专利名称：多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及多晶硅的生产设备，具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。
背景技术：
多晶铸锭设备的中用来加热熔融硅原料的设备通常如附图1所示，包括有坩埚
1、 位于坩埚外侧的护板2、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板3、位于石墨底板下 方的塞条组合4、位于塞条组合下方的底板组合5、位于底板组合下方的隔热板6及位于隔 热板下方的检测丝7。其工作过程中，如果发生漏硅，坩埚1中的硅液经过护板2和石墨底 板3的间隙流出，沿塞条组合4和底板组合5的边缘往下淌，后经过隔热板6的溢流孔，最 后掉落到漏硅检测丝7上，检测丝探测到漏硅后，由PLC发出报警信号，报警器报警提示操 作工处理。从上面可以看出，如果发生漏硅，硅液首先会在坩埚护板2和坩埚1的间隙间积 聚，即使有少量硅液从石墨底板3和护板2间的间隙溢出，也会被塞条组合4和底板组合5 吸收，不能被检测系统第一时间检测到，因而会延误处理，造成设备较大的损失。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种能够及时检测到设备漏硅、减少设 备损失的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。 本实用新型的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚外侧的护 板、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞条组合、位于塞条 组合下方的底板组合、位于底板组合下方的隔热板及位于隔热板下方的检测丝，其特征是 所述石墨底板、塞条组合及底板组合的边缘设置有上下贯通的溢流孔。 本实用新型在传统设备的结构基础上，在石墨底板，塞条组合和底板组合上增加 了溢流孔。如果发生漏硅可以在第一时间溢流到隔热板及检测丝上而被检测到，使工作人 员能第一时间采取措施，避免更大的损失。
图1是本实用新型结构所应用的多晶硅铸锭设备的部件结构示意图； 图2是本实用新型结构中的石墨底板的结构示意图； 图3是本实用新型结构中的塞条组合的结构示意图； 图4是本实用新型结构中的底板组合的结构示意图。
具体实施方式如图所示，该多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚1、位于坩埚外侧的护板
2、 位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞条组合4、位于塞 条组合下方的底板组合5、位于底板组合下方的隔热板6及位于隔热板下方的检测丝7，石墨底板3、塞条组合4及底板组合5的边缘设置有上下贯通的溢流孔8，该结构在工作过程 中，当埘埚内的硅液发生泄漏时，硅液可以从溢流孔8迅速滴出而被检测丝检测到，以便采 取相应措施，防止更大损失。
权利要求一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构，其特征是它包括有坩埚(1)、位于坩埚外侧的护板(2)、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板(3)、位于石墨底板下方的塞条组合(4)、位于塞条组合下方的底板组合(5)、位于底板组合下方的隔热板(6)及位于隔热板下方的检测丝(7)，其特征是所述石墨底板(3)、塞条组合(4)及底板组合(5)的边缘设置有上、下贯通的溢流孔(8)。
专利摘要本实用新型涉及多晶硅的生产设备，具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。该多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚外侧的护板、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞条组合、位于塞条组合下方的底板组合、位于底板组合下方的隔热板及位于隔热板下方的检测丝，所述石墨底板、塞条组合及底板组合的边缘设置有上、下贯通的溢流孔。本实用新型在传统设备的结构基础上，在石墨底板，塞条组合和底板组合上增加了溢流孔。如果发生漏硅可以在第一时间溢流到隔热板及检测丝上而被检测到，使工作人员能第一时间采取措施，避免更大的损失。
文档编号C01B33/021GK201538829SQ20092004295
公开日2010年8月4日 申请日期2009年6月30日 优先权日2009年6月30日
发明者张锦根, 施海明, 鄂林, 陆景刚 申请人:镇江环太硅科技有限公司