MOCVD设备的反应装置及MOCVD设备的制作方法

本实用新型涉及化学气相沉积设备，尤其涉及一种MOCVD设备的反应装置及MOCVD设备。

背景技术：

在砷化镓太阳能电池的生产过程中，要在电池的基片上形成金属聚合物膜层，就需要MOCVD设备。图1为现有技术中MOCVD设备的反应装置的结构示意图，如图1所示，该反应装置包括反应腔体100、气体喷淋板200、基片载板300以及基片载板下面的光源加热器400。该反应装置在工作时，工艺气体通过气体入口500进入到反应腔体100内部，气体喷淋板200喷向基片载板300上的电池基片表面，同时通过下面的光源加热器400使基片载板300和基片载板300上的电池基片达到工艺温度，气体反应后在电池基片上沉积形成金属聚合物膜层。

图2为现有技术中光源加热器与基片载板之间的位置关系图，如图2所示，光源加热器400在基片载板300下方固定不动，有的反应装置在光源加热器400的四周会安装有屏蔽板。在太阳能电池片的生产线上，装好电池基片的基片载板300由反应装置的外部流入到反应腔体100的内部，反应完成后再流出，为了留出基片载板300的运动空间，光源加热器400或者屏蔽板与基片载板300之间存在明显的间隙，这样带来的问题有：1.经过长时间的运行，反应形成的沉积物会逐渐落在光源加热器400上，影响光源加热器400的工作效率以及使用寿命；2.光源加热器400的辐射热量，会有一部分通过四周的间隙散出，导致加热功率利用率降低。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种MOCVD设备的反应装置及MOCVD设备，以解决现有技术中的问题，提高光源加热器的工作效率，延长光源加热器的工作寿命。

本实用新型提供了一种MOCVD设备的反应装置，包括基片载板和光源加热器，所述光源加热器设置在所述基片载板的下方，其中，所述反应装置还包括：

承载部，在反应加热时所述承载部与所述基片载板共同形成封闭空间，所述光源加热器设置在所述封闭空间内。

优选地，所述承载部包括加热器载板和挡板，所述加热器载板与所述基片载板平行；

所述挡板与所述加热器载板相互垂直，且位于所述加热器载板的周侧；

所述挡板的第一端与所述加热器载板固定连接，所述挡板的第二端在反应加热时与所述基片载板之间固定连接；

所述加热器载板、所述挡板和所述基片载板在反应加热时围成所述封闭空间；

所述光源加热器设置在所述加热器载板上。

优选地，所述挡板的第二端与所述基片载板之间通过嵌合结构固定连接。

优选地，所述嵌合结构包括设置在所述挡板的第二端的端部的凸起和设置在所述基片载板底部的凹槽；

所述凸起能嵌入在所述凹槽内。

优选地，所述嵌合结构包括设置在所述挡板的第二端的端部的凹槽和设置在所述基片载板底部的凸起；

所述凸起能嵌入在所述凹槽内。

优选地，所述反应装置还包括升降机构，所述升降机构设置在所述承载部的底部，用于驱动所述承载部升降；

所述升降机构驱动所述承载部升起时，所述承载部与所述基片载板之间形成所述封闭空间。

本实用新型还提供了一种MOCVD设备，其中，包括本实用新型提供的反应装置。

本实用新型实施例提供的MOCVD设备的反应装置及MOCVD设备通过设置承载部，使其与基片载板之间形成封闭空间，避免了反应沉积物落在光源加热器的表面，保持光源加热器长久的正常工作，延长了光源加热器的工作寿命。另外，设置了封闭空间之后，避免了光源加热器的辐射热量的外散，提高了光源加热器的工作效率。

附图说明

图1为现有技术中MOCVD设备的反应装置的结构示意图；

图2为现有技术中光源加热器与基片载板之间的位置关系图；

图3为本实用新型实施例一提供的MOCVD设备的反应装置的结构示意图；

图4为本实用新型实施例二提供的MOCVD设备的反应装置的结构示意图。

附图标记说明：

现有技术：

100-反应腔体200-气体喷淋板300-基片载板400-光源加热器500-气体入口

本实用新型：

1-承载部11-加热器载板12-挡板13-嵌合结构2-封闭空间3-基片载板4-光源加热器5-升降机构

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。

实施例一

图3为本实用新型实施例一提供的MOCVD设备的反应装置的结构示意图，如图3所示，本实用新型实施例一提供了一种MOCVD设备的反应装置，包括基片载板3和光源加热器4，其中，基片载板3和光源加热器4的结构和构造与现有技术中的基片载板3和光源加热器4相同，在此不再赘述。

