多年来，玻璃一直是建筑窗户和车窗以及还有显示盖板的选择材料。玻璃提供高化学和机械强度以及高透明度。玻璃还与任何种类的显示技术，如LCD、等离子显示、OLED以及大范围的触摸屏界面技术相容。例如，在电视屏幕、智能手机、移动电话、平板电脑、电子书、手表和计算机显示器上使用玻璃盖板。显示技术最近的趋势是朝着更薄、更轻和更大的装置。在运输行业(即汽车、航空)中也看到朝着更大且更轻的窗户的类似趋势。因此，已经变得有必要制造更薄的玻璃板，该玻璃盖板仍然提供所希望的光学特性以及所需的机械和化学耐受性。一种众所周知的用于强化玻璃的技术是化学强化。在化学强化中，在远低于玻璃退火点的温度下，将含碱玻璃基板浸入含有熔融碱金属盐例如像KNO3的加热浴中。发生玻璃的主体碱离子与来自熔融盐的侵入碱离子之间的离子交换。如果侵入离子在尺寸上大于主体离子，那么侵入离子在玻璃的近刚性原子网络中所产生的堆积导致形成包括高表面压缩和某一平衡的内部拉伸应力的应力分布，取决于交换的离子的量、离子交换深度和玻璃板厚度。与其他玻璃强化工艺相比，化学强化具有以下优点：它引入更高的表面压缩而没有光学变形，并且它可以应用于甚至小于1mm厚度的薄玻璃板。取决于化学强化工艺的工艺参数和玻璃基板，获得了不同的离子交换程度。离子交换程度，即玻璃基板中交换的离子的量和离子交换层的深度，产生具有在300与1300MPa之间的压缩表面应力(CS)的应力分布，并且压缩层深度(DOL)范围为从几微米到几百微米。整体强化水平由跨过玻璃基板的厚度的应力分布决定。为了获得高断裂强度，具有高DOL值和高CS值的应力分布是必需的。取决于显示装置的预期用途，化学强化的显示盖板玻璃典型地需要具有高于600MPa的压缩表面应力(CS)，并且压缩层深度(DOL)高于12μm。在化学强化中可以使用许多不同玻璃类型，它们通常含有具有相对较小的离子半径的碱离子(被称为主体离子)，如锂或钠离子，该碱离子可以与具有相对较大的离子半径的另一种离子(被称为侵入离子，例如钾、铷或铯离子)交换。玻璃基板典型地用作具有两个相反的主侧的不同尺寸的玻璃板。一些玻璃基板具有相反侧，该相反侧具有不同的离子交换特性，一个高离子交换侧和一个低离子交换侧。在高离子交换侧中，离子交换程度，即交换的离子的量和/或离子交换层的深度，在化学强化之后高于在相反的低离子交换侧上的离子交换程度。对于此类基板，已经观察到，当在玻璃板的两侧上交换的离子的量和/或离子交换的深度不同时，CS和DOL在两侧上是不同的，并且所得的跨过玻璃板的厚度的应力分布是不对称的。当应力分布是不对称的并且两侧的CS和DOL不会超过彼此时，这然后可以导致通常平坦的玻璃基板以不受控方式弯曲或翘曲。确实，在一些情况下，跨过玻璃板的厚度的应力分布是不对称的但是平衡的，所以不会发生翘曲。特别是当玻璃基板薄(例如小于1.6mm厚)时并且当需要高强化水平时，例如像用于显示盖板，翘曲的程度可能变得非常高。已经确定了这种不同的离子交换行为的一些原因。在一些情况下，接近于表面的主体离子钠的量由于在其生产期间施加的脱碱步骤可能在玻璃板的一侧较低。另一个原因可能是由于用于生产玻璃的浮法在玻璃板的一侧的表面层中存在锡，其中玻璃的底侧与熔融锡浴接触(玻璃锡侧)，并且顶侧不与熔融锡浴接触(玻璃空气侧)。玻璃底侧中的离子交换程度于是比顶侧上的离子交换程度低。避免化学强化的玻璃的翘曲的一种方式是限制强化水平。然而，玻璃可能达不到其预期用途所需的机械耐受性。避免翘曲的另一种方式是在化学强化之前抛光、蚀刻或研磨一个或两个玻璃侧，由此去除引起离子交换特性差异的表面层。然而，这种方法既费时又复杂，特别是对于大的薄玻璃基板。专利申请US2014/0305165描述了一种用于降低由化学强化引起的翘曲的方法，该方法依靠在高离子交换侧上形成含有特定量的H原子的化学气相沉积膜，该高离子交换侧例如是由浮法形成的玻璃的顶侧。膜中H原子含量的调节控制离子通过膜的扩散速率并且从而控制通过化学强化获得的应力分布。H原子含量的这种调整是必需的，不仅因为玻璃的表面层的离子交换特性对于不同的玻璃类型是不同的，而且因为在单一玻璃类型的生产期间出现波动，并且当然因为化学强化工艺条件可能改变。然而，调整化学气相沉积膜中的H原子的量并不容易。