氨气还原氮化法制备TiN薄膜的方法与流程

文档序号:12393579阅读:695来源:国知局

本发明涉及TiN薄膜制备技术领域,具体涉及一种氨气还原氮化法制备TiN薄膜的方法。



背景技术:

表面增强拉曼光谱(SERS)是一种潜力巨大的高灵敏光谱分析技术。常规拉曼光谱法灵敏度低,表面增强拉曼光谱可提供吸附在或是靠近活性基底表面的分子信号,从而得到更多的结构信息。因而新型高效SERS活性基底的研究和制备已成为国内外学者研究的重点。目前制备方法主要集中在粗糙化处理的金属电极、贵金属纳米粒子、膜等。采用金属电极,贵金属纳米粒子作为基底,存在形貌不均、稳定性差、成本高等缺陷。



技术实现要素:

本发明旨在针对上述问题,提出一种氨气还原氮化法制备TiN薄膜的方法。本发明的技术方案在于:

氨气还原氮化法制备TiN薄膜的方法,包括如下步骤:

(1)制备TiO2前驱体:

在真空手套箱中,量取110 mL无水乙醇放入广口瓶内,再加入10 mL四氯化钛,得到四氯化钛乙醇溶液;取6 mL四氯化钛乙醇溶液加入烧杯,向其中加入1g PVP后加入10 mL无水乙醇及2.5 mL DMF,溶解后制得TiO2前驱体溶液;

(2)制备TiN薄膜:

以上述TiO2前驱体溶液为钛源,在石英玻璃基片上镀膜,转速为3500 r/min,镀膜20s,然后在80℃加热24 h引发非水解凝胶化反应,得到TiO2凝胶前驱体薄膜,以5℃/min升温至400℃,预烧30 min;

重复(2)3次,共镀膜3层;其放在管式气氛炉中,在流量为800 mL/min的氨气中,以5℃/min升温至1000℃碳热还原氮化反应2 h,随炉冷却后得到TiN薄膜。

所述的加入10 mL四氯化钛采用移液管。

所述的量取110 mL无水乙醇放入广口瓶时采用量筒。

所述的在石英玻璃基片上镀膜时使用匀胶机。

本发明的技术效果在于:

本发明通过氨气氮化还原法制备出TiN薄膜,该TiN薄膜为NaCl型面心立方TiN晶体,薄膜厚度在250 nm左右。TiN薄膜不仅具有与金类似的光学特性,还具有其它材料难以比拟的高硬度、耐酸碱侵蚀、耐磨损、耐高温以及良好的生物相容特性。

具体实施方式

实施例1

氨气还原氮化法制备TiN薄膜的方法,包括如下步骤:

(1)制备TiO2前驱体:

在真空手套箱中,用量筒量取110 mL无水乙醇放入广口瓶内,再用移液管加入10 mL四氯化钛,得到四氯化钛乙醇溶液;取6 mL四氯化钛乙醇溶液加入烧杯,向其中加入1g PVP后加入10 mL无水乙醇及2.5 mL DMF,溶解后制得TiO2前驱体溶液;

(2)制备TiN薄膜:

以上述TiO2前驱体溶液为钛源,使用匀胶机在石英玻璃基片上镀膜,转速为3500 r/min,镀膜20s,然后在80℃加热24 h引发非水解凝胶化反应,得到TiO2凝胶前驱体薄膜,以5℃/min升温至400℃,预烧30 min;

重复(2)3次,共镀膜3层;其放在管式气氛炉中,在流量为800 mL/min的氨气中,以5℃/min升温至1000℃碳热还原氮化反应2 h,随炉冷却后得到TiN薄膜。

实施例2

氨气还原氮化法制备TiN薄膜的方法,包括如下步骤:

(1)制备TiO2前驱体:

在真空手套箱中,用量筒量取200 mL无水乙醇放入广口瓶内,再用移液管加入20mL四氯化钛,得到四氯化钛乙醇溶液;取5 mL四氯化钛乙醇溶液加入烧杯,向其中加入2g PVP后加入15mL无水乙醇及3 mL DMF,溶解后制得TiO2前驱体溶液;

(2)制备TiN薄膜:

以上述TiO2前驱体溶液为钛源,使用匀胶机在石英玻璃基片上镀膜,转速为4000 r/min,镀膜20s,然后在80℃加热24 h引发非水解凝胶化反应,得到TiO2凝胶前驱体薄膜,以10℃/min升温至400℃,预烧30 min;

重复(2)3次,共镀膜4层;其放在管式气氛炉中,在流量为1000 mL/min的氨气中,以5℃/min升温至1000℃碳热还原氮化反应2 h,随炉冷却后得到TiN薄膜。

实施例3

氨气还原氮化法制备TiN薄膜的方法,包括如下步骤:

(1)制备TiO2前驱体:

在真空手套箱中,用量筒量取150 mL无水乙醇放入广口瓶内,再用移液管加入20mL四氯化钛,得到四氯化钛乙醇溶液;取8mL四氯化钛乙醇溶液加入烧杯,向其中加入2g PVP后加入20mL无水乙醇及3 mL DMF,溶解后制得TiO2前驱体溶液;

(2)制备TiN薄膜:

以上述TiO2前驱体溶液为钛源,使用匀胶机在石英玻璃基片上镀膜,转速为4000 r/min,镀膜20s,然后在80℃加热24 h引发非水解凝胶化反应,得到TiO2凝胶前驱体薄膜,以10℃/min升温至400℃,预烧30 min;

重复(2)3次,共镀膜3层;其放在管式气氛炉中,在流量为1000 mL/min的氨气中,以5℃/min升温至1000℃碳热还原氮化反应2 h,随炉冷却后得到TiN薄膜。

本发明通过氨气氮化还原法制备出TiN薄膜,该TiN薄膜为NaCl型面心立方TiN晶体,薄膜厚度在250 nm左右。TiN薄膜不仅具有与金类似的光学特性,还具有其它材料难以比拟的高硬度、耐酸碱侵蚀、耐磨损、耐高温以及良好的生物相容特性。

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