光源加热器4设置在基片载板3的下方，用于对基片载板3上的电池基片进行加热。本实施例提供的反应装置还包括承载部1，该承载部1在反应加热时与基片载板3共同形成封闭空间2，光源加热器4设置在该封闭空间2内。

本实用新型实施例一提供的MOCVD设备的反应装置通过设置承载部1，使其与基片载板3之间形成封闭空间2，避免了反应沉积物落在光源加热器4的表面，保持光源加热器4长久的正常工作，延长了光源加热器4的工作寿命。

另外，设置了封闭空间2之后，避免了光源加热器4的辐射热量的外散，提高了光源加热器4的工作效率。

承载部1的结构形式可以有多种，一种实现方式是：承载部1包括加热器载板11和挡板12，加热器载板11可以是板状结构，与基片载板3平行，位于基片载板3的下方。挡板12与加热器载板11相互垂直，且位于加热器载板11的周侧，呈立置的状态。优选的是，挡板12与加热器载板11相垂直，挡板12的第一端与加热器载板11固定连接，挡板12的第二端在反应加热时与基片载板3之间固定连接。上述加热器载板11、挡板12和基片载板3在反应加热时围成上述封闭空间2，光源加热器4设置在加热器载板11上。

上述结构中，承载部1由加热器载板11和挡板12组成，挡板12将加热器载板11的四周围起来，与基片载板3共同形成了封闭空间2，避免了反应沉积物落在光源加热器4的表面。

本领域技术人员可以理解的是，挡板12也可以与加热器载板11为一体成型，在此不作进一步的限定。

进一步地，挡板12的第二端与基片载板3之间可以通过嵌合结构13固定连接。在需要反应加热时，将挡板12的第二端与基片载板3之间嵌合固定，形成封闭空间2。

本实施例一中，嵌合结构13包括设置在挡板12的第二端的端部的凸起和设置在基片载板3底部的凹槽，凸起能嵌入在凹槽内。

在上述实施例的基础上，反应装置还包括升降机构5，升降机构5设置在承载部1的底部，用于驱动承载部1升降。升降机构5驱动承载部1升起时，承载部1与基片载板3之间形成封闭空间2。升降机构5可以有多种实现方式，例如利用连杆机构、齿轮齿条传动机构或丝杠机构等均可。

MOCVD设备在工作时，基片载板3由外到内就位后，升降机构5驱动承载部1带动光源加热器4升起，挡板12的凸起进入基片载板3的凹槽，并使基片载板3的凹槽压在挡板12的凸起上。这样基片载板3和加热器载板11之间形成了封闭空间2，反应沉积物不会落在光源加热器4上，而且辐射热量不会外散。反应结束后，升降机构5驱动承载部1带动光源加热器4下降，基片载板3流出。

本实用新型实施例一还提供了一种MOCVD设备，包括本实用新型任意实施例提供的反应装置。

实施例二

图4为本实用新型实施例二提供的MOCVD设备的反应装置的结构示意图，如图4所示，本实用新型实施例二提供了一种MOCVD设备的反应装置，与实施例一不同的是，嵌合结构13包括设置在挡板12的第二端的端部的凹槽和设置在基片载板3底部的凸起，凸起能嵌入在凹槽内。

MOCVD设备在工作时，基片载板3由外到内就位后，升降机构5驱动承载部1带动光源加热器4升起，挡板12的凹槽上升与基片载板3的凸起配合，并使挡板12的凹槽压在基片载板3的凸起上。这样基片载板3和加热器载板11之间形成了封闭空间2，反应沉积物不会落在光源加热器4上，而且辐射热量不会外散。反应结束后，升降机构5驱动承载部1带动光源加热器4下降，基片载板3流出。

以上依据图式所示的实施例详细说明了本实用新型的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，但本实用新型不以图面所示限定实施范围，凡是依照本实用新型的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本实用新型的保护范围内。