一方面，沉积涉及难以预测的复杂的物理和化学反应，另一方面在膜沉积过程本身期间不能容易地完成核实这种膜中H原子的量。此外，膜永久地保留在基板上并将对其光学特性、其表面特性(例如像粗糙度)具有影响，并且对于所有后续工艺必须考虑该膜。术语压缩表面应力(CS)：基于光学原理，如通过来自折原工业公司(OriharaIndustrialCo.Ltd.)的可商购表面应力计FSM测量的，在玻璃中的离子交换后由玻璃表面对玻璃网络的挤出效应产生的应力。离子交换层深度(DOL)：其中发生离子交换并产生压缩应力的玻璃表面层的厚度。DOL可以基于光学原理通过来自折原工业公司的可商购表面应力计FSM来测量。中心拉伸应力(CT)：在玻璃的夹层中产生并且抵消在离子交换后在玻璃的上表面与下表面之间产生的压缩应力的拉伸应力。CT可以从测量的CS和DOL值计算。翘曲：玻璃板的翘曲是与弯曲或翘曲的玻璃板的平坦度的偏差。翘曲的水平可以通过测量曲率来评估。翘曲方向可以相对于基板的选择侧为凹状或凸状的。目的本发明的目的是提供一种用于化学强化的具有两个相反主侧的玻璃基板，该玻璃基板在一侧的至少部分上通过离子注入以改变在化学强化玻璃基板时注入部分中的离子交换程度的方式进行处理。特别是，本发明的目的是提供一种用于化学强化的具有两个相反主侧的玻璃基板，该玻璃基板在一侧的至少部分上通过离子注入以改变在化学强化时的离子交换程度的方式进行处理，该改变的方式使得在化学强化基板之后在注入部分中获得受控曲率。特别地，本发明的目的是提供一种具有低离子交换侧和高离子交换侧的玻璃基板，并且其中该高离子交换侧已通过离子注入以降低在化学强化时的离子交换程度的方式进行处理，并且该玻璃基板可以用低水平翘曲化学强化或甚至同时保持基本上平坦。本发明的另一个目的是提供一种用于获得具有受控曲率并且不具有涂层的化学强化的玻璃基板的方法。特别地，本发明的目的是提供一种用于化学强化具有两个相反主侧的玻璃基板的方法，该两个相反主侧具有不同的离子交换特性，以便获得具有低水平的翘曲并且不具有涂层的化学强化的玻璃基板。本发明的另一个目的是提供一种化学强化的玻璃基板，其中离子注入分布存在于一侧的表面层中。本发明的另一个目的是提供一种具有两个相反主侧的玻璃基板，该两个相反主侧具有不同的离子交换特性，该玻璃基板是化学强化的，具有低翘曲或甚至是基本上平坦的并且不具有涂层，并且其中离子注入分布存在于一侧的表面层中。具体实施方式本发明涉及一种用于化学强化的具有相反的第一主侧和第二主侧的玻璃基板，其中该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第一注入离子，并且其中这些第一注入离子的第一注入分布是使得提供有这些第一注入离子的第一侧的部分在化学强化时示出第一受控曲率。本发明人出乎意料地发现，当玻璃基板在化学强化之前受到某一离子注入处理时，在玻璃基板侧中的离子交换程度可有所降低。基板因此在通过离子注入进行处理的该侧的表面层中呈现降低在化学强化时的离子交换程度的离子注入分布。由此它们能够改变和控制玻璃侧的离子交换程度，以便控制在化学强化玻璃基板时获得的曲率的水平和方向。即，对于给定的玻璃基板和给定的化学强化条件，通过选择由所选离子注入处理参数得到的适当离子注入分布来控制曲率。在一方面，基本上平坦的化学强化的玻璃基板因此可以通过选择实现基板相反侧的离子交换特性的平衡的离子注入参数来获得。在另一方面，具有意向曲率的化学强化的玻璃基板可以通过选择导致玻璃基板相反侧的离子交换特性的差异增加至所需程度的离子注入参数来获得。使玻璃基板侧的表面的部分经受某一离子注入处理使得此侧的部分提供有注入离子。注入离子存在于此部分的表面层中，该表面层在表面处开始并且下降到基板中的注入深度。使玻璃基板侧的表面的整体经受某一离子注入处理使得此侧的整体提供有注入离子。注入离子存在于此侧的整个表面层中，该表面层在表面处开始并且降低到基板中的注入深度。可以注入到这些基板中的离子类型分别是O、Ar、N或He的离子。这些离子可以单一电荷离子或单电荷离子和多电荷离子的混合物。多电荷离子是携带超过一个正电荷的离子。单电荷离子是携带单一正电荷的离子。注入在玻璃基板中的单电荷离子可以是单电荷离子O+、Ar+、N+或He+。