技术总结
本发明涉及半导体制造及设计技术领域，特别涉及一种GaAs/Si外延材料制备方法，包括：选取单晶Si衬底，并对单晶Si衬底清洗；在所述单晶Si衬底上形成凹层；在所述凹层上形成Si薄膜层，Si薄膜层在凹层的凹槽处悬空设置；在所述Si薄膜层上形成GaAs种子层；在所述GaAs种子层上形成GaAs第一缓冲层；在所述GaAs第一缓冲层上形成GaAs第二缓冲层；在所述GaAs第二缓冲层上形成GaAs外延层。本发明实现了在价格便宜的单晶Si衬底上制备高质量的GaAs晶体薄膜，并且未引入附加应力场，在后续的器件制作中对器件品质不会产生附加的不良影响。
技术研发人员：王文庆
受保护的技术使用者：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
文档号码：201610844357
技术研发日：2016.09.22
技术公布日：2017.02.22