技术总结
本发明涉及通过结晶半导体材料在初始胶体纳米晶体上横向生长制造胶体纳米片的方法，所述结晶半导体材料由式MnXy表示，其中M是过渡金属，而X为氧族元素。所述方法包括以下步骤：用作合成溶剂且包含至少一初始胶体纳米晶体的非配位或几乎非配位的第一有机溶液的制备；包含M和X的前体且还包含乙酸盐的第二有机溶液的制备，以及在纳米片生长的预定温度下在预定的时间范围内在预定量的第一溶液中缓慢引入预定量的第二溶液。本发明还提供所获得的材料的应用。
技术研发人员：贝努瓦·马勒;桑德里尼·伊苏里亚
受保护的技术使用者：奈科斯多特股份公司
文档号码：201180058966
技术研发日：2011.10.24
技术公布日：2017.04.12