一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物的制作方法
【专利摘要】本发明提供的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1-25％，氨基酸类化合物0.1-15％，铵类化合物0.05-15％，无机酸0.001-30％，有机酸0.001-30％，表面活性剂0.001-0.05％，核心添加剂0.01-10％，余量为水。该辅助化学组合物成本低廉、使用方便、重复性好，将该辅助化学组合物应用于在硅片表面生成惰性硅化合物薄膜，制得的硅片整面色泽均匀，硅片表面惰性硅化合物薄膜分布均匀，该组合物特别适用于光伏、电子行业，可以大大降低惰性硅化合物在衬底表面生长所需要的温度，大大降低生产成本。
【专利说明】一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合 物
【技术领域】
[0001] 本发明属于材料领域，特别涉及一种用于优化惰性硅化合物生长在衬底表面上的 化学组合物；更具体地，本发明涉及一种用于在低温情况下能加速惰性硅化合物生长在衬 底表面上的辅助化学组合物。惰性硅化合物包含所有能将单质硅表面有悬键的硅原子反应 生成不导电的硅的化合物。
【背景技术】
[0002] 惰性硅化合物薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、抗侵蚀能力强 以及良好的介电性质。现有技术中，通过制备方法、工艺的开发和不同组分配比对二氧化硅 薄膜的影响研究制备具有优良性能的透明惰性硅化合物薄膜的工作已经取得了很大进展。 惰性硅化合物薄膜在诸多领域得到了很好的应用，如用于电子器件和集成器件、光学薄膜 器件等相关器件中。
[0003] 在工业应用领域，可用不同的方法使无机材料生长在工业衬底表面上。然而，现有 的方法或者生产成本很高，或者应用工艺相当复杂，因此难以广泛应用。
[0004] 化学蒸气沉积法（CVD)在衬底表面上生长无机薄膜是电子工业中应用最多的一 种方法。该方法要求衬底表面的温度足够高，从而使得微小物质碎片在衬底表面自由迁移， 这些碎片在表面移动直到它们发现热力学稳定的粘伏位置。因此，CVD法要求使用高温、挥 发性化合物以及低压力，从而使工艺设备昂贵、工艺过程复杂，且可造成环境危害。
[0005] 溶胶-凝胶是在衬底表面生成无机材料的另一种方法。该方法将溶胶凝胶前体化 合物溶解在溶液中，加入其他试剂（通常为水或乙酸）反应，得凝胶；再将凝胶必须是旋涂 到基材上，从而形成薄膜或涂层。因为大多数溶胶凝胶包括纳米颗粒或纳米颗粒簇，具有显 著的有机含量，因此必须进行额外的热处理或化学处理。由此可见，尽管溶胶凝胶是一种低 温方法，然而其包括多个步骤，工艺复杂。
[0006] 液相淀积（LPD)是一种较新的在衬底表面生成无机材料方法。美国专利 (US2505629, US5073408，US5132140)公开在30-50°C下在液体中在硅片表面上生长惰性硅 化合物的方法，其利用氟硅酸和水反应生成氢氟酸和二氧化硅的原理在衬底表面生成惰性 硅化合物。然而，该方法生成惰性硅化合物的速度非常缓慢，大约为每小时8纳米左右，很 难在工业上推广应用。
[0007] 为了提高惰性硅化合物的生长速度，大多研究者将反应液中增加硼酸、金属化合 物或其他添加剂，但是大多情况下生长出的二氧化硅在衬底表面上分布不够均匀。
【发明内容】
[0008] 发明目的：本发明的目的在于提供一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上 的辅助化学组合物。
