三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置。一种装置，其具备：向内部导入四氯硅烷和氢，通过在800℃以上进行还原反应，生成三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体的反应室2；将反应室2内部的反应生成气体导出到外部的反应生成气体导出设备4；以及向反应生成气体导出设备4所导出的反应生成气体中混入氢、四氯硅烷或氯化氢，来冷却反应生成气体的冷却气体导入设备5。
【专利说明】三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置
[0001]本申请是原案申请日为2007年10月26日、原案申请号为200780024481.8 (国际申请号为PCT/JP2007/070941)、发明名称为“三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置”的专利申请的分案申请。
【技术领域】
[0002]本发明涉及将四氯硅烷转换成三氯硅烷的三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置。
[0003]本申请根据2006年11月7日在日本申请的特愿2006-302056号和2007年10月22日在日本申请的特愿2007-273545号主张优先权，将其内容援引到本申请中。
【背景技术】
[0004]高纯度多晶硅例如可以以三氯硅烷(SiHCl3:简称为TCS)、四氯硅烷(SiCl4:简称为STC)和氢作为原料，通过下式(I)所示的三氯硅烷的氢还原反应、下式(2)所示的三氯硅烷的热分解反应来制备。
【权利要求】
1.三氯硅烷的制备方法，该制备方法具有以下步骤: 将四氯硅烷和氢导入到反应室内，使之在1200°c以上的温度下进行反应，生成包含三氯硅烷和氯化氢的混合气体的步骤； 以及由上述反应室导出上述混合气体时，向该混合气体中导入以氢为主体的冷却气体以将该混合气体冷却至650°C以下的步骤， 且将导入了冷却气体的混合气体导入到冷却器中，冷凝分离未反应的氢，将分离的含氢气体作为冷却气体进行再利用。
2.权利要求1的三氯硅烷的制备方法，其中，导入到混合气体中的冷却气体的温度为-60 0C ~650。。。
3.三氯硅烷的制备装置，该制备装置具备以下设备: 使四氯硅烷和氢在1200°C以上的温度下进行反应，生成包含三氯硅烷和氯化氢的混合气体的反应室； 连接在上述反应室上的气体供给设备； 将上述混合气体导出到反应室外部的混合气体导出设备； 将以氢为主体的冷却气体导入到上述混合气体中，将上述混合气体冷却至650°C以下的冷却气体导入设备； 导入上述混合气体的冷却器，上述混合气体中导入了冷却气体；以及向上述冷却气体导入设备中供给经冷却器冷凝分离的以未反应的氢为主体的含氢气体的循环管路， 且该冷却气体导入设备连接在上述混合气体导出设备上。
4.权利要求3的三氯硅烷制备装置，其中，在冷却气体导入设备上连接有以氢为主体的冷却气体的供给管路，将以氢为主体的冷却气体导入到上述混合气体中，将上述混合气体冷却至650°C以下。
【文档编号】C01B33/107GK103553055SQ201310417262
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2007年10月26日 优先权日:2006年11月7日
【发明者】水岛一树, 漆原诚 申请人:三菱麻铁里亚尔株式会社