一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备的制作方法

一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种制备无掺杂α_SiH膜的装置，其特征在于：包括有真空室，在所述真空室内设有基片安装座，在所述真空室内部与基片安装座对应的位置上设有石英玻璃，在所述真空室上与石英玻璃对应的位置上设有汞灯，在所述真空室上连接有氩气进气管，在所述真空室外设有汞源，所述的汞源通过连接管与真空室相连接，在所述汞源上设有SiH4进气管。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，制备无掺杂α_SiH膜的装置。
【专利说明】—种利用光化学气相沉积制备a _SiH膜的设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备。
【背景技术】
[0002]现有的利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备其结构相对比较复杂，生产成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备，以满足需求。

【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备。
[0004]为了达到上述目的，本发明采用以下方案:
[0005]一种利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备，其特征在于:包括有真空室，在所述真空室内设有基片安装座，在所述真空室内部与基片安装座对应的位置上设有石英玻璃，在所述真空室上与石英玻璃对应的位置上设有汞灯，在所述真空室上连接有氩气进气管，在所述真空室外设有汞源，所述的汞源通过连接管与真空室相连接，在所述汞源上设有SiH4进气管。
[0006]如上所述的一种利用光化学气相沉积制备a _SiH膜的设备，其特征在于在所述基片安装座内设有基片加热器。
[0007]如上所述的一种利用光化学气相沉积制备a _SiH膜的设备，其特征在于在所述的氩气进气管上设有气阀。
[0008]如上所述的一种利用光化学气相沉积制备a _SiH膜的设备，其特征在于在所述的设有SiH4进气管上设有气阀。
[0009]如上所述的一种利用光化学气相沉积制备a _SiH膜的设备，其特征在于SiH4进
气管与氩气进气管相互连通。
[0010]如上所述的一种利用光化学气相沉积制备a _SiH膜的设备，其特征在于在所述汞源底部设有加热装置。
[0011]综上所述，本发明相对于现有技术其有益效果是:
[0012]本发明产品结构简单，生产成本相对较低。
【专利附图】

【附图说明】
[0013]图1为本发明的示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【专利附图】

【附图说明】和【具体实施方式】对本发明作进一步描述:
[0015]如图1所示的一种利用光化学气相沉积制备a _SiH膜的设备，包括有真空室1，在所述真空室I内设有基片安装座2，基片12放置在所述基片安装座2上，在所述真空室I内部与基片安装座2对应的位置上设有石英玻璃3，在所述真空室I上与石英玻璃3对应的位置上设有汞灯4，在所述真空室I上连接有氩气进气管5，在所述真空室I外设有汞源6，所述的汞源6通过连接管7与真空室I相连接，在所述汞源6上设有SiH4进气管8。
[0016]本发明中在所述基片安装座2内设有基片加热器9。在所述的氩气进气管5上设有气阀10。在所述的设有SiH4进气管8上设有气阀10。所述SiH4进气管8与氩气进气管5相互连通。本发明中在所述汞源6底部设有加热装置。
[0017]利用本发明装置制备无掺杂a_SiH膜是一种光化学气相沉积的过程。反应的方程式: [0018]Hg++SiH4-----Hg+2H2+Si
[0019]Ar气作为携载气体将SiH4气体引入到真空室中，使用的低压汞灯共振线分别为2537nm及185nm,低压氧化油涂在石英窗内表面上，以防止薄膜沉积在窗口上,便于清洁。
[0020]汞蒸气引入到反应室中，基片温度为200~360度。通过优化汞源温度20~200摄氏度和气体流速SiH4 =Ar=I~28:100~750SCCM可获得4.63nm/min的沉积率。
[0021]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备，其特征在于:包括有真空室(1)，在所述真空室(I)内设有基片安装座(2)，在所述真空室(I)内部与基片安装座(2)对应的位置上设有石英玻璃(3),在所述真空室(I)上与石英玻璃(3)对应的位置上设有萊灯(4),在所述真空室(I)上连接有氩气进气管(5 )，在所述真空室(I)外设有汞源(6 )，所述的汞源(6)通过连接管(7)与真空室(I)相连接，在所述汞源(6)上设有SiH4进气管(8)，在所述基片安装座(2)内设有基片加热器(9)。
2.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备，其特征在于在所述的氩气进气管(5)上设有气阀(10)，在所述的设有SiH4进气管(8)上设有气阀(10)。
3.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备，其特征在于所述SiH4进气管(8)与氩气进气管(5)相互连通。
4.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备，其特征在于在所述汞源(6 )底部设有加热装置。
5.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备a_SiH膜的设备，其特征在于在所述真空室(I)上连接 有废弃排气管(11)。
【文档编号】C23C16/455GK103628044SQ201310549415
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年11月7日 优先权日:2013年11月7日
【发明者】陈路玉 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司