1.本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种半导体的切割方法。
背景技术：
2.随着半导体产业的发展，半导体元器件的尺寸越来越小。这对半导体切割提出了更加严格的要求，当前的单叶片的切割工艺，即使采用很小很薄的刀片，也容易造成半导体元器件的边缘的破碎，从而导致半导体损坏。
技术实现要素：
3.本发明实施例的目的是提供一种半导体的切割方法，其能够避免现有技术采用单叶片的切割工艺造成半导体损坏的问题。
4.为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体的切割方法，所述半导体的切割方法使用半导体多重切割刀片对半导体进行切割；其中，所述半导体多重切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。
5.作为优选方案，所述大砂层的磨粒的平均直径为200-300um,所述细砂层的磨粒的平均直径20-30um。
6.作为优选方案，所述大砂层包括金刚石、c-bn、cr-n和tin，所述大砂层的磨粒为金刚石。
7.作为优选方案，所述大砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例为1:9。
8.作为优选方案，所述细砂层包括金刚石、c-bn、cr-n和tin，所述细砂层的磨粒为金刚石。
9.作为优选方案，所述细砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例为3:7。
10.作为优选方案，所述细砂层的密度为12-20g/立方厘米，所述大砂层的密度为8-20g/立方厘米。
11.作为优选方案，所述大砂层的平均厚度为0.8-1.0mm。
12.作为优选方案，所述细砂层的厚度为0.1-0.15mm。
13.相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：本发明实施例提供了一种半导体的切割方法，所述半导体的切割方法使用半导体多重切割刀片对半导体进行切割；其中，所述半导体多重切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。在本发明实施例中，大砂层相对粗糙，因而可以提高速率，刀片进给速度快，能保持刀片的刚性，细砂层的设计使得切割后的半导体侧壁变得光滑，大砂层和细砂层的配合能够确保半导体获得良好的切割效果，从而避免了现有技术采用单叶片的切割工艺造成半导体损坏的问题。
附图说明
14.图1是本发明实施例中的半导体多重切割刀片的结构示意图；
15.其中，1、大砂层；2、细砂层.
具体实施方式
16.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
17.请参阅图1所示，其是本发明实施例中的半导体多重切割刀片的结构示意图。
18.本发明实施例的半导体的切割方法使用半导体多重切割刀片对半导体进行切割；其中，所述半导体多重切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。
19.在本发明实施例中，半导体的切割方法使用半导体多重切割刀片对半导体进行切割；其中，所述半导体多重切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。在本发明实施例中，大砂层相对粗糙，因而可以提高速率，刀片进给速度快，能保持刀片的刚性，细砂层的设计使得切割后的半导体侧壁变得光滑，大砂层和细砂层的配合能够确保半导体获得良好的切割效果，从而避免了现有技术采用单叶片的切割工艺造成半导体损坏的问题。
20.在一种可选的实施方式中，所述大砂层的磨粒的平均直径为200-300um,所述细砂层的磨粒的平均直径20-30um。示例性地，所述大砂层的磨粒的平均直径例如可以是200um、205um、210um、215um、220um、225um、230um、235um、240um、245um、250um、255um、260um、265um、270um、275um、280um、285um、290um、295um、300um等，当然，所述大砂层的磨粒的平均直径还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。示例性地，所述细砂层的磨粒的平均直径例如可以是20um、21um、22um、23um、24um、25um、26um、27um、28um、29um、30um等，当然，所述大砂层的磨粒的平均直径还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。
21.在一种可选的实施方式中，所述大砂层包括金刚石、c-bn、cr-n和tin，所述大砂层的磨粒为金刚石。在具体实施当中，通过将金刚石、c-bn、cr-n和tin的混合制成大砂层，当然，也可以根据实际使用要求添加其他材料，在此不做更多的赘述。示例性地，所述大砂层的密度为8-20g/立方厘米，例如可以是8g/立方厘米、9g/立方厘米、10g/立方厘米、11g/立方厘米、12g/立方厘米、13g/立方厘米、14g/立方厘米、15g/立方厘米、16g/立方厘米、17g/立方厘米、18g/立方厘米、19g/立方厘米、20g/立方厘米等，当然，所述大砂层的密度还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。如果所述大砂层的密度大于20g/立方厘米，则容易产生破损；如果大砂层的密度小于8g/立方厘米，则强度偏低，刀具偏软。
22.在一种可选的实施方式中，所述大砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例为1:9。所述细砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例为3:7。如果所述大砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例远低于上述指标，就会意味着切割速率太快；
若所述大砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例远高于上述指标，则会出现打滑现象。
23.在一种可选的实施方式中，所述细砂层包括金刚石、c-bn、cr-n和tin，所述细砂层的磨粒为金刚石。在具体实施当中，通过将金刚石、c-bn、cr-n和tin的混合制成细砂层，当然，也可以根据实际使用要求添加其他材料，在此不做更多的赘述。所述细砂层的密度为12-20g/立方厘米，例如可以是12g/立方厘米、13g/立方厘米、14g/立方厘米、15g/立方厘米、16g/立方厘米、17g/立方厘米、18g/立方厘米、19g/立方厘米、20g/立方厘米等，当然，所述细砂层的密度还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述；如果细砂层的密度小于12g/立方厘米，则强度偏低，刀具偏软。
24.在一种可选的实施方式中，所述细砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例为3:7。如果所述细砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例远低于上述指标，就会意味着切割速率太快。反之，如果所述细砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例远高于上述指标，则会出现打滑现象。
25.在一种可选的实施方式中，所述大砂层的平均厚度为0.8-1.0mm，例如可以是0.8mm、0.81mm、0.82mm、0.83mm、0.84mm、0.85mm、0.86mm、0.87mm、0.88mm、0.89mm、0.9mm、0.91mm、0.92mm、0.93mm、0.94mm、0.95mm、0.96mm、0.97mm、0.98mm、0.99mm、1.0mm等，当然，所述大砂层的平均厚度也可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。
26.在一种可选的实施方式中，所述细砂层的厚度为0.1-0.15mm，例如可以是0.1mm、0.11mm、0.12mm、0.13mm、0.14mm、0.15mm等，当然，所述细砂层的厚度也可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。
27.在本发明实施例中，细砂层的设计能使切割表面光洁，大砂层的中心层能保持刀片的刚性。多层刀片，可以获得较小的切屑/裂纹，从而获得较好的切割表面粗糙度。
28.分别采用传统的单叶片刀片和本实施例的半导体多重切割刀片对半导体进行切割，作业条件对比结果如表1所示。
29.表1
30.作业条件传统的单片本实施例的半导体多重切割刀片刀宽0.5mm0.9-1.15mm刀片切割深度刀片深入大于5mm刀片深入1-2mm之间进给速率2(mm/sec)350-450(mm/sec)主轴转数10000rpm12000-15000rpm
31.由表1可以看出，相比于采用传统的单叶片刀片，采用本实施例的半导体多重切割刀片对半导体进行切割的作业条件放宽了，更加容易进行操作，而且能够提高劳动生产率。
32.相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：本发明实施例提供了一种半导体的切割方法，所述半导体的切割方法使用半导体多重切割刀片对半导体进行切割；其中，所述半导体多重切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。在本发明实施例中，大砂层相对粗糙，因而可以提高速率，刀片进给速度快，能保持刀片的刚性，细砂层的设计使得切割后的半导体侧壁变得光滑，大砂层和细砂层的配合能够确保半导体获得良好的切割效果，从而避免了现有技术采用单叶片的切割工艺造成半导体损坏的问题。
33.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以作出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。