的CORALCVD SiOC。任选地，在本发明所述的包含λ-角叉菜聚糖的基本组合物中加入阴离子性表面活性剂或非离子性表面活性剂可以有效地减小SiOC的去除速率，同时不会影响其它膜的去除速率。
实施例实施例1被测的水性浆液包含由美国宾夕法尼亚州费城的FMC提供的MarineColloidsTM角叉菜聚糖(κ型、ι型、包含Ca的ι型、以及λ型)。具体的λ-角叉菜聚糖是购自FMC的Viscarin GP 209F。通过该试验测定包含各种种类和浓度的角叉菜聚糖的抛光组合物的抛光性能。本实施例和其它所有的实施例都使用Strausbaugh抛光机抛光样品晶片(200毫米)，该抛光机使用IC1010抛光垫(Rohmand Haas Electronic Meterials CMP Technologies)，向下作用力条件约为2psi(13.8千帕)，抛光浆液流速为200立方厘米/分钟，台板转速为120RPM，支架转速为114RPM。所有抛光浆液的pH值都用KOH或HNO3进行调节，所有浆液中余量的组分都为去离子水。在实施例中，字母表示对比组合物，数字表示本发明的实施方式。
表1
GHC＝盐酸胍。所有的样品都包含购自AZ Electronic Materials的平均粒度30纳米的PL 150H25二氧化硅，0.15重量％的苯并三唑和0.5重量％的H2O2，CDO是购自Novellus Systems，Inc.的CoralTM电介质。
该实施例显示λ-角叉菜聚糖加快了TEOS去除速率，减小了SiCN去除速率，对CDO速率没有负面影响。κ-角叉菜聚糖、ι-角叉菜聚糖和包含Ca的ι-角叉菜聚糖对TEOS去除速率没有显著的影响。
实施例2本实施例测试了在碱性pH值下的效果。
表2
GHN＝亚硝酸胍(guanidine hydronitrate)。所有的样品都包含0.10重量％的苯并三唑；0.01重量％的Kordex MLX生物杀伤剂(甲基-4-异噻唑啉-3-酮，7.0重量％至小于10.0重量％)；以及10重量％的购自AZ Electronic Materials的平均粒度50纳米的KlebosolII二氧化硅，CDO是购自Novellus Systems，Inc.的CoralTM电介质。
λ-角叉菜聚糖也加快了CDO在亚硝酸胍制剂中的去除速率，减小了CDO在不含亚硝酸胍的制剂中的去除速率。另外，该添加剂可以在加入或不加入胍的情况下有效地加快TEOS去除速率。
实施例3本实施例包括用浓度为1-4重量％的二氧化硅磨料抛光Si3N4膜。
表3
所有的样品都包含购自AZ Electronic Materials的平均粒度30纳米的PL150H25二氧化硅，0.15重量％的苯并三唑、1重量％的盐酸胍和0.5重量％的H2O2，pH值为4，CDO是购自Novellus Systems，Inc.的CoralTM电介质。
上表说明λ-角叉菜聚糖也可有效地抑制氮化硅层的去除速率。
实施例4以下实施例测试了在碱性pH值下添加剂的功效。
表4
GHC＝盐酸胍。所有的样品都包含0.10重量％的苯并三唑；0.01重量％的Kordex MLX生物杀伤剂(甲基-4-异噻唑啉-3-酮，7.0重量％至小于10.0重量％)；以及10重量％的购自AZ Electronic Materials的平均粒度50纳米的Klebosol II二氧化硅，CDO是购自Novellus Systems，Inc.的CoralTM电介质。
在所测的pH值条件下，λ-角叉菜聚糖增大了TEOS的去除速率，相应地增加了对CDO和TaN的去除速率。另外，测试到λ-角叉菜聚糖能在碱性pH值条件下发挥效用。
实施例5本实施例测定了λ-角叉菜聚糖与其它表面活性剂的相容性。
表5
GHN＝亚硝酸胍。所有的样品都包含0.10重量％的苯并三唑；0.01重量％的Kordex MLX生物杀伤剂(甲基-4-异噻唑啉-3-酮，7.0重量％至小于10.0重量％)；Disponil FES77 IS是Cognis Chemicals Group生产的阴离子性表面活性剂，化学名称是脂肪醇聚乙二醇醚硫酸钠；以及10重量％的购自AZ ElectronicMaterials的平均粒度50纳米的Klebosol II二氧化硅，CDO是购自NovellusSystems，Inc.的CoralTM电介质。
本实施例说明加入阴离子性表面活性剂抑制CDO的去除速率对TEOS的去除速率几乎没有负面影响。这证明了λ-角叉菜聚糖与阴离子性表面活性剂的相容性。