[0009] 技术方案：本发明提供的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化 学组合物，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0. 1-25%，氨基酸类 化合物0. 1-15%，铵类化合物0. 05-15%，无机酸0. 001-30%，有机酸0. 001-30%，表面活 性剂0· 001-0. 05%，核心添加剂0· 01-10 %余量为水。
[0010] 优选地，用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以下 重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物2-10 %，氨基酸类化合物0. 1-15%，铵类 化合物0. 5-15 %，无机酸1-20 %，有机酸1-20 %，表面活性剂0. 001-0. 05 %，核心添加剂 0. 1-5%余量为水。
[0011] 更优选地，用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以 下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物5-8%，氨基酸类化合物4-8%，铵类化 合物2-10 %，无机酸5-10 %，有机酸5-10 %，表面活性剂0. 02-0. 04 %，核心添加剂1-3 %余 量为水。
[0012] 作为另一种优选，所述氟硅酸或氟硅酸盐类化合物选自氟硅酸和氟硅酸铵中的一 种或两种。
[0013] 作为另一种优选，所述氨基酸类化合物选自甘氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬氨酸、谷 氨酰胺、赖氨酸、精氨酸和组氨酸中的一种或两种。
[0014] 作为另一种优选，所述铵类化合物选自氢氧化铵、二甲基乙基-2-羟乙基氢氧化 铵、氟化铵、三甲基-3-羟丁基氢氧化铵、三甲基-3-羟丙基氢氧化铵、三丁基2-羟基乙基 氢氧化铵和氟化四甲基铵和EDTA-二铵盐中的一种或几种。
[0015] 作为另一种优选，所述无机酸选自碲酸、锇酸、铼酸、铬酸、硅酸、钴酸、钒酸、磷酸、 硫酸、氣酸、猛酸、钥酸、镇酸、砸酸、铅酸、神酸、钦酸、碳酸、铺酸、铁酸、鹤酸、硝酸、硒酸、锡 酸、锌酸、溴酸、氙酸、锗酸、原硅酸、原磷酸、原硫酸、原碳酸、（偏）硅酸、偏硼酸、偏钛酸、偏 铁酸、偏磷酸、偏亚砷酸、偏亚磷酸、偏铝酸、偏钒酸、偏高碘酸、亚碲酸、碘酸、亚硫酸、亚磷 酸、亚氯酸、亚铬酸亚铅酸、亚砷酸、亚硝酸、亚硒酸、亚锡酸、亚铁酸、亚锑酸、次氟酸、次碘 酸、次氯酸、次溴酸、次磷酸、次硫酸、高铼酸、高氯酸、高锰酸、高铁酸、高碘酸、高溴酸、高氙 酸、连多硫酸、连二亚硫酸、连四硫酸、连二磷酸、过（氧）酸、过一硫酸、过二硫酸、过二碳 酸、过硼酸、过碳酸、同多酸、二钥酸、三钥酸、七钥酸、八钥酸、十二钥酸、十二钨酸、二钒酸、 三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒酸、重铬酸、三铬酸、四铬酸、四硼酸（焦硼酸）、二偏硅酸、三 硅酸、焦硅酸、焦磷酸、三磷酸、焦亚磷酸、焦硫酸、焦亚硫酸、焦砷酸、焦亚砷酸、焦高碘酸、 磷钥酸、磷钨酸、十二钥硅酸、十二钨硼酸、过硫代碳酸、硫代硫酸、硫代碳酸、氯磺酸、氟磺 酸、单氟磷酸、氢碘酸、氢叠氮酸、氢碲酸、氢氟酸、氢硒酸、氢硫酸、氢氯酸、氢溴酸、硫氰酸、 硒氰酸、氰酸、异氰酸、雷酸、二氯合铜、四羟基合铝（III)酸、四羟基合铜（II )酸、六羟基 合铁（III)酸、氟硼酸、氟硅酸、氟钛酸、氟锑酸、氟磷酸、氟钼酸、氟铅酸、氯金酸、氯钼酸、 氯亚钼酸、氯铅酸、过氧酸、超氧酸，臭氧酸、氟锑磺酸、碳硼烷酸、偏铝酸、四羟基合铝（III) 酸、偏亚砷酸、亚砷酸、焦砷酸、氯金酸、硼酸、偏硼酸、四硼酸、氟硼酸、过硼酸、十二钨硼酸、 碳硼烷酸、溴酸、亚溴酸、次溴酸、高溴酸、氢溴酸、碳酸、原碳酸、过硫代碳酸、硫代碳酸、过 