技术总结
本发明属于电子工业和半导体材料技术领域，具体涉及一种SiC单晶生长过程中籽晶与石墨托的连接方法。包括以下步骤：第一步：在石墨托与SiC籽晶之间设置一个固定连接块，在固定连接块的上平面和下平面均旋涂光刻胶；第二步：在石墨托的下表面涂光刻胶，然后将涂有光刻胶的固定连接块的上平面与涂有光刻胶的石墨托下表面相粘接；第三步：在SiC籽晶的上表面涂光刻胶，然后将其与涂有所述光刻胶的所述固定连接块的下表面相互粘接；第四步：将粘结完成的SiC籽晶、固定连接块和石墨托在高温下进行退火，完成粘结过程。该方法采用光刻胶作为粘结材料，且采用了表面具有小孔的固定连接块作为间接连接，避免了SiC直接与石墨托相连，同时具有环保的优点。
技术研发人员：杨继胜;杨昆;高宇;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201611126130
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.05.31