一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及氯硅烷的生产领域，具体涉及一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，该装置依次包括原液储罐、第一蒸馏塔、第一除杂器、缓冲罐、第二蒸馏塔、第二除杂器、冷凝器和提纯储罐，原液储罐与第一蒸馏塔下部连接，第一蒸馏塔顶部与第一除杂器连接，第一除杂器与缓冲罐顶部连接，缓冲罐底部与第二蒸馏塔连接，第二蒸馏塔与第二除杂器顶部连接，第二蒸馏塔顶部与冷凝器顶部连接，冷凝器与提纯储罐连接，各部件均通过管路连接。该装置结构简单，适用于去除氯硅烷中的三氯化铝。
【专利说明】一种从氯娃院中去除三氯化铝的装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及氯硅烷的生产领域，，具体涉及一种从氯硅烷中去除三氯化铝的 装直。
【背景技术】
[0002] 氯硅烷是一种重要的化工产品，氯硅烷的生产成本很低，但是在它们生产过程中 容易生成卤化物，如卤化铝。卤化铝的存在使提高温度时的氯硅烷性能很不稳定，能够在提 高温度过程中导致氯硅烷分解。在制备过程中，不纯的固态硅与含氯气体反应，而且许多固 体杂质滞留在该反应器内或诸如旋流器的除尘设备中。然而，铝及一些其它污染物例如锑、 硼、碳、铟、镓、磷、铊、锡、钛、锌及锆的性质使得它们形成挥发性化合物，与所需要的氯硅烷 一起被带出反应器。因此，反应器的流出气体中含有这些挥发性化合物，流出气体随后被冷 却形成液态氯硅烷混合物，其主要成份为二氯硅烷（SiH2C12)、三氯硅烷（SiHC13)及四氯 化硅（亦称为四氯硅烷）（SiC14)，该混合物可通过常规方法主要采用蒸馏进行纯化。铝与 硼一样是主要的杂质，二者皆可在高纯度硅中用作具有电学活性的掺杂剂，因此必须将铝 的含量降至极低。此外，由于氯化铝（A1C13)具有在大气压下不会形成液相的异常性质。当 压力接近例如用于蒸馏的大气压时，氯化铝可直接自固体转化为气体；但氯化铝可部分地 溶解在氯硅烷中，因此，虽然可通过蒸馏来移除氯化铝，但是非常困难，因为蒸馏系统内往 往会形成固态沉积物，并且不可能直接产生高浓度铝液态废物，因此需要处理的废物较多， 费用高昂并且造成环境问题。
[0003] 针对目前的氯硅烷中卤化铝的去除存在效率低下、成本较高以及不能有效控制氯 硅烷产品质量的问题，亟需一种能够有效去除氯硅烷中卤化铝的工艺，为了为使得氯硅烷 中的卤化铝能够有效去除，就需要一种装置，而目前没有相应的装置。 实用新型内容
[0004] 本实用新型的目的是为了为去除氯硅烷中卤化铝提供一种新型的装置，具体为提 供一种一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置。
[0005] 为了达到上述实用新型目的，本实用新型采用以下技术方案：
[0006] -种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，该装置依次包括原液储罐、第一蒸馏塔、第 一除杂器、缓冲罐、第二蒸馏塔、第二除杂器、冷凝器和提纯储罐，原液储罐与第一蒸馏塔下 部连接，第一蒸馏塔顶部与第一除杂器连接，第一除杂器与缓冲罐顶部连接，缓冲罐底部与 第二蒸馏塔连接，第二蒸馏塔与第二除杂器顶部连接，第二蒸馏塔顶部与冷凝器顶部连接， 冷凝器与提纯储罐连接，各部件均通过管路连接。
[0007] 第一蒸馏塔用于将氯硅烷蒸馏并使得蒸馏后的氯硅烷在第一除杂器内对基本杂 质进行吸附，第二蒸馏塔是用于将氯硅烷蒸馏并在第二除杂器内将三氯化铝进行置换。
[0008] 作为优选，第一除杂器和第二除杂器的上部均设有钠盐或钾盐加料罐，下部均设 有杂质储罐。
[0009] 作为优选，在第二蒸馏塔前和提纯储罐前均设置有过滤器。该过滤器可以对除杂 过程中残留的除杂物进行吸附，以免形成二次污染。