二碳酸、高氯酸、高氯酸、过碳酸、氢氟酸、硝酸、亚硝酸、氢叠氮酸、镍酸、铅酸、亚铅酸、氟铅 酸、氯铅酸、氟钼酸、氯钼酸、氯亚钼酸、铼酸、硫酸、亚硫酸、氢硫酸、硫代硫酸、焦硫酸、次硫 酸、连多硫酸、原硫酸、连二亚硫酸、过一硫酸、过二硫酸、氯磺酸、氟磺酸、锑酸、亚锑酸、氟 锑酸、氟锑磺酸、硒酸、亚硒酸、氢硒酸、（偏）硅酸、氟硅酸、焦硅酸、锡酸、亚锡酸、碲酸、氢 碲酸、亚碲酸、钛酸、偏钛酸、氟钛酸、钒酸、偏钒酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒 酸、钨酸、十二钨酸、磷钨酸、十二钨硼酸、氙酸、高氙酸、锌酸的一种或几种。
[0016] 作为另一种优选，所述有机酸选自所述有机酸选自癸二酸、胶酸、甲酸、三氟甲基 磺酸、水杨酸、花生酸、单宁酸、软木酸、苹果酸、癸酸、月桂酸、鞣花酸、马来酸、醋酸，酒石 酸、辛酸、草酸、肥酸、琥珀酸、柠檬酸、硬脂酸、豆蘧酸、丙氨酸、缩苹果酸、杜鹃花酸和甲基 丙烯酸中的一种或几种。
[0017] 作为另一种优选，所述表面活性剂选自Capstone* FS-10、Capstone* FS-30、 Capstone^ FS-3K Capstone^ FS-δθΛ Capstone^ FS-8K Capstone· FS-83、 Capstone^ 1157λ Capstooe^ 11570λ Capstone? 1157Νλ Capstone^ 1430Λ Capstone^' 1440ΛCapstone^ 1460、Capstone? FS-3100、Dehypon?0054、FC-17、FC-23、FC-170、FC-171、FC-430、FC-431、 FC-2000、FC-3000、FC-5000、FC-6000、P1 lit on i c ? 17R2、Pluroni c⑩ 17R4、P 丨 uron i c* 25R2、 [-'luroni(:势 25R4、Piui'oiii31R1 和Pluronic》+ 10R5 中的一种或几种。
[0018] 作为另一种优选，所述核心添加剂包括氢气、氦气、锂、铍、硼粉、碳粉、氮气、氧气、 氟气、氖气、钠、镁、错、娃粉、红磷粉、硫黄粉、氯气、氦气、钾、?丐、钪、钛、银、铬、猛、铁、钴、 镍、铜、锌、镓、锗、砷粉、硒、溴、氪气、铷、锶、钇、锆、铌、钥、锝、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、锑、 締粉、鹏粉、侃气、艳、锁、綱、铺、谱、钦、银、你、错、礼、试、摘、钦、辑、钱、镜、错、給、组、鹤、 铼、锇、铱、钼、金、汞、铊、铅、铋、砺粉中的一种或几种元素、化合物或单质；优选地，所述核 心添加剂包括氢气、氦气、锂块、铍块、硼粉、碳粉、氮气、氧气、氟气、氖气、钠块、镁条、铝块、 娃粉、红憐粉、硫黄粉、氣气、1?气、钟块、興块、锐块、钦块、钥i块、络块、猛块、铁块、钻块、镇 粉、铜粉、锌粉、镓块、锗粉、砷粉、硒粉、溴水、氪气、铷块、锶块、钇块、锆块、铌块、钥块、锝 块、钌块、铑块、钯块、银块、镉块、铟块、锡、锑粉、碲粉、碘粉、氙气、铯块、钡块、镧块、铈块、 镨块、钕块、钷块、钐块、铕块、钆块、铽块、镝块、钦块、铒块、铥块、镱块、镥块、铪块、钽块、钨 块、铼块、锇块、铱块、钼块、金块、汞、铊块、铅块、铋块中的一种或几种。
[0019] 有益效果：本发明提供的辅助化学组合物制备工艺简单、成本低廉、使用方便、重 复性好，将该辅助化学组合物应用于在硅片表面生成惰性硅化合物，制得的硅片整面色泽 均匀，硅片表面氧化膜分布均匀，该组合物特别适用于光伏、电子行业，可以大大降低氧化 娃在衬底表面生长所需要的温度，大大降低生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0020] 图1为本发明用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面的设备的结构示意图。
