本发明涉及一种钒氧化物薄膜制备方法。
背景技术：
热致变色材料在不同环境温度中材料颜色会发牛相应变化。例如半导体、液晶和金属导体等。能在临界温度下发生这种颜色变化效应的大多是有机物，也有部分无机物，其中钒氧化物薄膜就是这种材料。钒具有多种化合价，因此钒氧化物具有多种结构形式。
技术实现要素：
本发明提出一种钒氧化物薄膜制备方法。
一种钒氧化物薄膜制备方法，具体制备步骤如下：
（1）取纯度为99．8％的钒金属靶基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；
（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；
（3）溅射气体氩气和氧气按1:1的比率导入真李室反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量；
（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；
（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时间20-60min，温度从室温变化至300-500℃。
优选地，所述钒金属靶直径为70mm。
优选地，所述沉积时间为40min。
优选地，所述步骤（5）的温度变化为从室温变化至400℃。
本发明所述工艺制备的薄膜，具有低的透过值，双振荡的经典模型与实验测量透过结果符合得很好。
具体实施方式
实施例1。
一种钒氧化物薄膜制备方法，具体制备步骤如下：
（1）取纯度为99．8％的钒金属靶基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；
（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；
（3）溅射气体氩气和氧气按1:1的比率导入真李室反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量；
（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；
（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时间20-60min，温度从室温变化至300-500℃。
实施例2。
一种钒氧化物薄膜制备方法，具体制备步骤如下：
（1）取纯度为99．8％的钒金属靶基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；
（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；
（3）溅射气体氩气和氧气按1:1的比率导入真李室反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量；
（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；
（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时间20-60min，温度从室温变化至300-500℃；
（6）所述钒金属靶直径为70mm。
实施例3。
一种钒氧化物薄膜制备方法，具体制备步骤如下：
（1）取纯度为99．8％的钒金属靶基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；
（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；
（3）溅射气体氩气和氧气按1:1的比率导入真李室反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量；
（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；
（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时间20-60min，温度从室温变化至300-500℃；
（6）所述钒金属靶直径为70mm；
（7）所述沉积时间为40min。
实施例3。
一种钒氧化物薄膜制备方法，具体制备步骤如下：
（1）取纯度为99．8％的钒金属靶基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；
（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；
（3）溅射气体氩气和氧气按1:1的比率导入真李室反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量；
（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；
（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时间20-60min，温度从室温变化至300-500℃；
（6）所述钒金属靶直径为70mm；
（7）所述沉积时间为40min；
（8）所述步骤（5）的温度变化为从室温变化至400℃。