本发明涉及刹车片加工设备，尤其涉及一种刹车片打磨材料及其制备方法。
背景技术：
随着高铁、高速公路等基建设施的逐步完善，车辆运行速度越来越高，这对刹车片的性能要求提出了新的挑战：一方面要求刹车片强度更高，在短时间内能够承受巨大压力，不变形、不开裂；另一方面要求刹车片耐高温性能更佳。近年来，更高强度、耐温性更好的刹车片逐渐成为研发和应用的主流，对刹车片磨床的要求也随之提高，需要磨床用打磨片具备更高硬度，同时在高温条件下化学性质稳定。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提出了一种硬度高、耐高温的刹车片打磨材料及其制备方法。
本发明的技术方案是这样实现的：一方面，本发明提供了一种刹车片打磨材料，包括以下质量份数的组分，
TiC 50-80份
表面镀镍的SiC晶须 30-42份
SiO2 40-70份
B2O3 8-12份
Al2O3 3-8份
Na2CO3 4-8份
CeO2 3-8份
Ga2O3 3-8份
K2O 4-8份
Li2CO3 8-12份
Sb2O3 3-7份
ZrO2 3-7份
碳纤维 10-18份。
在以上技术方案的基础上，优选的，包括以下质量份数的组分，
TiC 65-70份
表面镀镍的SiC晶须 35-38份
SiO2 52-58份
B2O3 9-10份
Al2O3 4-7份
Na2CO3 4-8份
CeO2 3-8份
Ga2O3 3-8份
K2O 4-8份
Li2CO3 8-12份
Sb2O3 3-7份
ZrO2 3-7份
碳纤维 15-16份。
在以上技术方案的基础上，优选的，所述表面镀镍的SiC晶须制备过程包括，通过氨水调节镀镍液pH值为4.5-6，控制镀镍液温度为30℃-50℃，加入SiC晶须，通30-50V直流电，反应时间10-30min，得到表面镀镍的SiC晶须。
第二方面，本发明提供了第一方面所述刹车片打磨材料的制备方法，包括以下步骤，
S1，将TiC、SiO2、B2O3、Al2O3、Na2CO3、CeO2、Ga2O3、K2O、Li2CO3、Sb2O3、ZrO2混合后加入乙醇、丙酮或异丙醇进行研磨或球磨，再加入表面镀镍的SiC晶须和碳纤维，再次球磨均匀；
S2，加入3wt％-8wt％的聚甲基纤维素钠，在50-100℃空气气氛下干燥采用模压成型，模压压力500-1000Mpa；
S3，采用真空烧结炉进行烧结，真空度不低于1×10-1Pa，按1-10℃/min升温速率升至700℃-900℃，保温时间1-3h，然后以1-30℃/min降温速率冷却，得到最终的刹车片打磨材料。
本发明的刹车片打磨材料及其制备方法相对于现有技术具有以下有益效果：TiC作为强化相，SiC作为增韧相，可提高打磨片的耐磨性能，通过在SiC表面镀镍，可改善其韧性，同时也能改善打磨片的热传导性能，从而将打磨过程中产生的热量尽快散发出去，防止热量聚集，提升耐高温性能；SiO2、B2O3、Al2O3、Na2CO3、CeO2、Ga2O3、K2O、Li2CO3、Sb2O3、ZrO2烧结制备的玻璃态作为填充强化物和结合成分，能提高整体的韧性，此外其本身气孔率可调、自锐性好、化学稳定性好、耐高温；此外，通过添加CeO2、Ga2O3等金属氧化物作为烧结助剂，能有效降低烧结温度，节省成本；通过添加碳纤维，将与TiC、SiC晶须和玻璃态填充强化物形成三维网络结构，提高打磨片整体的韧性和强度，防止脆断。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例的刹车片打磨材料，包括以下质量份数的组分，
TiC 50kg
表面镀镍的SiC晶须 30kg
SiO2 40kg
B2O3 8kg
Al2O3 3kg
Na2CO3 4kg
CeO2 3kg
Ga2O3 3kg
K2O 4kg
Li2CO3 8kg
Sb2O3 3kg
ZrO2 3kg
碳纤维 10-18kg。
其制备过程包括：
首先，制备表面镀镍的SiC晶须。
通过氨水调节镀镍液pH值为4.5，控制镀镍液温度为30℃，加入SiC晶须，通30V直流电，反应时间10min，得到表面镀镍的SiC晶须。
其次，制备刹车片打磨材料。
将TiC、SiO2、B2O3、Al2O3、Na2CO3、CeO2、Ga2O3、K2O、Li2CO3、Sb2O3、ZrO2混合后加入乙醇、丙酮或异丙醇进行研磨或球磨，再加入表面镀镍的SiC晶须和碳纤维，再次球磨均匀；
加入3wt％的聚甲基纤维素钠，在50℃空气气氛下干燥采用模压成型，模压压力500Mpa；
采用真空烧结炉进行烧结，真空度1×10-1Pa，按5℃/min升温速率升至700℃℃，保温时间3h，然后以10℃/min降温速率冷却，得到最终的刹车片打磨材料。
实施例2
本实施例的刹车片打磨材料，包括以下质量份数的组分，
TiC 65kg
