本发明涉及镀膜玻璃技术领域，具体涉及一种可钢化低辐射镀膜玻璃及其制造方法。
背景技术：
LOW-E镀膜玻璃又称低辐射镀膜玻璃，是在普通浮法玻璃表面镀制一层或多层具有红外反射特性的纳米功能薄膜而构成的节能建筑产品。该镀膜玻璃产品可见光透过率高，具备很强地阻隔红外线的特点，能发挥自然采光和隔热节能的双重功效。可以有效地减少冬季室内热量的外散流失，在夏季能阻隔室外物体受太阳光照射变热后的二次辐射，从而发挥节能降耗的作用。
由于LOW-E膜层中金属银比较容易氧化，且高透型LOW-E膜层中含有容易吸潮的AZO层，因此镀完膜后需要在短时间内合成中空，导致加工不便。
鉴于此，克服以上现有技术中的缺陷，提供一种新的可钢化低辐射镀膜玻璃及其制造方法成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种可钢化低辐射镀膜玻璃及其制造方法。
本发明的目的可通过以下的技术措施来实现：
一种可钢化低辐射镀膜玻璃，与现有技术相比，其不同之处在于，该玻璃包括玻璃基底和沉积于所述玻璃基底表面的镀膜层，所述镀膜层包括从内向外依次层叠的第一介质层、第一生长层、第一保护层、银层、第二保护层、第二生长层、第二介质层和石墨烯层。
优选地，所述石墨烯层通过喷涂石墨烯溶液后烘干形成。
优选地，所述石墨烯为氧化石墨烯。
优选地，所述石墨烯层的厚度为2～5nm。
优选地，所述第一介质层和第二介质层均为Si3N4层，所述第一介质层和第二介质层的厚度均为25～60nm。
优选地，所述第一生长层和第二生长层均为AZO膜层，所述第一生长层和第二生长层的厚度均为5～40nm。
优选地，所述第一生长层和第二生长层为2wt%掺杂的AZO膜层。
优选地，所述第一保护层和第二保护层均为NiCr层，所述第一保护层和第二保护层的厚度均为0.5～3nm。
本发明还提供了一种制造上述的可钢化低辐射镀膜玻璃的方法，包括如下步骤：
（1）提供玻璃基底；
（2）在玻璃基底上沉积第一介质层；
（3）在第一介质层上沉积第一生长层；
（4）在第一生长层上沉积第一保护层；
（5）在第一保护层上沉积银层；
（6）在银层上沉积第二保护层；
（7）在第二保护层上沉积第二生长层；
（8）在第二生长层上沉积第二介质层；
（9）在第二介质层上喷涂石墨烯层。
优选地，所述步骤（9）具体为：在第二介质层上喷涂石墨烯溶液并烘干以形成石墨烯层。
本发明的镀膜玻璃包括银层、生长层和石墨烯层，采用喷涂方式在其玻璃表面制作了石墨烯层，提高红外反射的同时加强了该镀膜玻璃的水氧隔绝性能。
附图说明
图1是本发明的镀膜玻璃的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的镀膜玻璃包括玻璃基底和沉积于所述玻璃基底表面的镀膜层，所述镀膜层包括从内向外依次层叠的第一介质层、第一生长层、第一保护层、银层、第二保护层、第二生长层、第二介质层和石墨烯层。
本发明的一个实施方式中，所述的玻璃基底可以是任何能够得到的可钢化的玻璃。
在本发明的一个实施方式中，第一介质层和第二介质层均为Si3N4层，另外，第一介质层和第二介质层的厚度均为25～60nm。
在本发明的一个实施方式中，第一生长层和第二生长层均为AZO膜层，另外，第一生长层和第二生长层的厚度均为5～40nm。在一个更优选的方案中，第一生长层和第二生长层为2wt%掺杂的AZO膜层。AZO为掺铝（Al）氧化锌（ZnO）；2wt%掺杂的AZO膜层表示铝（Al）的掺杂量为2wt%。
在本发明的一个实施方式中，第一保护层和第二保护层均为NiCr层，另外，第一保护层和第二保护层的厚度均为0.5～3nm。
在本发明的一个实施方式中，银层的厚度为8～20nm。
