技术总结
本发明公开了一种硒锗镉锶化合物及其制备方法、硒锗镉锶晶体及其制备方法和应用。硒锗镉锶化合物与硒锗镉锶晶体的化学式均为SrCdGeSe4；硒锗镉锶化合物是将含Sr物质、含Cd物质、含Ge物质和单质Se按一定量的摩尔比配料并混合均匀通过高温固相反应制得；硒锗镉锶晶体为非中心对称结构，属正交晶系，空间群Ama2，其晶胞参数：α＝β＝γ＝90°，Z＝4，该晶体是用硒锗镉锶化合物采用水平梯度冷凝法或坩埚下降法制备得到；该晶体在红外激光变频领域具有潜在的应用价值。
技术研发人员：尹文龙;余盛全;唐明静;张羽;谢婧;袁泽锐;窦云巍;方攀;陈莹;康彬;邓建国
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
文档号码：201611029629
技术研发日：2016.11.14
技术公布日：2017.05.31