专利名称：一种氮化硅烧成炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及氮化硅生产设备，特别是一种氮化硅烧成炉。
背景技术：
氮化硅烧成炉用于在通入氮气、氩气、氢气的状态下把硅石烧制成氮化硅粉末，传 统的氮化硅烧成炉炉壁采用单层钢材焊接而成，在产品烧成结束后，产品在密封的炉子内 靠自然降温方式从1460°C降至室温然后出料，这个降温过程耗时长，使得炉子的生产效率 低，同时由于硅石烧成需达到1460°C高温，传统的耐热炉膛一般采用莫来砖或刚玉砖砌筑成 形，这类砌筑方式的缺点是在高温下砖体会出现局部膨胀并吸收保护气体，导致耗气量大。
实用新型内容本实用新型所要解决的问题就是提供一种氮化硅烧成炉，在氮化硅粉末烧成结束 后实现炉体快速降温，炉膛致密性好，高温条件下不会出现膨胀，节省耗气量，提高生产效 率，降低生产成本。为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案一种氮化硅烧成炉，包括 炉膛、设在炉膛顶端的封盖和包裹炉膛的炉壁，在炉膛与炉壁之间设有保温层，在炉膛内设 有加热棒，其特征在于所述炉壁包括内层壁和外层壁，在内层壁和外层壁之间设有水冷 套，水冷套上接有进水管和出水管。进--步的，所述炉膛由至少三个浇铸体上下叠加而成。增加致密性。[0006]进--步的，所述浇铸体为中空圆柱体。[0007]进--步的，所述浇铸体采用刚玉材料整体浇铸。高温膨胀率低。[0008]进--步的，所述封盖的下表面设有插装固定加热棒的插装槽。[0009]进--步的，所述加热棒为硅钼棒。[0010]进--步的，所述进水管接在水冷套的下端，出水管接在水冷套的上端。充分利用冷
热水对流，加快冷却速度，加强冷却效率。采用上述技术方案后，本实用新型具有如下优点采用水冷套降温方式，可以大大 加快氮化硅粉末烧成后的降温速度，提高工作效率，三段式刚玉整体浇注成形的炉膛致密 性好，高温条件下膨胀率低，不吸收气体，降低生产成本。
以下结合附图对本实用新型作进一步说明
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图；图2为
图1中A处截面仰视图。
具体实施方式
如
图1至2所示本实用新型一种实施例的结构示意图，一种氮化硅烧成炉，包括炉
3膛1、设在炉膛顶端的封盖2和包裹炉膛的炉壁3，在炉膛与炉壁之间设有保温层4，在炉膛 内设有加热棒5，封盖的下表面设有插装固定加热棒的插装槽21，加热棒5从下往上插装在 插装槽中，炉壁包括内层壁31和外层壁32，在内层壁和外层壁之间设有水冷套6，水冷套上 接有进水管和出水管。炉膛由三个浇铸体11上下叠加而成，浇铸体采用刚玉材料整体浇铸 成中空的圆柱体，当然炉膛可以用四个或四个以上浇铸体叠加，但致密性和高温膨胀率会 相应发生变化，达不到最佳效果。 上述实施例中，炉壁为耐高温钢板焊接而成，通过水冷套能上下对流形成水循环， 供氮化硅粉末烧成结束后炉壁迅速降温，保温层采用耐高温保温材料，三段式刚玉整体浇 注成形的炉膛具有致密性好，高温条件下膨胀率低，不吸收气体的优点；加热棒为硅钼棒； 进水管接在水冷套的下端，出水管接在水冷套的上端，充分利用冷热水对流，加快冷却速 度，加强冷却效率。
权利要求一种氮化硅烧成炉，包括炉膛(1)、设在炉膛顶端的封盖(2)和包裹炉膛的炉壁(3)，在炉膛与炉壁之间设有保温层(4)，在炉膛内设有加热棒(5)，其特征在于所述炉壁包括内层壁(31)和外层壁(32)，在内层壁和外层壁之间设有水冷套(6)，水冷套上接有进水管和出水管。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅烧成炉，其特征在于所述炉膛由至少三个浇铸 体(11)上下叠加而成。
3.根据权利要求2所述的一种氮化硅烧成炉，其特征在于所述浇铸体为中空圆柱体。
4.根据权利要求3所述的一种氮化硅烧成炉，其特征在于所述浇铸体采用刚玉材料 整体浇铸。
5.根据权利要求1所述的一种氮化硅烧成炉，其特征在于所述封盖的下表面设有插 装固定加热棒的插装槽(21)。
6.根据权利要求1或5所述的一种氮化硅烧成炉，其特征在于所述加热棒为硅钼棒。
7.根据权利要求1所述的一种氮化硅烧成炉，其特征在于所述进水管接在水冷套的 下端，出水管接在水冷套的上端。
专利摘要本实用新型公开了一种氮化硅烧成炉，包括炉膛、设在炉膛顶端的封盖和包裹炉膛的炉壁，在炉膛与炉壁之间设有保温层，在炉膛内设有加热棒，所述炉壁包括内层壁和外层壁，在内层壁和外层壁之间设有水冷套，水冷套上接有进水管和出水管。本实用新型在氮化硅粉末烧成结束后实现炉体快速降温，炉膛致密性好，高温条件下不会出现膨胀，节省耗气量，提高生产效率，降低生产成本。
文档编号C01B21/068GK201762104SQ20102027039
公开日2011年3月16日 申请日期2010年7月23日 优先权日2010年7月23日
发明者章体 申请人:章体