由以上试验可以看出，在抛光组合物中使用λ-角叉菜聚糖，可以使得对包含二氧化硅的层的去除速率不同于对阻挡层的去除速率。优点是，使得去除一个层的速度可以比去除另一层的速度更快，例如除去TEOS的速率快于SiCN。例如，对于具有掩蔽层和覆盖层的半导体而言，任选可以使得掩蔽层对覆盖层的选择性大于或等于2比1，甚至大于或等于5比1。该选择性比例可用于沉积在SiC、SiCO、Si3N4或SiCN覆盖层上的TEOS掩模。它们也可用于下表6所示的单独掩模。还可有益地对所述抛光组合物进行调节，从而能在不破坏低k或超低k介电层的前提下除去包含二氧化硅的层。下表6显示了这些抛光组合物在不对包含二氧化硅的层、低k和/或超低k介电层造成任何破坏的前提下除去半导体基材的各种层的能力。
表6
表6显示了可用来从半导体基材上选择性地除去某些所需层的各种集成历程。例如，集成历程1显示了如何有益地使用所述抛光组合物从包含TaN、TEOS、SiCN和超低k介电层的互连结构上分别选择性地除去TaN层和TEOS层。该抛光组合物除去TaN和TEOS的速率高于除去SiCN和CDO层的速率，从而保留下了SiCN和超低k介电层。
所述抛光组合物被用来调节从集成电路器件中的互连结构上除去包含二氧化硅的层和任选的阻挡层的去除速率。可以对其进行调整或调节，从而在以高速率去除包含二氧化硅的层的同时，减少互连金属的凹陷，或者使材料去除停止于SiCN或Si3N4覆盖层之类的覆盖层。本方法任选地包括用所述水性抛光组合物除去阻挡层，然后除去包含二氧化硅的层。另外，如果所述包含二氧化硅的层是沉积在底层上的TEOS顶层，所述底层是SiC、SiCN、Si3N4或SiCO，则所述组合物能够除去顶层，并留下至少一部分的底层。这种选择性的TEOS去除对用覆盖层保护低k和超低k电介质是特别有效的。
权利要求
1.一种可用来抛光半导体基材的水性抛光组合物，该组合物包含0.05-50重量％的磨料；0.001-2重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖的浓度能够加快TEOS的去除速率。
2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述λ-角叉菜聚糖可用来减小对选自SiC、SiCN和Si3N4的至少一种涂层的去除速率。
3.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述磨料选自以下的至少一种无机氧化物、金属硼化物、金属碳化物、金属氮化物和聚合物颗粒。
4.一种可用来抛光半导体基材的水性抛光组合物，该组合物包含0.1-50重量％的磨料；0.01-1.5重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖的浓度能够加快TEOS的去除速率，并且能够减小对选自SiC、SiCN和Si3N4的至少一种涂层的去除速率。
5.如权利要求4所述的组合物，其特征在于，所述λ-角叉菜聚糖可用来减小对SiCN的去除速率。
6.如权利要求4所述的组合物，其特征在于，所述磨料选自氧化铝、氧化铈和二氧化硅中的至少一种。
7.一种可用来抛光半导体基材的水性抛光组合物，该组合物包含0.1-50重量％的二氧化硅磨料；0.05-1重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖的浓度能够加快TEOS的去除速率，并且能够减小对选自SiC、SiCN和Si3N4的至少一种涂层的去除速率。
8.如权利要求7所述的组合物，其特征在于，所述λ-角叉菜聚糖可用来减小对SiCN的去除速率。
9.如权利要求4所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含苯并三唑缓蚀剂。
10.一种抛光半导体基材的方法，该方法包括用一种水性抛光组合物进行抛光的步骤，该组合物包含0.05-50重量％的磨料；以及0.01-2重量％的λ-角叉菜聚糖，所述λ-角叉菜聚糖用来除去TEOS，并保留选自SiC、SiCN和Si3N4的至少一种硬掩蔽层。
全文摘要
可用来抛光半导体基材的水性抛光组合物。所述抛光组合物包含0.05－50重量％的磨料；以及0.001－2重量％的λ－角叉菜聚糖，所述λ－角叉菜聚糖的浓度能够加快TEOS的去除速率。
文档编号H01L21/02GK1982393SQ200610169030
公开日2007年6月20日 申请日期2006年12月12日 优先权日2005年12月13日
发明者卞锦儒 申请人:罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司