本发明涉及可使用于传感器及噪音滤波器、扼流线圈等电子部件的Fe基非晶合金粉末。
背景技术：
：专利文献1提出一种具有非晶相作为主相的合金粉末。专利文献1的合金粉末的平均粒径为0.7μm以上且5.0μm以下。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-55182号公报技术实现要素：【发明想要解决的问题】若考虑对于在如噪音滤波器及扼流线圈这样的电子部件中的使用，相较于马达用途，饱和磁通密度可以较小也可，另一方面，需要矫顽力小、抑制铁损耗至较低。为了满足此要求，且稳定的得到粒径大的粉末，要求提高合金的非晶形成能力。若由非晶形成能力高的合金制造粉末，则可提高特性良好的粉末形成的成品率。因此，本发明的目的在于提供一种具有高非晶形成能力的合金粉末。【解决问题的方式】本发明的一个方案是提供非晶相作为主相或具有非晶相与α-Fe的结晶相的混相组织的组成式Fe100-a-b-c-d-e-fCoaBbSicPdCueCf的合金粉末。参数满足以下条件：3.5≤a≤4.5at％、6≤b≤15at％、2≤c≤11at％、3≤d≤5at％、0.5≤e≤1.1at％、0≤f≤2at％。另外，合金粉末的粒径为90μm以下。另外，本发明的另一方案提供使用上述合金粉末构成的磁性部件。发明的效果含有3.5at％以上且4.5at％以下的Co的FeCoBSiPCu合金或FeCoBSiPCuC合金，具有高非晶形成能力，可容易地得到大粒径的合金粉末。另外，由于降低了Fe的比例，不适于纳米结晶化，另一方面还具有在作为矫顽力小、铁损耗也低的电子部件用的优异磁性特性。即使是粒径大的粉末也变得具有良好的磁性特性，故成品率提高。具体实施方式关于本发明可以多样的变形及各种方案实现，作为其中一例，以特定实施方案，详细说明如下。实施方案不限于本发明在此所揭示的特定方案，其对象包含附加的权利要求书所记载的范围内的全部变形例、均等物、替代例。本发明的实施方案的合金粉末，适合作为如噪音滤波器的电子部件用，组成式为Fe100-a-b-c-d-e-fCoaBbSicPdCueCf。在此，3.5≤a≤4.5at％、6≤b≤15at％、2＜c≤11at％、3≤d≤5at％、0.5≤e≤1.1at％、0≤f≤2at％。即，不含C时，组成式为Fe100-a-b-c-d-eCoaBbSicPdCue，含有0＜f≤2at％的C时，组成式为Fe100-a-b-c-d-e-fCoaBbSicPdCueCf。在本实施形态中，Co元素为负责非晶相形成的必须元素。若对于FeBSiPCu合金或FeBSiPCuC合金添加一定量的Co元素，则FeBSiPCu合金或FeBSiPCuC合金的非晶相形成能力提高，故可稳定地制作粒径大的合金粉末。但是，若Co的比例少于3.5at％，则液体急速冷冻条件下的非晶相的形成能力降低，其结果，化合物相析出到合金粉末中而饱和磁通密度降低。而若Co的比例多于4.5at％，则导致矫顽力上升。因此，Co的比例较佳为3.5at％以上、4.5at％以下。非晶相形成能力提高，故即使在Co的比例多到3.5at％以上的情况，藉由将其他元素B、Si、P、Cu的値调整如下述，可得到良好的磁性特性。在本实施形态中，B元素为负责非晶相形成的必须元素。若B的比例少于6at％，则液体急速冷冻条件下的非晶相形成能力降低，其结果，化合物相析出到合金粉末中而饱和磁通密度降低，同时矫顽力上升。若B的比例多于15at％，则饱和磁通密度降低。因此，B的比例理想的为6at％以上且15at％以下。在本实施形态中，Si元素为负责非晶形成的必须元素。若Si的比例少于2at％，则液体急速冷冻条件下的非晶相形成能力降低，其结果，化合物相析出到合金粉末中而饱和磁通密度降低，同时矫顽力提高。若Si的比例多于11at％，则导致矫顽力上升。因此，Si的比例理想的为2at％以上且11at％以下。在本实施形态中，P元素为负责非晶形成的必须元素。若P的比例少于3at％，则液体急速冷冻条件下的非晶相的形成能力降低，其结果，化合物相析出到合金粉末中而矫顽力上升。若P的比例多于5at％，饱和磁通密度降低。因此，P的比例理想的为3at％以上且5at％以下。在本实施形态中，Cu元素为负责非晶形成的必须元素。若Cu的比例少于0.5at％，则饱和磁通密度降低。若Cu的比例多于1.1at％，则液体急速冷冻条件下的非晶相形成能力降低，其结果，化合物相析出到合金粉末中而饱和磁通密度降低，同时矫顽力上升。因此，Cu的比例理想的为0.5at％以上且1.1at％以下。在本实施形态中，Fe元素为主元素，占上述组成式的剩余部分且为负责磁性的必须元素。为了提高饱和磁通密度及降低原料价格，基本上优选Fe的比例多。然而，Fe的比例若超过83.5at％，化合物相多量析出，饱和磁通密度极端降低的情况变多。另外，若Fe的比例超过79at％，由于非晶形成能力降低而有矫顽力增加的倾向，所以为了避免此情况有必要将半金属元素的比例严密地调整。