本发明涉及介质阻挡放电(dbd)低温等离子体技术领域，尤其涉及一种电介质均匀快速散热方法。
背景技术：
等离子体是由大量非束缚状态的带电粒子来组成，对外整体呈现电中性，是继固、液、气之外的物质第四种状态。其富含的活性粒子具有较高的氧化性，易于和处理对象之间相互作用，从而可以得到一些常规物理化学处理方法无法比拟的神奇效果。然而长期以来大气压环境产生较为均匀弥散的低温等离子体(非热平衡态等离子体)是一种比较困难的方法，目前在低温等离子体及其应用方面的研究是学术界研究的热点，如：介质阻挡放电(dielectricbarrierdischarge,dbd)等离子体、微波等离子体、激光诱导等离子体、强压力撞击在某些极端情况也可产生非平衡态的等离子体。
由气体放电而产生的低温等离子体具有结构简单，激励电源尺度较小，设备整体便携等特有优势引起了广泛关注，各种应用层出不穷。介质阻挡放电(dbd)的电介质上的电荷积累可使得气隙电压急剧下降，放电熄灭，从而避免了气体放电形成电弧。然而无论采用何种电源激励，介质阻挡放电(dbd)的中间电介质的发热都非常严重，这制约了介质阻挡放电(dbd)的大规模工业应用。大气压环境介质阻挡放电(dbd)时电介质的发热问题无可避免，尤其是电极局部过热易导致电介质的断裂等不可恢复的技术瓶颈难题，本发明提出一种均匀快速的散热方法；同时注入的不同成分金属粉及气隙之间事实上形成大量微小的三结合点，人为制造不均匀电场，从而也有利于形成更加均匀弥散的放电。
技术实现要素：
基于背景技术存在的技术瓶颈问题，本发明提出了一种dbd电介质均匀快速散热方法。
本发明提出的一种dbd电介质均匀快速散热用的金属粉，所述金属粉组份按体积百分比为铁85-92％、锡8-15％。
优选地，还包括钛2-3％。
优选地，还包括钨2-3％。
一种dbd电介质均匀快速散热方法，具体方法步骤如下：
1)在金属电极和石英管连接处设有一层金属粉；
2)启动电源，dbd电介质放电产生的热量被金属粉吸收，金属粉吸收热量后将会部分熔化，熔化的金属粉将会把金属电极上热量均匀散出；
3)停止电源激励，部分熔点较低金属和高熔点金属粉依次凝固，金属粉之间不会大面积整体结块；
4)下次使用时按照步骤2)操作，可循环用于下次介质阻挡放电时电介质散热用的金属粉的散热过程。
优选地，所述金属粉厚度为1-5.0mm。
优选地，一种dbd电介质均匀快速散热用的金属粉在局部过热散热领域的应用。
本发明中：
1、一方面熔化本身可吸收热量，另一方面金属是热的良导体可起到均匀快速释放热量的效果，因此本发明的方法可将电介质局部过热均匀快速的释放散开，避免电介质由于局部过热发生的爆裂现象；
1、金属粉组份为铁、钛、钨、锡，锡的熔点比铁低，铁熔点比钛、钨低，可以根据dbd电介质放电产热的多少，达到多级熔化的作用，熔点较低的金属粉梯次熔化，可吸收放电时电介质产生的热量；
3、金属粉空隙之间形成一层大面积尖端金属颗粒，不同金属粉末及气隙之间形成大面积的三结合点，人为制造不均匀电场，形成更加均匀弥散的放电。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明：
实施案例1
一种dbd电介质均匀快速散热用的金属粉，所述金属粉组份按体积百分比为铁85％、锡10％、钛3％、钨2％。
其中金属粉厚度为1.0mm。
一种dbd电介质均匀快速散热方法，具体方法步骤如下：
1)在金属电极和石英管连接处设有一层金属粉；
2)启动电源，dbd电介质放电产生的热量被金属粉吸收，金属粉吸收热量后将会部分熔化，熔化的金属粉将会把金属电极上热量均匀散出；
3)停止电源激励，部分熔点较低金属和高熔点金属粉依次凝固，金属粉之间不会出现整体结块；
4)下次使用时按照步骤2)操作，完成下次dbd电介质散热用的金属粉的散热过程。
实施案例2
一种dbd电介质均匀快速散热用的金属粉，所述金属粉组份按体积百分比为铁92％、锡4％、钛2％、钨2％。
其中金属粉厚度为3.0mm。
一种dbd电介质均匀快速散热方法同实施例1。
实施案例3
一种dbd电介质均匀快速散热用的金属粉，所述金属粉组份按体积百分比为铁90％、锡5％、钛3％、钨2％。
其中金属粉厚度为5.0mm。
一种dbd电介质均匀快速散热方法同实施例1。
实施案例4
一种dbd电介质均匀快速散热用的金属粉，所述金属粉状颗粒组份按体积百分比为铁82％、锡13％、钛2％、钨3％。
其中金属粉厚度为2.0mm。
一种dbd电介质均匀快速散热方法同实施例1。
实施案例5
一种dbd电介质均匀快速散热用的金属粉，所述金属粉状颗粒组份按体积百分比为铁88％、锡7％、钛3％、钨2％。
其中金属粉厚度为4.0mm。
一种dbd电介质均匀快速散热方法同实施例1。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。