一种预溅射装置以及溅射设备的制作方法

本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种预溅射装置以及溅射设备。

背景技术：

常见的溅射工艺一般是通过如下方式来实现的：一定能量的等离子体轰击靶材，将等离子体的能量转移给靶材表面的原子或分子，这些原子或分子获得足够大的能量后逸出靶材表面并淀积在基板上。溅射靶材放置时间过长时，表面会产生一层氧化物，导致溅射产物不纯，因此需要进行预溅射来消除这一氧化物对产品带来的影响。

现有技术通常采用玻璃基板作为预溅射基板。半导体工艺中经常需要溅射金属膜层，金属膜层成膜过程中容易对基板产生较大应力。而玻璃是一种脆性材料，受到应力作用时，容易破裂。所以，通常预溅射用的玻璃基板使用一次就需报废，造成很大的成本浪费。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供一种预溅射装置，解决现有预溅射基板成本高问题。

为实现上述目的，本实用新型实施例采用下述技术方案：

一种预溅射装置，包括第一底座和安装至所述第一底座的预溅射基板，所述预溅射基板为陶瓷基板。

在一实施例中，所述预溅射基板为氧化铝基板或氧化锆基板。

在一实施例中，所述预溅射装置还包括盖板，所述盖板活动连接所述第一底座，且所述盖板与所述第一底座形成收容腔，所述预溅射基板收容于所述收容腔内。

在一实施例中，所述预溅射装置还包括旋转台，所述旋转台包括固定部以及旋转连接至所述固定部的旋转部，所述第一底座安装至所述旋转部。

在一实施例中，所述第一底座铰接于所述旋转部。

在一实施例中，所述第一底座铰接于所述旋转部的边沿。

一种溅射设备，包括：工艺腔室、上述预溅射装置以及用于安装溅射基板的第二底座，所述预溅射装置以及第二底座位于所述工艺腔室内。

在一实施例中，所述预溅射装置还包括旋转台，所述旋转台包括固定部以及旋转连接至所述固定部的旋转部，所述第二底座安装至所述旋转部。

在一实施例中，所述第二底座铰接于所述旋转部。

在一实施例中，所述旋转台包括相对的两个边沿，所述第一底座和第二底座分别安装至所述旋转部一个边沿。

本实用新型实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

与现有技术相比，本实用新型提供的预溅射装置，包括第一底座和安装至所述第一底座的预溅射基板，所述预溅射基板为陶瓷基板。陶瓷基板耐压能力强，可以进行多次预溅射，多次预溅射之间无须更换，可节省用于购买预溅射基板的费用，大大降低了生产成本。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型较佳实施例中溅射设备处于闲置状态的示意图；

图2为图1所示溅射设备处于预溅射状态的示意图；

图3为图1所示溅射设备处于溅射状态的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1至图3所示，本实施例提供一种溅射设备，包括：预溅射装置1、第二底座2、工艺腔室3以及靶材4，预溅射装置1、第二底座2以及靶材4位于工艺腔室3内。预溅射装置1，包括第一底座11、安装至第一底座11的预溅射基板12、活动连接第一底座11的盖板13以及安装有第一底座11的旋转台14。第二底座2用于安装工艺基板S。工艺腔室3可进行抽真空处理，使得溅射在真空环境下进行。靶材4是在基板上形成各种功能薄膜的溅射源，更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。具体地，本实施例溅射设备为一磁控溅射设备，当然也可以为直流溅射设备、射频溅射设备或反应溅射设备等，这里不做限制。

本实施例中，第一底座11在预溅射时为预溅射基板12进行定位，具体在预溅射时，第一底座11定位于面对靶材4的位置，使得安装于第一底座11上的预溅射基板12朝向靶材4，进而实现靶材4朝向预溅射基板12进行预溅射。

预溅射基板12为陶瓷基板，陶瓷基板耐压能力强，可以进行多次预溅射，多次预溅射之间无须更换，可节省用于购买预溅射基板的费用，大大降低了生产成本，同时在进行多次预溅射后还可以进行清洗，然后再次循环使用，进一步降低成本。

