一种高透薄膜的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Ag层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在NiCr层上磁控溅射TiO2层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。
【专利说明】一种高透薄膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种高透薄膜的制备方法。
【背景技术】
[0002]低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
[0003]目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50%左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。另外，这些玻璃的耐磨性通常不够优良。
[0004]故此，现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。
[0006]为了达到上述目的，本发明采用以下方案:
[0007]一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤:
[0008]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O`5层；
[0009]B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；
[0010]C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；
[0011 ] D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；
[0012]E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；
[0013]F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。
[0014]如上所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm，氩气与氧气的体积比为1:3，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为30~45KW。
[0015]如上所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述TiO2层的厚度为8~15nm，所述交流电源的溅射功率40~75KW。
[0016]如上所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm，所述的交流电源的溅射功率20~25KW。
[0017]如上所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率3~6KW。
[0018]如上所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为2~3nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21: 79,所述直流电源的派射功率2~3KW。
[0019]如上所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于F中所述TiO2层的厚度为20~30nm，所述交流电源的溅射功率为100~150KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极50~75KW。
[0020]综上所述，本发明的有益效果:
[0021]本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。产品透过率高达到85%以上，接近基底透过率；生产过程中对基板洁净程度要求不高，机械性能优异。
【具体实施方式】
[0022]下面结合【具体实施方式】对本发明做进一步描述:
[0023]实施例1
[0024]本发明一种高透薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0025]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为20nm，氩气与氧气的体积比为1:3，即氩气:氧气=300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为30KW。
[0026]B、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；所述TiO2层的厚度为8nm，所述交流电源的溅射功率40KW。
[0027]C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，其中氧化锌陶瓷靶旋转靶掺铝2%，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，所述的交流电源的溅射功率20KW。
[0028]D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率3KW。所述NiCr层的厚度为2nm，所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率2KW。
[0029]E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；
[0030]F、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。所述TiO2层的厚度为20nm，所述交流电源的溅射功率为100KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极50KW。
[0031]实施例2
[0032]本发明一种高透薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0033]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为25nm，氩气与氧气的体积比为1:3，即氩气:氧气=300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为40KW。
[0034]B、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为SOOsccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；所述TiO2层的厚度为10nm，所述交流电源的溅射功率58KW。
[0035]C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，其中氧化锌陶瓷靶旋转靶掺铝2%，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为22nm，所述的交流电源的溅射功率23KW。
[0036]D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率3~6KW。所述NiCr层的厚度为2.5nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率22.5KW。
[0037]E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；
[0038]F、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。所述TiO2层的厚度为20~30nm，所述交流电源的溅射功率为120KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极60KW。
[0039]实施例3
[0040]本发明一种高透薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0041]A、采用氧气作为反应 气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为30nm，氩气与氧气的体积比为1:3，即氩气:氧气=300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为45KW。
[0042]B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；所述TiO2层的厚度为15nm，所述交流电源的溅射功率75KW。
[0043]C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，其中氧化锌陶瓷靶旋转靶掺铝2%，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为25nm，所述的交流电源的溅射功率25KW。
[0044]D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率6KW。所述NiCr层的厚度为3nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21:79,所述直流电源的溅射功率3KW。
[0045]E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；
[0046]F、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。所述TiO2层的厚度为30nm，所述交流电源的溅射功率为150KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极75KW。
[0047]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下， 本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤: A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层； B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层； C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层； D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层； E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层； F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。
2.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm，氩气与氧气的体积比为1:3，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为30~45KW。
3.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述TiO2层的厚度为8~15nm，所述交流电源的溅射功率40~75KW。
4.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm，所述的交流电源的溅射功率20~25KW。
5.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率3~6KW。
6.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为2~3nm，所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率2~3KW。
7.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于F中所述TiO2层的厚度为20~30nm，所述交流电源的溅射功率为100~150KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极 50 ~75KW。
【文档编号】C23C14/35GK103643208SQ201310548946
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月7日 优先权日:2013年11月7日
【发明者】陈路玉 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司