注入在玻璃基板中的多电荷离子是例如O+和O2+、或Ar+、Ar2+、Ar3+、Ar4+和Ar5+、或N+、N2+和N3+、或He+和He2+。在用于化学强化的这些玻璃基板中，离子注入深度可以包括在0.1μm与1μm之间、优选地在0.1μm与0.5μm之间。在根据本发明的玻璃基板中的离子剂量优选地包括在1012离子/cm2与1018离子/cm2之间、更优选在1015离子/cm2与1018离子/cm2之间。结合本发明适用于使用的玻璃基板尤其包括具有两个相反主侧并且具有能够通过化学强化而被强化的玻璃组成的平坦的、片状玻璃基板。结合本发明适用于使用的玻璃基板可以在其相反的第一侧和第二侧上具有或不具有不同的离子交换特性。本发明的一个特定实施例涉及一种用于化学强化的具有相反的第一主侧和第二主侧的玻璃基板，其中该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第一注入离子，并且其中这些第一注入离子的第一注入分布是使得提供有这些第一注入离子的第一侧的部分在化学强化时示出第一受控曲率，并且其中除了这些第一注入离子之外，该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第二注入离子，并且其中这些第二注入离子的第二注入分布不同于该第一注入分布并且其中该第二注入分布是使得提供有第二注入离子的第一侧的部分在化学强化时示出第二受控曲率。本发明的一个特定实施例涉及一种用于化学强化的具有相反的第一主侧和第二主侧的玻璃基板，其中该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第一注入离子，并且其中这些第一注入离子的第一注入分布是使得提供有这些第一注入离子的第一侧的部分在化学强化时示出第一受控曲率。任选地，该基板的第一侧的一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第二注入离子。任选的第二注入离子的第二注入分布不同于该第一注入分布并且使得提供有第二注入离子的第一侧的部分在化学强化时示出第二受控曲率。除第一注入离子和任选第二注入离子之外，该基板的第二侧的至少部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第三注入离子，并且其中这些第三注入离子的第三注入分布是使得提供有这些第三注入离子的第二侧的部分在化学强化时示出第三受控曲率。本发明还涉及一种用于制造化学强化的玻璃基板的方法，该方法包括以下操作：a)提供具有相反的第一主侧和第二主侧的基板，其中该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第一注入离子，b)化学强化该涂覆的玻璃基板。不同的注入物或离子源可以用于制造本发明的化学强化方法中所使用的玻璃基板。这些离子源电离气体源以提供此气体的正电荷离子。根据所使用的离子源，提供用于注入到基板中的离子可以是单电荷离子或者它们可以是单电荷离子和多电荷离子的混合物。多电荷离子是携带超过一个正电荷的离子。单电荷离子是携带单一正电荷的离子。在本发明中，气体源优选地选自O2、Ar、N2和He。由离子源提供的离子类型优选地分别是O、Ar、N或He的离子。在使用单电荷离子源的情况下，注入离子优选地是单电荷离子O+、Ar+、N+或He+。当所使用的离子源是提供O、Ar、N或He的单电荷离子和多电荷离子的来源时，注入束可以包含不同量的不同O、Ar、N或He离子。对应离子的示例性电流示出在以下表1中(以微米测量)。表1在形成这些离子之后，离子源加速这些离子以便形成离子束。对于给定的离子源和离子类型，关键性离子注入参数是离子加速电压、束功率、离子剂量以及离子电流。对于给定的玻璃基板和给定的化学强化条件，通过选择适当的离子注入处理参数来控制化学强化时的曲率。取决于化学强化工艺的工艺参数和玻璃基板，获得了不同的离子交换程度。玻璃的表面层的离子交换特性对于不同玻璃类型是不同的，在生产单一玻璃类型期间出现波动并且化学强化条件取决于技术规格要求。不能给出覆盖所有可能性的一组单一注入参数。用于获得所需受控曲率的必需参数通过在以下指定范围内改变离子注入参数来找到。