一种SiC涂层石墨基座的制作方法

文档序号:11299866阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种SiC涂层石墨基座,所述石墨基座包括基座体和所述基座体上的多个口袋,其特征在于,所述口袋内有台阶,所述基座体中心位置口袋的台阶低于其他位置口袋的台阶,且所述基座体中心位置口袋的底部凸起,使得底面中心高于底面四周。

2.如权利要求1所述的SiC涂层石墨基座,其特征在于,所述基座体中心位置口袋的台阶比其他位置口袋的台阶低20-100μm,所述基座体中心位置口袋的底面中心比底面四周高5-40μm。

3.如权利要求2所述的SiC涂层石墨基座,其特征在于,所述基座体中心位置口袋的台阶比其他位置口袋的台阶低50-100μm,所述基座体中心位置口袋的底面中心比底面四周高10-40μm。

4.如权利要求3所述的SiC涂层石墨基座,其特征在于,所述基座体中心位置口袋的底面中心比底面四周高10-20μm。

5.如权利要求1-4中任一项所述的SiC涂层石墨基座,其特征在于,所述基座体具有19个4英寸口袋。

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