于应用灯头145可或不可接触于下部结构114。关于图2A图与2B 的灯头145的进一步的描述包含于下。
[0027] 环形屏蔽167可选择性地设置于基板支撑座106附近且耦接于腔室主体101的侧 壁。环形屏蔽167防止或极小化从电灯102至基板108的组件侧116的热/光噪声的泄漏， 此外提供用于处理气体的预热区。环形屏蔽167可由化学气相沉积的碳化硅（CVDSiC)、烧 结石墨涂覆的碳化硅、生成的碳化硅、不透明的石英、涂覆的石英，或任何类似的合适的材 料所制得，合适的材料可耐处理且耐净化气体所致的化学分解。
[0028] 传统上，基板温度使用通过在灯头145内的端口观看的一个或更多个高温计（未 示）而由基板支撑座的底部的高温测量所推断。通过技术所为的测温可需要对反射电灯辐 射进行校正，特别是在低基板温度时，且需要从基板支撑座温度推断基板温度的技术。由于 具有环形屏蔽167且由于基板108仅由基板支撑座106由背侧加热，一个或更多个光学高 温计（其一示为118)可被使用于基板的温度测量/控制。前述温度测量是可能的，因为光 学高温计118可在来自电灯102的极小背景辐射直接到达光学高温计118的情况下只感测 来自热基板108的辐射。
[0029] 反射器122可选择性地被置于上部结构128的外部以将从基板108辐射离开的红 外光反射返回至基板108。反射器122可具有面对上部结构128的反射表面123。反射器 122可使用锁紧圈130而固定于上部结构128。反射器122可由金属（例如铝或不锈钢） 所制成。从反射器122反射的效率可通过在反射表面123的至少一部分上涂覆高反射涂层 (例如金）而改良。反射器122可具有一个或更多个加工通道149(如图2A所示）。通道 126连接至形成于反射器122 -侧上的通路（未示）。该通路被配置成携带液体流（例如 水）且可以以覆盖反射器122表面的一部分或整体的任何所期望的图案而沿着反射器122 的该侧水平地运行以冷却反射器122。上部结构128也可具有形成于反射器122与上部结 构128之间的通路（未示）。通路可接收液体（例如冷却剂）以冷却上部结构128。
[0030] 从处理气体供应源172所供应得处理气体通过形成于基座环136的侧壁的处理气 体进气口 174而被引入处理气体区域156。处理气体进气口 174被配置成以一般性辐射向 内方向引导处理气体。在薄膜形成工艺期间，基板支撑座106位于处理位置内（邻近于处 理气体进气口 174且在与处理气体进气口 174约相同的高度上）允许处理气体向上流且沿 流体路径173围绕而横跨基板108的第一表面。处理气体通过正如处理气体进气口 174般 位于处理腔室100的对侧上的气体出气口 178而排出于处理气体区域156 (沿着流体路径 175)。通过气体出气口 178而将处理气体移除可由耦接于气体出气口 178的真空栗180而 促进。当处理气体进气口 174与气体出气口 178彼此准直且设置于几近于相同高度时，可 确信的是这样的平行布局（当与较平坦上部结构128相结合时（将于以下详述））将致使 一般平面的、均匀的气体流横过基板108。进一步的辐射均匀性可通过经由基板支撑座106 旋转基板108加以提供。
[0031] 由净化气体源162所供应的净化气体可通过形成于基座环136的侧壁的净化气 体进气口 164而被引入净化气体区域158。净化气体进气口 164被设置在处理气体进气口 174之下的高度上。若使用环形屏蔽167,环形屏蔽167可设置于处理气体进气口 174与净 化气体进气口 164之间。在任一情况下，净化气体进气口 164被配置成以一般性辐射向内 方向引导净化气体。若有期望，净化气体进气口 164被配置成以一般性辐射向上方向引导 净化气体。在薄膜形成处理期间，基板支撑座106位于一位置使得净化气体向下流且沿流 体路径165围绕而横跨基板支撑座106的背侧104。在不受限于任何特定理论下，相信净 化气体的流动能保护或实质上防止处理气体流进入净化气体区域158,或减少处理气体扩 散进入净化气体区域158 (即在基板支撑座106下的区域）。净化气体从净化气体区域158 排出（沿着气体路径166)且透过如净化气体进气口 164般位于处理腔室100的对侧的气 体出气口 178而从处理腔室排空。
[0032] 示例件灯头
