技术总结
本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
技术研发人员：王金淑;王飞飞;周帆;李洪义;张权;殷俏
受保护的技术使用者：北京工业大学
文档号码：201611166493
技术研发日：2016.12.16
技术公布日：2017.05.10