在本发明的一个实施方式中，石墨烯层通过喷涂石墨烯溶液后烘干形成；石墨烯为氧化石墨烯；石墨烯层的厚度为2～5nm。
首先，将石墨烯加入溶剂中制备石墨烯溶液；然后，将石墨烯溶液喷涂在第二介质层表面；最后，将喷涂石墨烯溶液后的镀膜玻璃进行烘干。
将氧化石墨烯粉末放入二醇甲醚中，比例为每1克氧化石墨烯粉末配5-10毫升乙二醇甲醚，超声0.5-3 小时，得到氧化石墨烯溶液。加入过量的水合肼作为还原剂还原氧化石墨烯溶液中的氧化石墨烯，每含有1 克的氧化石墨烯的氧化石墨烯溶液需加入2-3 毫升水合肼，得到石墨烯溶液。再将所得的石墨烯溶液喷涂在第二介质层表面，最后，将喷涂石墨烯溶液后的镀膜玻璃在150℃进行烘干。
本发明相应地提供了上述的可钢化低辐射镀膜玻璃的制造方法方法，包括如下步骤：
（1）提供玻璃基底；
（2）在玻璃基底上沉积第一介质层；
（3）在第一介质层上沉积第一生长层；
（4）在第一生长层上沉积第一保护层；
（5）在第一保护层上沉积银层；
（6）在银层上沉积第二保护层；
（7）在第二保护层上沉积第二生长层；
（8）在第二生长层上沉积第二介质层；
（9）在第二介质层上喷涂石墨烯层。
在一个优选方案中，所述步骤（9）具体为：在第二介质层上喷涂石墨烯溶液并烘干以形成石墨烯层。
在本发明中，对于沉积工艺和沉积工艺的工艺参数没有具体的限制，优选地，在本发明中，第一介质层、第一生长层、第一保护层、银层、第二保护层、第二生长层和第二介质层均可以使用溅射方法沉积。对于现有技术中的多种沉积方法，本领域技术人员根据目标膜层的组成和厚度选择合适或优选的沉积工艺参数，其中，工艺参数包括可能涉及到的溅射气氛、靶材材质、溅射时间。
在本发明的一个实施方式中，第一介质层和第二介质层通过交流磁控溅射硅铝合金靶镀制，靶材中重量比Si/Al=90/10，溅射气氛为Ar与N2的混合气体，气体流量比Ar/N2=5/6。
在本发明的一个实施方式中，第一生长层和第二生长层通过脉冲直流磁控溅射AZO陶瓷靶镀制，靶材致密度大于99.5%，溅射气氛为Ar与O2的混合气体，气体流量比Ar/O2=5%。
在本发明的一个实施方式中，第一保护层和第二保护层通过直流磁控溅射镍铬合金靶镀制，靶材中重量比Ni/Cr=80/20，溅射气氛为Ar。
在本发明的一个实施方式中，金属银层通过直流磁控溅射金属银靶镀制，靶材纯度大于99.9%。
实施例1：
本实施例提供了一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基底以及其上镀制的各种膜层，膜层由内到外有7个膜层，依次为第一介质层Si3N4，厚度为50nm，；第一生长层为AZO，Al的掺杂量为2wt%，厚度为35nm；第一保护层为 NiCr，厚度为1.5nm；银层厚度为12nm；第二保护层为 NiCr，厚度为2nm；第二生长层为AZO，厚度为35nm；第二介质层为Si3N4，厚度为55nm。将所制得的LOW-E镀膜玻璃经过物理钢化处理，再采用喷涂方式制作2-5nm石墨烯层，并于150℃烘干。
实施例2：
本实施例提供了一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括已经物理钢化过的玻璃基底以及其上镀制的各种膜层，膜层由内到外有7个膜层，依次为第一介质层Si3N4，厚度为50nm；第一生长层为AZO，Al的掺杂量为2wt%，厚度为35nm；第一保护层为 NiCr，厚度为1.5nm；银层厚度为12nm；第二保护层为 NiCr，厚度为2nm；第二生长层为AZO，厚度为35nm；第二介质层为Si3N4，厚度为55nm。在所制得的LOW-E膜表面采用喷涂方式制作2-5nm石墨烯层，并于150℃烘干。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。