根据本发明，这些离子优选地已使用具有包括在1W与500W之间的束功率的离子源并使用在5与1000kV之间的离子加速电压来注入。根据本发明的离子剂量优选地包括在1012离子/cm2与1018离子/cm2之间、优选地在1015离子/cm2与1018离子/cm2之间。使用包括在5kV与1000kV之间、优选地包括在5kV与200kV之间、更优选地包括在10kV与100kV之间、更优选地在20kV与60kV之间、最优选地在约35kV下的加速电压来从离子源提取O、Ar、N或He的离子。此离子源例如是来自QuertechIngénierieS.A.的Hardion+RCE离子源。优选地选择加速电压和束功率以及每单位表面积玻璃基板的离子剂量以允许将来自该束的离子注入到具有在0.1μm与1μm之间、优选在0.1μm与0.5μm之间的厚度D的注入区或表面层内，因此达到显著注入深度。对于固定的加速电压，每个带不同电荷离子将具有与每个离子电荷数n成比例的不同注入能量。因此，这些离子的注入能量可以包括在n×5keV与n×1000keV之间、优选地包括在n×5keV与n×200keV之间、更优选地包括在n×10keV与n×100keV之间、更优选地包括在n×20keV与n×60keV之间、最优选地在约n×35keV(keV＝千电子伏)下。例如，在包含N+、N2+和N3+的离子注入束和35kV的加速电压中，分别具有1、2或3的电荷数n的N+、N2+和N3+离子将分别具有35keV、70keV和105keV的注入能量。最大注入深度将从最小能量离子(N+)到最大能量离子(N3+)增加。由于其较高的能量，携带较高电荷的离子将比携带较低电荷的离子更深地注入到基板内。因此，对于给定的总离子剂量，当仅注入简单电荷离子时获得了窄的深度分布，并且当同时注入简单电荷和多电荷离子时获得了较宽的深度分布。以这种方式，由于高局部浓度的注入离子导致的某些缺陷得以避免并且获得大注入深度。离子注入分布由注入离子类型、注入深度和注入离子剂量的深度分布构成。离子注入分布由离子注入参数获得。最重要的离子注入参数是离子加速电压、束功率、离子剂量以及离子电流。根据注入离子的性质，离子注入分布不能以任何直接方式确定。在本发明的优选实施例中，位于被处理的区域下面的被处理的玻璃基板的区域的温度是小于或等于该玻璃基板的玻璃化转变温度。此温度例如受该束的离子电流、被处理的区域在该束中的停留时间以及该基板的任何冷却手段的影响。本发明人出乎意料地发现，对于较高离子电流，简化在化学强化时的离子交换程度的降低，尽管其理由未得到充分理解。在本发明的一个实施例中，玻璃基板和离子注入束相对于彼此位移以便渐进地处理该玻璃基板的某一表面积。优选地，它们以包括在0.1mm/s与1000mm/s之间的速度VD相对于彼此位移。以适当的方式选择VD以便控制样品在该束中的停留时间，该停留时间影响被处理的区域的离子剂量和温度。在本发明的一个优选的实施例中，使用仅一种类型的注入离子。在本发明的另一个实施例中，将一种或多种类型的注入离子组合。在本发明的一个实施例中，同时或连续地使用若干离子注入束来处理该玻璃基板。在本发明的一个实施例中，通过经由离子注入束进行的单一处理获得了玻璃基板的每表面单位面积的离子总剂量。在本发明的另一个实施例中，通过经由一个或多个离子注入束进行的若干连续处理获得了玻璃基板的每表面单位面积的离子总剂量。本发明人出乎意料地发现在化学强化时玻璃基板中的离子交换程度通过将一定剂量的所选离子引入到玻璃基板的显著深度来以受控方式减小。对于给定的基板、给定的注入离子类型和给定的化学强化条件，本发明人已发现在化学强化时的曲率基本上取决于离子剂量和离子加速电压以及离子电流。因此，它们能够通过选择注入离子的离子剂量、电流和加速电压来获得可预测的曲率。在本发明的一个特定实施例中，提供一种用于化学强化的玻璃基板，其中除了第一离子注入处理之外，该基板在第一侧的至少部分上用第二离子注入处理来处理，该第二离子注入处理降低在化学强化时的离子交换程度并且不同于该第一离子注入处理。选择第二离子注入处理的参数，以使得在化学强化时在第一侧上由第二离子注入处理进行处理的基板的部分中获得第二受控曲率。本发明人发现，当在基板表面的至少部分上进行不同离子注入处理时，可以在基板的不同处理部分上获得不同的受控曲率。