因此，Fe的比例理想为83.5at％以下，另外，优选为79at％以下。也可对具有上述组成式Fe100-a-b-c-d-eCoaBbSicPdCue的合金组成物添加一定量的C元素以降低合金组成物总材料成本。单，若C的比例超过2at％，则饱和磁通密度降低。因此，即使添加C元素使合金组成物的组成式为Fe100-a-b-c-d-e-fCoaBbSicPdCueCf的情况，C的比例较理想为2at％以下(不含0)。本实施形态的合金粉末，可藉由水雾化法或气体雾化法制作，也可藉由将薄带的合金组成物粉碎而制作。进一步，将制成的合金粉末过筛，分为粉末粒径为90μm以下的粉末与超过90μm的粉末。如此而得的本实施方式的合金粉末，具有90μm以下的粒径且具有1.6T以上的高饱和磁通密度与100A/m以下的低矫顽力。将本实施方式的合金粉末成形，可形成卷磁芯、层叠磁芯、压粉磁芯等磁芯。另外，使用该磁芯，可提供如传感器及噪音滤波器、扼流线圈这样的电子部件。【实施例】以下，关于本发明的实施方式，参考多个实施例及多个比较例更详细说明。(实施例1～11及比较例1～10)首先，验证不含C的FeCoBSiPCu合金。详细而言，称量原料使其为如下述表1所示的本发明的实施例1～11及比较例1～10的合金组成，藉由高频感应熔炼处理熔炼而制作母合金。将此母合金以气体雾化法处理，得到粉末。金属熔液(moltenmetal)的吐出量为平均15g/秒以下，气体压力定为10MPa以上。将如此而得的粉末过筛，分为粉末粒径为90μm以下的粉末与超过90μm的粉末，得到实施例1～11及比较例1～10的合金粉末。合金粉末的各种饱和磁通密度Bs使用振动样品型磁力计(VMS)以800kA/m的磁场测定。各合金粉末的矫顽力Hc使用直流BH指示器以23.9kA/m(300奥斯特)的磁场测定。测定结果如表4所示。【表1】FeCoBSiPCu实施例179.73.68440.7实施例279.348440.7实施例378.74.58440.8比较例1803.38440.7比较例278.64.78440.7实施例481.246.2440.6实施例572.5414.8440.7比较例381.445.9440.7比较例471.9415.3440.8实施例681.248240.8实施例772.14.281140.7比较例579.63.9101.840.7比较例673.34.4611.540.8实施例8784.11043.20.7实施例979.63.88350.6比较例780.54842.80.7比较例876.64.394.15.20.8实施例1078.43.994.240.5实施例117948441比较例977.7410440.3比较例10794.2843.61.2【表2】如由表2所理解的那样，实施例1～11的合金粉末，是具有以非晶相为主相、或具有非晶相与α-Fe的结晶相的混相组织的粉末。相对于此，比较例1、比较例3、比较例5、比较例7及比较例10的合金粉末，含有化合物相。另外，实施例1～11的合金粉末具有100A/m以下的低矫顽力且具有1.6T以上的高饱和磁通密度。相对于此，比较例1～10的合金粉末是饱和磁通密度较1.6T低，或矫顽力较100A/m高很多的粉末。如此根据发明，即使不进行热处理使其纳米结晶化，也可实现低矫顽力与高饱和磁通密度。(实施例12～14及比较例11)进一步验证含C的FeCoBSiPCuC合金。详细而言，称量原料使其为如下述表3所示的本发明的实施例12～14及比较例11的合金组成，藉由高频感应熔炼处理熔炼而制作母合金。将此母合金藉由气体雾化法处理，得到粉末。金属熔液的吐出量为平均15g/秒以下，气体压力定为10MPa以上。将如此而得的粉末过筛，分为粉末粒径为90μm以下的粉末与超过90μm的粉末，得到实施例12～14及比较例11的合金粉末。合金粉末的各种饱和磁通密度Bs使用振动样品型磁力计(VMS)以800kA/m的磁场测定。各合金粉末的矫顽力Hc使用直流BH指示器以23.9kA/m(300奥斯特)磁场测定。测定结果如表4所示。【表3】FeCoBSiPCuC实施例1278.44.28440.80.6实施例1378.148.2440.71实施例1476.13.994.24.10.81.9比较例1176.249440.72.1【表4】由表4所理解的那样，实施例12～14的合金粉末具有非晶相为主相或具有非晶相与α-Fe的结晶相的混相组织。另外，实施例12～14的合金粉末，具有100A/m以下的低矫顽力与1.6T以上的高饱和磁通密度。相对于此，比较例11的合金粉末具有低饱和磁通密度。本发明系以2014年7月18日向日本特许厅提申的日本专利申请第2014-147249号为基准，通过参照其内容而成本说明书的一部分。已说明本发明的最佳实施方案，然而本领域技术人员可知在不脱离本发明的精神的范围内能将实施方式变形，如此的实施方式属于本发明的范围内。当前第1页1 2 3