1.一种SiC单晶生长过程中籽晶与石墨托的连接方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)：在石墨托与SiC籽晶之间设置一个固定连接块，在所述固定连接块的上平面和下平面均旋涂光刻胶；
2)：在石墨托的下表面涂光刻胶，然后将涂有所述光刻胶的固定连接块的上平面与所述涂有光刻胶的石墨托下表面相粘接；
3)：在所述SiC籽晶的上表面涂光刻胶，然后将其与涂有所述光刻胶的所述固定连接块的下表面相互粘接；
4)：将粘结完成的SiC籽晶、固定连接块和石墨托在高温下进行退火，完成粘结过程。
2.根据权利要求1所述的连接方法，其特征在于，所述固定连接块的上下平面均具有小孔，用于将所述光刻胶涂在所述小孔中，使连接更加牢固。
3.根据权利要求1所述的连接方法，其特征在于，所述固定连接块为耐高温材料，承受温度大于1600℃。