一种研磨抛光钕铁硼材料的方法与流程

文档序号:14881389发布日期:2018-07-07 09:48阅读:999来源:国知局

本发明实施例涉及金属表面加工领域,尤其涉及一种研磨抛光钕铁硼材料的方法。



背景技术:

钕铁硼是新一代的永磁材料,全球需求量巨大,在航空航天、风力发电、汽车、机械、通讯设备中得到大量的应用。随着新能源汽车、海上风力发电、磁悬浮列车以及电子产品的发展,对钕铁硼磁铁的矫顽力、磁能积、耐腐蚀性能提出了更高的要求,因此对磁铁制造以及表面处理形成了巨大的挑战。

真空磁控溅射技术是新一代的表面处理技术,具有无污染、结合力好等优点。但是真空磁控溅射技术对样品表面要求较高,传统的研磨手段主要针对电镀样品进行倒角处理,现有电镀处理样品工艺在研磨抛光过程中存在的腐蚀情况严重、表面不精整、以及酸洗对材料磁性能的影响问题。亟需一种新型的研磨方法,以满足真空磁控溅射技术产业化中镀膜前处理的需求。



技术实现要素:

本发明实施例提供了一种研磨抛光钕铁硼材料的方法,可以实现对钕铁硼材料进行研磨抛光处理。

第一方面,本发明实施例提供一种研磨抛光钕铁硼材料的方法,应用于钕铁硼永磁材料真空镀膜产业化样品前处理,包括:

对待处理的钕铁硼材料进行粗磨处理,倒角达到0.5以上,同时去除表面油污和粉尘;

对经粗磨处理后的所述钕铁硼材料进行精磨处理,去除所述钕铁硼材料在所述粗磨处理过程的产生的腐蚀和磨料粉尘,同时对磁铁进行表面精整;

对经精磨处理后的所述钕铁硼材料进行上光处理,得到倒角达到0.5以上,表面粗糙度达到0.2以下,表面光亮、致密的研磨抛光钕铁硼材料。

在一个可能的实施方式中,所述粗磨处理,包括:

将待处理的钕铁硼材料置于装有粗磨磨料的研磨机内,按照设定频率进行粗磨处理设定时间。

在一个可能的实施方式中,所述粗磨磨料由三角和圆球状磨料按照设定的比例混合组成。

在一个可能的实施方式中,所述方法还包括:

在所述粗磨处理过程中,添加助磨剂。

在一个可能的实施方式中,所述设定频率为30-50hz,所述设定时间为6-24小时。

在一个可能的实施方式中,所述精磨处理,包括:

将经粗磨处理后的所述钕铁硼材料置于装有精磨磨料的光饰机内,设置振动频率以及振动时间进行精磨处理,以及边振动边观察所述钕铁硼材料的表面状态。

在一个可能的实施方式中,所述精磨磨料使用φ3~φ6的圆柱磨料。

在一个可能的实施方式中,所述设定频率为30-50hz,所述设定时间为8-36小时。

在一个可能的实施方式中,所述上光处理,包括:

将经精磨处理后的所述钕铁硼材料置于装有上光磨料的光饰机内,设置振动频率以及振动时间进行上光处理,以及边振动边观察所述钕铁硼材料的表面状态。

在一个可能的实施方式中,所述上光磨料使用细小的圆球磨料。

在一个可能实施方式中,所述设定频率为30-50hz,所述设定时间为6-36小时。

在一个可能的实施方式中,所述方法还包括:

在进行粗磨处理过程中,观察所述钕铁硼材料的表面状态、有无磕碰以及测量所述钕铁硼材料的倒角。

在一个可能的实施方式中,所述粗磨磨料为棕刚玉,所述三角和所述圆球状磨料的比例为3:2;

所述精磨磨料为高铝瓷圆柱磨料。

在一个可能的实施方式中,所述上光磨料为高铝瓷圆球磨料。

本发明实施例提供的研磨抛光钕铁硼材料的方法,通过将待处理的钕铁硼材料进行粗磨处理;对经粗磨处理后的所述钕铁硼材料进行精磨处理,去除所述钕铁硼材料在所述粗磨处理过程的产生的腐蚀以及精整表面;对经精磨处理后的所述钕铁硼材料进行上光处理,得到研磨抛光钕铁硼材料,对钕铁硼倒角要求较低,钕铁硼的磨损量较少,对磁体的磁性能没有影响,同时对环境没有造成任何污染,产品尺寸精度比电镀样品研磨工艺要高,磕碰少,产品的合格率高。

附图说明

图1为本发明实施例提供一种研磨抛光钕铁硼材料的方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

为便于对本发明实施例的理解,下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明,实施例并不构成对本发明实施例的限定。

图1为本发明实施例提供一种研磨抛光钕铁硼材料的方法的流程示意图,如图1所示,该方法包括如下步骤:

本发明使用的设备为平底圆弧振动机,其工作原理是将工件置于装有弹簧的筒形或者碗形开口容器内,通过特殊装置让容器上下和左右振动,使工件与磨削介质互相摩擦完成光饰加工处理过程。

s101、对待处理的钕铁硼材料进行粗磨处理,倒角达到0.5以上,同时去除表面油污和粉尘。

可选地,所述粗磨处理,包括:

将待处理的钕铁硼材料置于装有粗磨磨料的研磨机内,按照设定频率进行粗磨处理设定时间。

可选地,所述粗磨磨料由三角和圆球状磨料按照设定的比例混合组成。

可选地,所述方法还包括:

在所述粗磨处理过程中,添加助磨剂。

可选地,所述设定频率为30-50hz,所述设定时间为6-24小时。

可选地,所述粗磨磨料为棕刚玉,所述三角和所述圆球状磨料的比例为3:2。

可选地,所述方法还包括:

在进行粗磨处理过程中,观察所述钕铁硼材料的表面状态、有无磕碰以及测量所述钕铁硼材料的倒角。

s102、对经粗磨处理后的所述钕铁硼材料进行精磨处理,去除所述钕铁硼材料在所述粗磨处理过程的产生的腐蚀倒角达到0.5以上,同时去除表面油污和粉尘表面精整。

可选地,所述精磨处理,包括:

将经粗磨处理后的所述钕铁硼材料置于装有精磨磨料的光饰机内,设置振动频率以及振动时间进行精磨处理,以及边振动边观察所述钕铁硼材料的表面状态。

可选地,所述精磨磨料为高铝瓷圆柱磨料。

可选地,所述设定频率为30-50hz,所述设定时间为8-36小时。

s103、对经精磨处理后的所述钕铁硼材料进行上光处理,得到倒角达到0.5以上,表面粗糙度达到0.2以下,表面光亮、致密的研磨抛光钕铁硼材料。

可选地,所述上光处理,包括:

将经精磨处理后的所述钕铁硼材料置于装有上光磨料的光饰机内,设置振动频率以及振动时间进行上光处理,以及边振动边观察所述钕铁硼材料的表面状态。

可选地,所述上光磨料为高铝瓷圆球磨料。

可选地,所述设定频率为30-50hz,所述设定时间为6-36小时。

下面以具体实例对上述研磨抛光钕铁硼材料的方法进行介绍:

实施例1

将尺寸为60*30*10的n40号烧结钕铁硼永磁铁放入30l振动光饰机进行粗磨,磨料使用棕刚玉,共40kg,三脚料与圆球磨料比为5:3,振动频率为45hz,研磨时间12h。研磨过程中加去离子水刚好没过磨料。观察研磨后的样品,表面有轻微腐蚀,没有磕碰现象,测量试验后样品倒角为r为0.5mm,粗糙度为0.2μm,样品表面没有磕碰现象。然后更换磨料,进行精磨。精磨过程中,磨料为直径为4cm,高度为8cm的高铝瓷圆柱磨料。磨料共30kg,振动频率为30hz,研磨时间24h。观察精磨后样品,表面腐蚀产物基本去除,露出金属的光泽。最后一步使用直径为2mm的高铝瓷圆球进行上光处理,磨料共25kg,研磨频率使用35hz,研磨时间为30h。最后观察的式样表面光亮、精整,倒角为0.5mm,粗糙度为0.19μm。

实施例2

将尺寸为60*30*10的n42号烧结钕铁硼永磁铁放入30l振动光饰机进行粗磨,磨料使用棕刚玉磨料,共40kg,三脚料与圆球磨料比为5:4,振动频率为40hz,研磨时间12h。研磨过程中加去离子水刚好没过磁铁。观察研磨后的样品,表面有轻微腐蚀,没有磕碰现象,测量试验后样品倒角为r为0.5mm,粗糙度为0.19μm,样品表面没有磕碰现象。然后更换磨料,进行精磨。精磨使用直径为4cm,高度为8cm的高铝瓷圆柱磨料。磨料共30kg,振动频率为35hz,研磨时间24h。观察精磨后样品,表面腐蚀产物基本去除,露出金属的光泽。最后一步使用直径为2mm的高铝瓷圆球进行上光处理,磨料共25kg,研磨频率使用35hz,研磨时间为30h。最后观察的式样表面光亮、精整,倒角为0.5mm,粗糙度为0.17μm。

本发明实施例提供的研磨抛光钕铁硼材料的方法,通过将待处理的钕铁硼材料进行粗磨处理;对经粗磨处理后的所述钕铁硼材料进行精磨处理,去除所述钕铁硼材料在所述粗磨处理过程的产生的腐蚀以及精整表面;对经精磨处理后的所述钕铁硼材料进行上光处理,得到研磨抛光钕铁硼材料,对钕铁硼倒角要求较低,钕铁硼的磨损量较少,对磁体的磁性能没有影响,同时对环境没有造成任何污染,产品尺寸精度比电镀样品研磨工艺要高,磕碰少,产品的合格率高。

专业人员应该还可以进一步意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以用硬件、处理器执行的软件模块,或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(ram)、内存、只读存储器(rom)、电可编程rom、电可擦除可编程rom、寄存器、硬盘、可移动磁盘、cd-rom、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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