表面镀镍的SiC晶须 35kg
SiO2 52kg
B2O3 9kg
Al2O3 4kg
Na2CO3 4kg
CeO2 3kg
Ga2O3 3kg
K2O 4kg
Li2CO3 8kg
Sb2O3 3kg
ZrO2 3kg
碳纤维 15kg。
其制备过程包括：
首先，制备表面镀镍的SiC晶须。
通过氨水调节镀镍液pH值为4.5，控制镀镍液温度为30℃，加入SiC晶须，通40V直流电，反应时间10min，得到表面镀镍的SiC晶须。
其次，制备刹车片打磨材料。
将TiC、SiO2、B2O3、Al2O3、Na2CO3、CeO2、Ga2O3、K2O、Li2CO3、Sb2O3、ZrO2混合后加入乙醇、丙酮或异丙醇进行研磨或球磨，再加入表面镀镍的SiC 晶须和碳纤维，再次球磨均匀；
加入5wt％的聚甲基纤维素钠，在70℃空气气氛下干燥采用模压成型，模压压力800Mpa；
采用真空烧结炉进行烧结，真空度1×10-1Pa，按8℃/min升温速率升至800℃，保温时间2h，然后以20℃/min降温速率冷却，得到最终的刹车片打磨材料。
实施例3
本实施例的刹车片打磨材料，包括以下质量份数的组分，
TiC 68kg
表面镀镍的SiC晶须 36kg
SiO2 55kg
B2O3 9kg
Al2O3 5kg
Na2CO3 5kg
CeO2 5kg
Ga2O3 5kg
K2O 5kg
Li2CO3 10kg
Sb2O3 5kg
ZrO2 5kg
碳纤维 15kg。
其制备过程包括：
首先，制备表面镀镍的SiC晶须。
通过氨水调节镀镍液pH值为4.5，控制镀镍液温度为30℃，加入SiC晶须， 通40V直流电，反应时间10min，得到表面镀镍的SiC晶须。
其次，制备刹车片打磨材料。
将TiC、SiO2、B2O3、Al2O3、Na2CO3、CeO2、Ga2O3、K2O、Li2CO3、Sb2O3、ZrO2混合后加入乙醇、丙酮或异丙醇进行研磨或球磨，再加入表面镀镍的SiC晶须和碳纤维，再次球磨均匀；
加入5wt％的聚甲基纤维素钠，在70℃空气气氛下干燥采用模压成型，模压压力800Mpa；
采用真空烧结炉进行烧结，真空度1×10-1Pa，按8℃/min升温速率升至800℃，保温时间2h，然后以20℃/min降温速率冷却，得到最终的刹车片打磨材料。
实施例4
本实施例的刹车片打磨材料，包括以下质量份数的组分，
TiC 70kg
表面镀镍的SiC晶须 38kg
SiO2 58kg
B2O3 10kg
Al2O3 7kg
Na2CO3 8kg
CeO2 8kg
Ga2O3 8kg
K2O 8kg
Li2CO3 12kg
Sb2O3 7kg
ZrO2 7kg
碳纤维 16kg。
其制备过程包括：
首先，制备表面镀镍的SiC晶须。
通过氨水调节镀镍液pH值为6，控制镀镍液温度为50℃，加入SiC晶须，通50V直流电，反应时间30min，得到表面镀镍的SiC晶须。
其次，制备刹车片打磨材料。
将TiC、SiO2、B2O3、Al2O3、Na2CO3、CeO2、Ga2O3、K2O、Li2CO3、Sb2O3、ZrO2混合后加入乙醇、丙酮或异丙醇进行研磨或球磨，再加入表面镀镍的SiC晶须和碳纤维，再次球磨均匀；
加入8wt％的聚甲基纤维素钠，在100℃空气气氛下干燥采用模压成型，模压压力1000Mpa；
采用真空烧结炉进行烧结，真空度1×10-1Pa，按10℃/min升温速率升至900℃，保温时间1h，然后以30℃/min降温速率冷却，得到最终的刹车片打磨材料。
实施例5
本实施例的刹车片打磨材料，包括以下质量份数的组分，
TiC 80kg
表面镀镍的SiC晶须 42kg
SiO2 70kg
B2O3 12kg
Al2O3 8kg
Na2CO3 8kg
CeO2 8kg
Ga2O3 8kg
K2O 8kg
Li2CO3 12kg
Sb2O3 7kg
ZrO2 7kg
碳纤维 18kg。
其制备过程包括：
首先，制备表面镀镍的SiC晶须。
通过氨水调节镀镍液pH值为6，控制镀镍液温度为50℃，加入SiC晶须，通50V直流电，反应时间30min，得到表面镀镍的SiC晶须。
其次，制备刹车片打磨材料。
将TiC、SiO2、B2O3、Al2O3、Na2CO3、CeO2、Ga2O3、K2O、Li2CO3、Sb2O3、ZrO2混合后加入乙醇、丙酮或异丙醇进行研磨或球磨，再加入表面镀镍的SiC晶须和碳纤维，再次球磨均匀；
加入8wt％的聚甲基纤维素钠，在100℃空气气氛下干燥采用模压成型，模压压力1000Mpa；
采用真空烧结炉进行烧结，真空度1×10-1Pa，按10℃/min升温速率升至900℃，保温时间1h，然后以30℃/min降温速率冷却，得到最终的刹车片打磨材料。
以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。