[0021] 图2为利用本发明在太阳能电池硅片上生成的惰性硅化合物图谱。
【具体实施方式】
[0022] 下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发 明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明的内容之后，本领域技术人员 可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的 范围。
[0023] 本发明中，惰性硅化合物被理解为包括含有硅，也可包括但不限于氧、氟和氢。
[0024] 实施例1
[0025] 组合物1，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸0. 1%，甘氨酸0. 1%，氢氧化铵 15%，十钒酸 30%，癸二酸 0· 001 %，Capstone* FS-100. 05%，锂块 0· 01 %，余量为水。
[0026] 实施例2
[0027] 组合物2,包括以下重量百分数的组分：氟硅酸25%，丝氨酸15%，二甲基乙 基-2-羟乙基氢氧化铵0· 05 %，十二钨酸0· 001 %，胶酸30 % , Caps tonet FS-300. 001 %，氢 气10%，余量为水。
[0028] 实施例3
[0029] 组合物3,包括以下重量百分数的组分：氟硅酸铵10%，苏氨酸15%，氟化铵 〇· 5%，钨酸 20%，甲酸 1%，Capstone? FS-310. 001%，碘粉 0· 1%，余量为水。
[0030] 实施例4
[0031] 组合物4,包括以下重量百分数的组分：氟硅酸2 %，天冬氨酸0. 1 %，三甲 基-3-羟丁基氢氧化铵15%,磷钨酸1 %,三氟甲基磺酸20%, Capstone? FS-500. 05%,砺 粉5%，余量为水。
[0032] 实施例5
[0033] 组合物5,包括以下重量百分数的组分：氟硅酸5%，谷氨酰胺4%，三甲基-3-羟 丙基氢氧化铵10 %，十二钨硼酸5 %，水杨酸10 %，Capston# FS-810. 02 %，镁粉1 %，余量 为水。
[0034] 实施例6
[0035] 组合物6,包括以下重量百分数的组分：氟硅酸铵8%，赖氨酸8%，三丁基2-羟基 乙基氢氧化铵2 %，高氙酸10 %，花生酸5 %，Capstone? FS-830. 04 %，硫黄粉3 %，余量为 水。
[0036] 实施例7
[0037] 组合物7,包括以下重量百分数的组分：氟硅酸6%，精氨酸5%，氟化四甲基铵 5%，氙酸 6%，单宁酸 8%，Capstone? 11570. 03%，砷粉 1. 5%，余量为水。
[0038] 实施例8
[0039] 组合物8,包括以下重量百分数的组分：氟硅酸铵7 %，组氨酸6 %，EDTA-二铵盐 7 %，锌酸8 %，软木酸6 %，Capstone+? 1157D0. 03 %，红磷粉2. 5 %，余量为水。
[0040] 实施例9
[0041] 按表1配制辅助化学组合物，配制方法为：将所述组分混匀，即得。
[0042] 各物质的量分别为：氟硅酸10%，组氨酸5%，氟化四甲基铵10%，无机酸5%，有 机酸5 %，表面活性剂0. 02 %，核心添加剂2 %，余量为水。
[0043] 表1化学组合物配方
[0044]
【权利要求】
1. 一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于： 包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0. 1-25%，氨基酸类化合物 0. 1-15 %，铵类化合物0. 05-15 %，无机酸0. 001-30 %，有机酸0. 001-30 %，表面活性剂 0· 001-0. 05%，核心添加剂0· 01-10%，余量为水。
2. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物2-10%，氨 基酸类化合物〇. 1-15 %，铵类化合物0. 5-15 %，无机酸1-20 %，有机酸1-20 %，表面活性剂 0· 001-0. 05 %，核心添加剂0· 1-5%，余量为水。
3. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化 学组合物，其特征在于：包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物5-8%， 氨基酸类化合物4-8 %，铵类化合物2-10 %，无机酸5-10 %，有机酸5-10 %，表面活性剂 0. 02-0. 04%，核心添加剂1-3%，余量为水。
4. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：所述氟硅酸或氟硅酸盐类化合物选自氟硅酸和氟硅酸铵中的一种或 两种。
5. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：所述氨基酸类化合物选自甘氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬氨酸、谷氨酰 胺、赖氨酸、精氨酸和组氨酸中的一种或两种。
6. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：所述铵类化合物选自氢氧化铵、二甲基乙基-2-羟乙基氢氧化铵、氟 化按、二甲基 _3_轻丁基氧氧化按、二甲基_3_轻丙基氧氧化按、二丁基2_轻基乙基氧氧化 铵和氟化四甲基铵和EDTA-二铵盐中的一种或几种。
7. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：所述无机酸选自碲酸、锇酸、铼酸、铬酸、硅酸、钴酸、钒酸、磷酸、硫酸、 氯酸、猛酸、钥酸、镇酸、硼酸、铅酸、神酸、钦酸、碳酸、铺酸、铁酸、鹤酸、硝酸、砸酸、锡酸、锌 酸、溴酸、氙酸、锗酸、原硅酸、原磷酸、原硫酸、原碳酸、硅酸、偏硼酸、偏钛酸、偏铁酸、偏磷 酸、偏亚砷酸、偏亚磷酸、偏铝酸、偏钒酸、偏高碘酸、亚碲酸、碘酸、亚硫酸、亚磷酸、亚氯酸、 亚铬酸亚铅酸、亚砷酸、亚硝酸、亚硒酸、亚锡酸、亚铁酸、亚锑酸、次氟酸、次碘酸、次氯酸、 次溴酸、次磷酸、次硫酸、高铼酸、高氯酸、高锰酸、高铁酸、高碘酸、高溴酸、高氙酸、连多硫 酸、连二亚硫酸、连四硫酸、连二磷酸、过酸、过一硫酸、过二硫酸、过二碳酸、过硼酸、过碳 酸、同多酸、二钥酸、三钥酸、七钥酸、八钥酸、十二钥酸、十二钨酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、 五钒酸、十钒酸、重铬酸、三铬酸、四铬酸、四硼酸、二偏硅酸、三硅酸、焦硅酸、焦磷酸、三磷 酸、焦亚磷酸、焦硫酸、焦亚硫酸、焦砷酸、焦亚砷酸、焦高碘酸、磷钥酸、磷钨酸、十二钥硅 酸、十二钨硼酸、过硫代碳酸、硫代硫酸、硫代碳酸、氯磺酸、氟磺酸、单氟磷酸、氢碘酸、氢叠 氮酸、氢碲酸、氢氟酸、氢硒酸、氢硫酸、氢氯酸、氢溴酸、硫氰酸、硒氰酸、氰酸、异氰酸、雷 酸、二氯合铜、四羟基合铝（III)酸、四羟基合铜（II )酸、六羟基合铁（III)酸、氟硼酸、氟 硅酸、氟钛酸、氟锑酸、氟磷酸、氟钼酸、氟铅酸、氯金酸、氯钼酸、氯亚钼酸、氯铅酸、过氧酸、 超氧酸，臭氧酸、氟锑磺酸、碳硼烷酸、偏铝酸、四羟基合铝（III)酸、偏亚砷酸、亚砷酸、焦 砷酸、氯金酸、硼酸、偏硼酸、四硼酸、氟硼酸、过硼酸、十二钨硼酸、碳硼烷酸、溴酸、亚溴酸、 次溴酸、高溴酸、氢溴酸、碳酸、原碳酸、过硫代碳酸、硫代碳酸、过二碳酸、高氯酸、高氯酸、 过碳酸、氢氟酸、硝酸、亚硝酸、氢叠氮酸、镍酸、铅酸、亚铅酸、氟铅酸、氯铅酸、氟钼酸、氯钼 酸、氯亚钼酸、铼酸、硫酸、亚硫酸、氢硫酸、硫代硫酸、焦硫酸、次硫酸、连多硫酸、原硫酸、连 二亚硫酸、过一硫酸、过二硫酸、氯磺酸、氟磺酸、锑酸、亚锑酸、氟锑酸、氟锑磺酸、硒酸、亚 硒酸、氢硒酸、硅酸、氟硅酸、焦硅酸、锡酸、亚锡酸、碲酸、氢碲酸、亚碲酸、钛酸、偏钛酸、氟 钛酸、钒酸、偏钒酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒酸、钨酸、十二钨酸、磷钨酸、十二 钨硼酸、氙酸、高氙酸、锌酸的一种或几种。
8. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：所述有机酸选自所述有机酸选自癸二酸、胶酸、甲酸、三氟甲基磺酸、 水杨酸、花生酸、单宁酸、软木酸、苹果酸、癸酸、月桂酸、鞣花酸、马来酸、醋酸，酒石酸、辛 酸、草酸、肥酸、琥珀酸、柠檬酸、硬脂酸、豆蘧酸、丙氨酸、缩苹果酸、杜鹃花酸和甲基丙烯酸 中的一种或几种。
9. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：所述表面活性剂选自Capstone? FS-10、Capstone* FS-30、Capstone* FS-3U Capstone* FS-50, Capstone*· FS-8U Capstone'*· FS-83, Capstone? 1157, Capstone? 1157D> Dipstonc* 1157N> Capstone? 1430> Capstone? 1440> Capstone?5 1460> Capstonofr FS-3100、Dehypon?0054、FC-17、FC-23、FC-170、FC-171、FC-430、FC-431、FC-2000、FC-3000、 FC-5000> FC-6000> Plutonic? 17R2> Pluronic? 17R4> Pluronic1? 25R2> I：3luronic? 25R4> Pl.uronic? 31R1 和p|uronie* 10R5 中的一种或几种。
10. 根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学 组合物，其特征在于：所述核心添加剂包括氢气、氦气、锂、铍、硼粉、碳粉、氮气、氧气、氟气、 氖气、钠、镁、错、娃粉、红磷粉、硫黄粉、氯气、氦气、钾、?丐、钪、钛、f凡、铬、猛、铁、钴、镍、铜、 锌、镓、锗、砷粉、硒、溴、氪气、铷、锶、钇、锆、铌、钥、锝、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、锑、碲粉、碘 粉、侃气、艳、锁、綱、铺、谱、钦、银、你、错、礼、试、摘、钦、辑、钱、镜、错、給、组、鹤、鍊、饿、依、 钼、金、汞、铊、铅、铋、砺粉中的一种或几种元素、化合物或单质；优选地，所述核心添加剂 包括氢气、氦气、锂块、铍块、硼粉、碳粉、氮气、氧气、氟气、氖气、钠块、镁条、铝块、硅粉、红 憐粉、硫黄粉、氣气、氩!气、钟块、--块、锐块、钦块、f凡块、络块、猛块、铁块、钻块、镇粉、铜粉、 锌粉、镓块、锗粉、砷粉、硒粉、溴水、氪气、铷块、锶块、钇块、锆块、铌块、钥块、锝块、钌块、铑 块、钯块、银块、镉块、铟块、锡、锑粉、碲粉、碘粉、氙气、铯块、钡块、镧块、铈块、镨块、钕块、 钷块、钐块、铕块、钆块、铽块、镝块、钦块、铒块、铥块、镱块、镥块、铪块、钽块、钨块、铼块、锇 块、铱块、钼块、金块、汞、铊块、铅块、铋块中的一种或几种。
【文档编号】C23C18/12GK104087913SQ201410256585
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年6月11日 优先权日:2014年6月11日
【发明者】韩冰, 丁晓辉, 徐涛 申请人:韩冰, 丁晓辉, 徐涛