本实施例中，预溅射基板12优选氧化铝基板或氧化锆基板，首先，氧化铝或氧化锆具有优良的耐压能力，进行多次预溅射也不会碎裂；其次，氧化铝或氧化锆不易发尘，表面发尘量低，进而使得镀膜工艺过程中不易因粉尘等杂质引入而影响镀膜质量；并且，氧化铝或氧化锆耐高温性能强，可适应较高的工艺溅射温度，使得工艺应用范围更加广泛。

盖板13与第一底座11形成一个收容腔(未标号)，预溅射基板12收容于收容腔内。盖板13与第一底座11活动连接，使得二者形成的收容腔可进行开合。当进行预溅射工作时，第一底座11定位于面对靶材4的位置，盖板13打开，露出收容在收容腔内的预溅射基板12；而当预溅射结束后或预溅射装置1闲置时，盖板13关闭，这样可以在不进行预溅射工作时，防止放置于收容腔内的预溅射基板12表面吸附杂质颗粒而降低预溅射基板12表面洁净度，进而防止溅射过程中引入杂质污染，保证溅射产品的质量。

旋转台14包括固定部141以及旋转连接至固定部141的旋转部142。固定部141固定连接于工艺腔室3内，并且为旋转部142提供支撑。旋转部142以固定部141为转动轴进行旋转，第一底座11和第二底座2均安装至旋转部142，所以第一底座11和第二底座2可随142一起相对固定部141转动，当进行预溅射工作时，参考图2，第一底座11随旋转部142转至溅射工艺位置，使得安装至第一底座11的预溅射基板12朝向靶材4，而当进行正式溅射工作时，参考图3，第二底座2随旋转部142转至溅射工艺位置，使得安装至第二底座2的工艺基板S朝向靶材4，旋转台14使得溅射设备可以很方便地在预溅射模式和溅射模式之间转换，当然本实用新型其他实施例也可以不设置旋转14，而是手动切换预溅射模式和溅射模式，这里不以此为限。

同时本实施例第一底座11和第二底座2均铰接于旋转部142的相对的两边沿，具体地，旋转部142包括旋转本部1421以及形成在旋转本部1421相对的两边沿上的两连接部1422，本实施例第一底座11和第二底座2分别通过一个转轴R与一个连接部1422连接，进而实现与旋转部142的铰接，当然其他实施例也可采用其他铰接方式，或者第一底座11和第二底座2也可以固定连接至旋转部142。通过与旋转部142铰接，第一底座11可以在进行预溅射工作时带动预溅射基板12一起竖起，即平行于靶材4放置(参考图2)，而在非预溅射工作时平放，即平行于旋转部142放置(参考图3)。同理，第二底座11可以在进行正式溅射工作时带动工艺基板S竖起，即平行于靶材4放置(参考图3)，而在溅射工作时平放，即平行于旋转部142放置(参考图2)。

本实施例两连接部1422高度优选具有一定的高度差，进而使得连接在相对设置的两连接部1422上的第一底座11和第二底座2在非工作状态时，可以同时处于平放状态(参考图1)。当然其他实施例两连接部1422高度也可以相同，甚至可以无连接部1422，又或者可以有多个连接部1422连接多个第一底座11或第二底座2，旋转部142连接多个第一底座11或第二底座2时，可使得进行多次预溅射或者溅射之间尽量减少打开工艺腔室3更换基板的次数，使得抽好真空的工艺腔室3保持真空度，进行多次溅射，提高工作效率。

综上所述，与现有技术相比，本实施例提供的预溅射装置，包括第一底座11和安装至第一底座11的预溅射基板12，预溅射基板12为陶瓷基板。陶瓷基板耐压能力强，可以进行多次预溅射，多次预溅射之间无须更换，可节省用于购买预溅射基板的费用，大大降低了生产成本。

以上所述仅为本实用新型的实施例而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。