通过纳米晶体横向生长制造胶体纳米片的方法与流程

技术特征：
1.胶体纳米片，其包含由不同结晶半导体材料横向而不是在厚度方向扩展的一初始胶体纳米晶体，所述结晶半导体材料由式MnXy表示，其中M是过渡金属，而X为氧族元素，其中所述初始胶体纳米晶体由CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe或它们的合金制成，其中所述结晶半导体材料MnXy是选自以下的化合物：CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe或它们的合金，并且其中所述初始胶体纳米晶体是胶体纳米片。2.根据权利要求1的胶体纳米片，其中所述半导体结晶MnXy材料掺杂有过渡金属。3.根据权利要求1或2的胶体纳米片，其中所述包含由不同结晶半导体材料横向而不是在厚度方向扩展的一初始胶体纳米晶体的胶体纳米片的横向尺寸大于10nm。4.通过不同结晶半导体材料的横向生长在一初始胶体纳米晶体上制造胶体纳米片的方法，所述结晶半导体材料由式MnXy表示，所述初始纳米晶体与MnXy材料相比具有不同的组成，其中M是过渡金属，而X是氧族元素，其中所述初始胶体纳米晶体是选自以下的胶体纳米片：CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe或它们的合金，并且其中所述结晶半导体材料MnXy是选自以下的化合物：CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe或它们的合金；所述方法包括以下步骤：-作为包含一初始胶体纳米晶体的合成溶剂的第一非配位有机溶液的制备，-包含M和X的前体且还包含乙酸盐的第二有机溶液的制备，-在纳米片生长的20℃至350℃之间的温度下在长于1小时的时间范围内在预定量的第一溶液中缓慢引入预定量的第二溶液。5.根据权利要求4的方法，其中所述M前体是M膦酸盐、M二硫氨基甲酸盐、M黄原酸盐或M羧酸盐。6.根据权利要求5的方法，其中所述M羧酸盐是M乙酸盐、M硬脂酸盐、M肉豆蔻酸盐或M苯甲酸盐。7.根据权利要求4至6之任一项的方法，其中将配体添加到第二溶液中。8.根据权利要求7的方法，其中所述配体是羧酸、胺、硫醇、膦或氧化膦。9.根据权利要求4至8之任一项的方法可获得的均质胶体纳米片。10.根据权利要求4至8之任一项的方法可获得的胶体纳米片，其中所述可获得的胶体纳米片包含CdSe，而所述乙酸盐是乙酸镉。11.根据权利要求1至3和9至10之任一项的胶体纳米片的应用，其中所述纳米片用作用于催化的大比表面积材料。12.根据权利要求1至3和9至10之任一项的胶体纳米片在发光二极管的有源元件、在晶体管或在激光中的应用。13.根据权利要求1至3和9至10之任一项的胶体纳米片在太阳能电池的有源元件中的应用。14.根据权利要求13的应用，其中所述太阳能电池的有源元件是吸收器或光生电荷的集电极。15.根据权利要求1至3和9至10之任一项的胶体纳米片在低温下在基质上建立半导体超薄膜的应用。