专利名称：磁控溅射靶的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种真空镀膜装置，尤其是一种磁控溅射靶。
背景技术：
磁控溅射技术被广泛应用于材料表面装饰、材料表面改性，光学器件制造，电子等多个领域。在生产中，磁控溅射仪的靶材是易耗件，需要经常更换，是磁控溅射技术的主要成本之一,其消耗的速度直接决定了磁控溅射成本的大小。近期,本领域的技术人员曾对磁控溅射靶的结构进行改进，以提高靶材的利用率。例如，申请号为CN200910305378. 1，名称为“磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置”的专利申请，公开的磁控溅射靶包括靶座、至少一个靶材、多个磁芯以及磁芯平移机构，所述靶材固定在所述靶座上，所述多个磁芯固定在所述磁芯平移机构上，所述每两个相邻的磁芯的磁性相反。该发明中，在磁控溅射靶上设置磁芯平移机构，使得镀膜过程中能通过运动的磁场来控制镀膜粒子均匀分布，从而改善镀膜的均匀度。且通过多个磁芯的磁场分布，提高镀膜粒子的撞击次数，从而提高靶材的利用率。
又如，申请号为CN200910304378. X，名称为“磁控溅射靶”的专利申请，公开的磁控溅射靶包括一个中空靶材以及一个磁靶。所述磁靶收容在所述靶材内。所述磁靶包括一个环状的支架以及多个条状磁铁。所述多个磁铁呈放射状地设置在所述支架上。所述支架上相邻的两个磁铁的磁极相反并在多个相邻的磁铁之间形成多个呈花瓣状分布的多个磁场，所述多个磁场覆盖靶材的内外表面且磁场方向交替变化。且覆盖靶材的内外表面。本发明磁控溅射靶通过所述磁靶形成的多个花瓣状磁场覆盖靶材内外表面，从而使所述靶材的内外表面均被有效利用，从而提高了靶材的使用效率。但是，由于磁芯端部为磁场的闭合点，此处的磁场强度较大，束缚的电子数量较多，溅射速率较大，此处的靶材较其他溅射部位容易消耗，引起溅射速率、沉积速率不均匀，影响镀膜均匀度。长时间使用后靶材端部形成凹槽，当靶材端部的消耗量达到更换的标准时，靶材中间部位的损耗还未达到更换的标准，则将造成中间部位靶材的浪费，减少靶材使用寿命。
实用新型内容为了解决上述技术目的，本实用新型提供了一种磁控溅射靶，能够有效的提高靶芯中的磁芯的利用率。本实用新型是通过以下技术方案实现上述技术目的的。一种磁控溅射靶，包括靶座、至少一个靶材、靶芯，所述靶材、靶芯均设置在靶座上，其特征在于，所述靶芯包括三个磁芯，所述磁芯为12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁铁。优选地，所述磁芯厚度小于其他部位的厚度的端部的形状为等腰梯形、直角梯形、三角形、椭圆型中的一种。[0010]本实用新型中，通过减小磁芯端部的厚度，降低磁芯端部处的磁场强度，从而使磁场闭合点处的磁场强度与其他部位的磁场强度相当，避免因磁场不均匀而造成靶材溅射的不均匀。使靶材不同部位的溅射速率相当，提高镀膜均匀度，提高靶材的寿命达20%左右，降低靶材的消耗，降低生产成本。
图1为本实用新型所述磁控溅射靶的结构图。图2为所述磁芯形状几种常见结构图示。图中1-靶座，2-磁芯，3-靶芯，4-靶材。
具体实施方式
为了更清楚的介绍本实用新型的技术方案，
以下结合附图及具体实施方式
对本实用新型作进一步说明。本实用新型所述的磁控溅 射靶，包括靶座1、至少一个靶材4、靶芯3，所述靶材4、靶芯3均设置在靶座I上，所述靶芯3包括三个磁芯2，所述磁芯2为12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁铁。普通的磁芯2为8X IOX 12的长方体形、12面充磁的磁铁，利用线切割技术将12面充磁面切削磁铁的端部形成厚度小的结构。所述磁芯2厚度小于其他部位的厚度的端部的形状为等腰梯形、直角梯形、三角形、椭圆型中的一种。本实用新型中的磁芯2的端部厚度小，降低了磁芯2端部处的磁场强度，从而使磁场闭合点处的磁场强度与其他部位的磁场强度相当，避免因磁场不均匀而造成靶材4溅射的不均匀。使靶材4不同部位的溅射速率相当，提高镀膜均匀度。表I采用所述磁控溅射靶的单靶磁控溅射仪的实验验证结果
权利要求1.一种磁控溅射靶，包括靶座(I)、至少一个靶材(4)、靶芯(3)，所述靶材(4)、靶芯(3 )均设置在靶座(I)上，其特征在于，所述靶芯(3 )包括三个磁芯(2 )，所述磁芯(2 )为12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁铁。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射靶，其特征在于，所述磁芯(2)厚度小于其他部位的厚度的端部的形状为等腰梯形、直角梯形、三角形、椭圆型中的一种。
专利摘要本实用新型涉及一种磁控溅射靶，包括靶座、至少一个靶材、靶芯，所述靶材、靶芯均设置在靶座上，其特征在于，所述靶芯包括三个磁芯，所述磁芯为12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁铁。本实用新型通过将磁芯端部的厚度减小，降低磁芯端部的磁场强度，从而使磁场闭合点处的磁场强度与其他部位的磁场强度相当，避免因磁场不均匀而造成靶材溅射的不均匀。使靶材不同部位的溅射速率相当，提高镀膜均匀度，提高靶材的寿命达20％左右，降低靶材的消耗，降低生产成本。
文档编号C23C14/35GK202865323SQ20122043965
公开日2013年4月10日 申请日期2012年8月30日 优先权日2012年8月30日
发明者王君久, 陈国华, 祝世国 申请人:北京天普太阳能工业有限公司