1.一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，主要按照下列步骤制备：
A.以纯金属银、铝、钛为基材材料，经表面磨、抛光，之后用丙酮和酒精超声波清洗。以纯金属镁充当薄膜材料的溅射源物质；
B.将经步骤A所得的基材固定在样品台上，将样品台放入磁控溅射仪进样室，基材在进样室经清洗后送入可旋转金属基底上；
C.对密闭反应室抽真空，对金属基底加热；
D.待磁控溅射仪反应室背底真空度抽至一定程度及金属基底在室温或加热至一定温度条件下，通入一定流量比的高纯氧和氩混合气体，在反应室真空度回升至反应气压时开始预溅射，预溅射处理一定时间后开始直流镁靶溅射，氩离子轰击靶材所得的镁与腔室里的氧气反应，最终在基材表面沉积获得MgO薄膜。
2.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤A中，所述基材材料金属银、铝、钛以及金属镁靶材的纯度为99.99％。表面磨、抛光工艺为：分别经2000#、3000#、5000#SiC砂纸打磨Ag/Al/Ti基材样品以得到光滑平整表面，有利于磁控溅射物质的附着沉积。之后经丙酮和酒精分别超声波清洗5min，后在真空干燥箱烘干，以去除样品表面吸附杂质。
3.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤B中，所述清洗是在氩气气氛下通过射频电源在50～100W功率条件下产生的氩离子辉光清洗300s。
4.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤C中，所述抽真空方法为分子泵抽真空，反应室背底真空度为5×10-4～8×10-4Pa，金属基底的加热方式为电阻式加热，加热速率为20℃/min。
5.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤D中，所述基底温度为室温溅射的样品后期在真空管式炉中经400～600℃、10～20Pa高纯氧条件下进行10～30min活化处理。
6.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤D中，所述基底温度设定在200～500℃之间，溅射源气体高纯氧气纯度为99.999％，高纯氩气纯度为99.999％。
7.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤D中，所述气体流量比O2/Ar为1/90～10/90(流量单位：sccm)，反应气压控制在0.8～1.0Pa之间。
8.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤D中，所述预溅射在挡板关闭的条件下，采用50～200W功率下溅射5～10min，以去除靶材表面吸附物及杂质。
9.按照权利要求1的一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，步骤D中，所述直流磁控溅射功率为50～200W。
10.按照权利要求1-9任一项制备方法制备得到二次电子发射薄膜。