大小、周期时间(cycle time)，考虑射出成形机与成膜装置的组合即可。
[0055]其次，将开闭部12配置于闭锁位置，将腔室10内减压到0.1帕斯卡至小于I帕斯卡的中度真空。此时，由于使用最大排气速度为每秒300公升以上的涡轮分子栗37，因此能够以20秒左右的时间将腔室10内减压到0.1帕斯卡至小于I帕斯卡的中度真空。此外，视需要在借由涡轮分子栗37进行减压前，使用干式栗(dry pump)等辅助栗38，以高速进行减压至100帕斯卡左右。
[0056]其次，借由将开闭阀31打开，而自惰性气体的供给部33对腔室10内供给氩气等惰性气体，以使腔室10内的真空度成为0.5帕斯卡?3帕斯卡的方式，以惰性气体充满腔室10内。然后，自直流电源41对溅镀电极23赋予直流电压。借此，利用溅镀现象而在工件W的表面形成靶材料22的薄膜。
[0057]在该溅镀步骤中，以相对于溅镀电极23中的靶材料22的表面积，成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式，自直流电源41对溅镀电极23施加直流电压。借此，即便在腔室10内为中度真空的情形时，亦在树脂制造的工件W的表面较佳地成膜靶材料22的薄膜。例如，在对树脂制造的工件W执行利用铝的成膜的情形时等，可较佳地成膜具有高反射率且具有高密接性的薄膜。
[0058]此外，亦可在执行以上的溅镀步骤前，借由在工件W未配置于腔室内的状态下，执行与上述派镀步骤相同的预派镀(presputtering)步骤，而去除附着于革E电极23的水分及绝缘物等。
[0059]若借由以上步骤完成利用溅镀的成膜，则继续执行利用等离子体聚合的成膜。该等离子体聚合为等离子体CVD(Chemical Vapor Deposit1n)的一种。在执行等离子体聚合的情形时，如图1中实线所示，将载置于工件载置部13的工件W配置于腔室10内的与CVD电极24对向的位置。另外，如图1及图2中假想线所示，将挡板51配置于借由与溅镀电极23抵接而覆盖靶材料22的抵接位置。在该状态下，如图9所示，挡板51借由气缸61中的滑销62而被支撑。另外，如图6所不，气缸53的活塞杆54成为收纳于气缸53的本体内的收缩状态。
[0060]在该状态下，借由将开闭阀34打开，而自原料气体的供给部36对腔室10内供给原料气体，以使腔室10内的真空度成为0.1帕斯卡?10帕斯卡的方式，以原料气体充满腔室10内。然后，借由自高频电源45经由匹配箱46对CVD电极24赋予高频电压，而执行利用等离子体聚合的成膜。借此，借由等离子体聚合反应而使原料气体的薄膜沉积于工件W的表面。
[0061]若完成利用等离子体聚合的成膜，则将腔室10内进行通风。此时，借由将开闭阀81打开，而自干燥空气的供给部83对腔室10内供给干燥空气，借此，借由干燥空气而将腔室10内进行通风。借此，可防止空气中所包含的水分附着于腔室内，从而可缩短下次成膜处理时的真空排气时间。
[0062]然后，将开闭部12配置于搬入搬出位置后，使工件载置部13移动，将载置于工件载置部13上的成膜完成后的工件W自腔室23内搬出而结束一个周期的处理。
[0063]此外，在上述实施方式中，对将本发明应用于在同一腔室10内连续地执行利用溅镀的成膜与利用等离子体CVD的成膜的成膜装置的情形进行了说明，但亦可将本发明应用于仅执行利用溅镀的成膜的成膜装置。
[0064]【主要元件符号说明】
[0065]10:腔室
[0066]11:本体
[0067]12:开闭部
[0068]13:工件载置部
[0069]19:接地部
[0070]21:电极部
[0071]22:靶材料
[0072]23:溅镀电极
[0073]31:开闭阀
[0074]32:流量调整阀
[0075]33:惰性气体的供给部
[0076]34:开闭阀
[0077]35:流量调整阀
[0078]36:原料气体的供给部
[0079]37:涡轮分子栗
[0080]38:辅助栗[0081 ] 39:开闭阀
[0082]41:直流电源
[0083]45:高频电源
[0084]46:匹配箱
[0085]48:开闭阀
[0086]49:开闭阀
[0087]51:挡板
[0088]81:开闭阀
[0089]82:流量调整阀
[0090]83:干燥空气的供给部
[0091]W:工件
【主权项】
1.一种成膜装置，其对树脂制造的工件执行利用溅镀的成膜，其特征在于包括: 腔室，收纳工件； 减压单元，将上述腔室内减压至0.1帕斯卡以上且小于1.0帕斯卡的压力； 惰性气体供给部，对上述腔室内供给惰性气体； 溅镀电极，包括靶材料，且配设于上述腔室内；以及 直流电源，以相对于上述靶材料的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式，对上述溅镀电极施加直流电压。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其进而包括气体供给部，上述气体供给部对上述腔室内供给露点为摄氏零度以下的气体。3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中 上述减压单元具有最大排气速度为每秒300公升以上的涡轮分子栗。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的成膜装置，其进而包括: 化学蒸气沉积电极，配设于上述腔室内； 高频电源，对上述化学蒸气沉积电极施加高频电压； 原料气体供给部，对上述腔室内供给原料气体；以及 挡板，可在借由与上述溅镀电极抵接而覆盖上述靶材料的抵接位置、与离开上述溅镀电极的退避位置之间移动。5.—种成膜装置，其对树脂制造的工件执行利用溅镀的成膜，其特征在于包括: 搬入步骤，将经射出成型的树脂制造的工件自射出成形机搬入腔室内； 减压步骤，将上述腔室内减压至0.1帕斯卡以上且小于1.0帕斯卡的压力； 惰性气体供给步骤，对上述腔室内供给惰性气体； 直流电压施加步骤，对于包括靶材料且配设于上述腔室内的溅镀电极，以相对于上述靶材料的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式，对上述溅镀电极施加直流电压； 通风步骤，将上述腔室内通风至成为大气压；以及 搬出步骤，将成膜完成后的工件自上述腔室内搬出。6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中 在上述通风步骤中，对上述腔室内供给露点为摄氏零度以下的气体。7.根据权利要求5所述的成膜方法，其中 在上述减压步骤中，以每秒300公升以上的排气速度自上述腔室内进行排气。8.根据权利要求5至7中任一权利要求所述的成膜方法，其中 在上述直流电压施加步骤后且上述通风步骤前，进而包括: 挡板配置步骤，借由挡板而覆盖上述靶材料； 原料气体供给步骤，对上述腔室内供给原料气体；以及 高频施加步骤，对配设于上述腔室内的化学蒸气沉积电极施加高频电压。
【专利摘要】此成膜装置具备包含电极部21及靶材料22的溅镀电极23。作为直流电源41，使用能够以相对于靶材料22的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式对溅镀电极23施加直流电压。腔室10经由开闭阀39而与涡轮分子泵37连接。作为该涡轮分子泵37，使用最大排气速度为每秒300公升以上。
【IPC分类】C23C14/34
【公开号】CN105555995
【申请号】CN201480043229
【发明人】尾崎悟, 徳嵩佑
【申请人】株式会社岛津制作所
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年7月8日
【公告号】WO2015037315A1