[0033] 图2A与图2B是根据一个实施方式的灯头145的示意性绘示图。图2A表示根据 一个实施方式的具有灯头145的下部结构114以及印刷电路板152的截面视图。正如将于 下所描述，电灯组件220可附接于具有吸收性涂层230的灯头145。吸收性涂层230可通 过吸收来自腔室的一个或更多个部件的辐射以协助热从腔室耗散。电灯组件220以及灯头 145为灯头组件的一部分且位于其他部件（例如反射器（未示））旁边。图2B表示根据一 个实施方式的灯头145的俯视图。正如前述，下部结构114可被形成为一般的圆形、浅马提 尼（martini)酒杯或具有中心开口 202漏斗的形状。电灯组件220以指定的、优化的所期 望的方式设置成邻近于下部结构且位于下部结构114之下而围绕中心轴（例如图1的中心 轴132)。电灯组件220与灯头145 -起使用以独立地控制基板不同区域的温度。
[0034] 图2A绘示下部结构114、灯头145以及一个或更多个灯头组件220与PCB152连 接的情况。为求清楚而并未描述某些元件的情况对在所属技术领域技术人员而言是能理解 的。PCB152可为任何设计成用以控制将功率分配至一个或更多个电灯组件220的标准电 路板。PCB152可进一步包含一个或更多个连接插槽212 (在此示出为六个连接插槽，用于 与所述一个或多个电灯组件220相连接）。即便在此示出六个电灯组件220,任何数量的电 灯组件220可合并于在此所述的实施方式。即便PCB152在此被绘示成平坦的，PCB可根 据处理腔室的需求而加以形塑。在一个实施方式中，PCB板被置成平行于灯头145。
[0035] -个或更多个电灯组件220中的每一者一般而言包含电灯灯泡222以及电灯基座 223。电灯灯泡222可为能够加热基板且将基板维持在指定温度的电灯，例如卤素灯、红外 线灯等，以及其适于作为加热装置的类似装置。即便所述包含灯泡222及电灯基座223, 一 个或更多个实施方式可包含取代灯泡222、电灯基座223或上述两者组合的辐射产生源。辐 射产生源为能够产生用于加热基板的辐射的任何装置，例如具有白炽灯丝的灯泡、含有辐 射气体的灯泡，或固态辐射源（例如LED或激光二极管）。在所属技术领域技术人员将理解 会有辐射产生源的不同组合，辐射产生源可以用来代替或与灯泡222或电灯基座223结合 而不背离此处所描述的实施方式。
[0036] 下部结构114可由半透明材料（例如石英）所组成且可包含一个或更多个上述与 下部结构114相关的元件，例如漏斗状的形状。下部结构的厚度可介于4与6毫米（mm)之 间。灯头145可置于下部结构114之下且极为邻近于下部结构114。在一个实施方式中，灯 头145与下部结构114相距几近1毫米。
[0037] 灯头145可具有第一表面214及第二表面216。灯头145可为单一整体的。再者， 灯头145可由导电材料所组成，例如铜或铝。灯头145具有能确保电灯灯泡222的特定位 置与方向的多个固定电灯位置204。灯头145可具有多如四百或更多个固定电灯位置204。 固定电灯位置204可在多个同心圆方向或其他走向内。固定电灯位置204在当孔洞从内径 延伸至外径时可增加深度。另一种方式，灯头外径的厚度可较内径厚。固定电灯位置204 可为灯头145内的钻孔。在一个实施方式中，电灯基座223被灯头145以固定方向定向而 加以固定且由灯头145加以冷却。
[0038] 电灯组件220以及连接插槽212以一组六个示出，这个数目并不旨在进行限制。当 每一者需要更多或更少以维持适当基板温度时，每一者可有更多或更少。再者，重要的是理 解三维结构的侧视图。如此，即便部件似乎以线性方式配置，任何位置或位置的组合皆是可 能的。举例而言，在圆形PCB152上，电灯组件220可被置于被定位于X和Y轴两者的3厘 米（cm)的间隔上，从而填充所述圆。在所属技术领域中技术人员将理解会有此实施方式的 许多变型。
[0039] 图2B绘示根据一个实施方式的灯头145的俯视图。灯头145可具有锥形的形状。 再者，灯头145的形状可实质上匹配于下部结构114的形状。灯头145具有第一表面214与 第二表面216。第一表面设置成邻近于下部结构114。第二表面216正对于第一表面214。 第一表面214可实质为均匀。
[0040] 第一表面214可进一步具有一个或更多个粘附性增强构造，例如微研磨、底涂覆 或底层涂料（primer)(未示）。粘附性增强构造可增强用于设置于第一表面214上的膜层 的粘附性。第一表面214或灯头145可实质上平行于基座106或基板108。
[0041] 第一表面214具有设置于第一表面214上的吸收性涂层230。吸收性涂层230可 为能够吸收辐射的任何涂层。在一个实施方式中，吸收性涂层230为炭黑颜料或包含石 墨在内的组合物