[0010] 作为优选，在提纯储罐前还设有精馏塔。精馏塔可以对氯硅烷进一步精馏，从而使 得三氯化铝的纯度更高。
[0011] 由于采用上述技术方案，本实用新型的有益效果是：结构简单，能够为新的去除氯 娃烧中的二氣化错工艺提供基本保障，从而提1?氣娃烧中二氣化错的去除率。
【专利附图】
【附图说明】
[0012] 图1是本实用新型的一种结构示意图。
[0013] 图中：1原液储罐，2第一蒸馏塔，3第一除杂器，4缓冲罐，5第二蒸馏塔，6第二除 杂器，7冷凝器，8提纯储罐，9加料罐，10杂质储罐，11过滤器，12精馏塔。
【具体实施方式】
[0014] 下面以具体实施例对本实用新型作进一步的说明。 实施例
[0015] 一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，如图1所示，该装置依次包括原液储罐1、 第一蒸馏塔2、第一除杂器3、缓冲罐4、第二蒸馏塔5、第二除杂器6、冷凝器7和提纯储罐 8,原液储罐与第一蒸馏塔2下部连接，第一蒸馏塔2顶部与第一除杂器3连接，第一除杂器 3与缓冲罐4顶部连接，缓冲罐4底部与第二蒸馏塔5连接，第二蒸馏塔5与第二除杂器6 顶部连接，第二蒸馏塔5顶部与冷凝器7顶部连接，冷凝器7与提纯储罐8连接，第一除杂 器3和第二除杂器6的上部均设有钠盐或钾盐加料罐9,下部均设有杂质储罐10。在第二 蒸馏塔5前和提纯储罐8前均设置有过滤器11，在提纯储罐8前过滤器11还设有精馏塔 12。各部件均通过管路连接。
[0016] 在实际操作中，氯硅烷预先储存在原液储罐1，然后氯硅烷经过第一蒸馏塔2蒸馏 后进入第一除杂器3内除杂，然后在缓冲罐4内缓冲，接着氯硅烷经过过滤器11过滤后，经 过第二蒸馏塔5蒸馏并经过第二除杂器6除杂，然后氯硅烷经过冷凝器7冷凝后再经过滤 器11过滤，然后再经过精馏塔12的精馏后，存储于提纯储罐8内。其中，第一除杂器3和 第二除杂器6的上部均设有加料罐9,下部均设有杂质储罐10,加料罐9用于放置两个除杂 器内的置换物，杂质储罐10用于存放经过携带杂质后的置换物。
[0017] 该装置经过多级蒸馏精馏，并在其中经过除杂最终得到纯度较高、杂质较少的氯 硅烷。
【权利要求】
1. 一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，其特征在于，该装置依次包括原液储罐（1 )、 第一蒸馏塔（2)、第一除杂器（3)、缓冲罐（4)、第二蒸馏塔（5)、第二除杂器（6)、冷凝器（7) 和提纯储罐（8)，原液储罐与第一蒸馏塔（2)下部连接，第一蒸馏塔（2)顶部与第一除杂器 (3)连接，第一除杂器（3)与缓冲罐（4)顶部连接，缓冲罐（4)底部与第二蒸馏塔（5)连接， 第二蒸馏塔（5)与第二除杂器（6)顶部连接，第二蒸馏塔（5)顶部与冷凝器（7)顶部连接， 冷凝器（7 )与提纯储罐（8 )连接，各部件均通过管路连接。
2. 根据权利要求1所述的一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，其特征在于，第一除 杂器（3 )和第二除杂器（6 )的上部均设有加料罐（9 )，下部均设有杂质储罐（10 )。
3. 根据权利要求1所述的一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，其特征在于，在第二 蒸馏塔（5 )前和提纯储罐（8 )前均设置有过滤器（11)。
4. 根据权利要求1所述的一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，其特征在于，在提纯 储罐（8)前还设有精馏塔（12)。
【文档编号】C01B33/107GK203866043SQ201420180660
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年4月15日 优先权日:2014年4月15日
【发明者】舒忠斌, 李波, 陶崇花 申请人:浙江精功新材料技术有限公司