第一离子注入处理和第二离子注入处理的不同之处可以是离子类型、离子剂量、电流和/或加速电压。在本发明的另一个具体实施例中，提供了一种用于化学强化的玻璃基板，其中除了该第一离子注入处理或第一离子注入处理和第二离子注入处理之外，该基板在该第二表面的至少部分上用第三离子注入处理进行处理，该第三离子注入处理降低在化学强化时的离子交换程度，其中该第三离子注入处理的处理参数被选择为使得在化学强化时在第二侧上由第三离子注入处理进行处理的基板的部分中获得第三受控曲率。本发明人发现，当在两个相反的基板侧的至少部分上进行不同的离子注入处理时，可以在基板的不同处理部分上获得更加多样且不同的受控曲率。第三离子注入处理与第一离子注入处理和/或第二离子注入处理的不同之处可能是或不是离子类型、离子剂量、电流和/或加速电压。在本发明的一个特别优选的实施例中，提供一种用于化学强化的玻璃基板，该玻璃基板具有相反的第一侧和第二侧i)其中该相反的第一主侧和第二主侧在化学强化之前在其非离子注入状态中具有不同的离子交换特性，该第一主侧是高离子交换侧并且该第二主侧是低离子交换侧，ii)其中该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第一注入离子iii)其中第一注入离子的注入分布是使得在化学强化时获得包括在-0.04×1/m与0.04×1/m之间的第一受控曲率，以下解释了用于测量曲率的方法。优选地，基板在基本上整个第一侧上提供有第一注入离子，并且在化学强化时在整个基板上获得包括在-0.04×1/m与0.04×1/m之间的受控曲率。更优选地，基板在整个第一侧上提供有第一注入离子，并且在化学强化时在整个基板上获得包括在-0.01×1/m与0.01×1/m之间的受控曲率。本发明人发现，当在该高离子交换侧上存在降低在化学强化时的离子交换程度的离子注入处理时，具有在其非离子注入状态下具有不同离子交换特性的相反侧的玻璃基板可以用低曲率化学强化、甚至在基本上没有曲率的情况下化学强化。他们发现，当用某些选择的参数进行离子注入处理时，这些高交换侧的离子交换特性可以适应于相反的低离子交换侧的离子交换特性。所选离子注入参数取决于离子类型、化学强化条件和基板玻璃。他们还发现，基板的离子交换特性可以通过在玻璃基板的一侧上用某些所选参数进行离子注入处理来以受控方式失衡，以便获得所需受控区域。本发明还涉及一种用于制造化学强化的具有受控曲率的玻璃基板的方法，该方法包括以下操作：a)提供具有相反的第一主侧和第二主侧的基板a.其中该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第一注入离子，并且b.其中第一注入离子的第一注入分布是使得提供有第一注入离子的第一侧的部分在化学强化时示出第一受控曲率，b)化学强化该涂覆的玻璃基板。在本发明的一个实施例中，该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第二注入离子，并且其中第二注入离子的第二注入分布不同于第一注入分布。在本发明的另一个实施例中，第一侧的至少部分已提供有第一注入离子并且任选地基板的至少部分提供有第二注入离子并且另外地基板的第二侧的至少部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第三注入离子。在本发明的另一个实施例中，第二注入离子的注入分布是使得提供有第二注入离子的第一侧的部分在化学强化时示出第二受控曲率。在本发明的另一个聚体实施例中，第三注入离子的注入分布是使得提供有第三注入离子的第二侧的部分在化学强化时示出第三受控曲率。在本发明的特别优选的实施例中，本发明提供了一种用于化学强化玻璃基板的方法，该方法包括以下操作：b)提供具有相反的第一主侧和第二主侧的基板i)其中该相反的第一主侧和第二主侧在其非离子注入状态中具有不同的离子交换特性，该第一主侧是高离子交换侧并且该第二主侧是低离子交换侧，ii)其中该基板的第一侧的至少一部分提供有降低在化学强化时的离子交换程度的第一注入离子iii)其中第一注入离子的注入分布是使得在化学强化时获得包括在-0.04×1/m与0.04×1/m之间的第一受控曲率。c)化学强化该涂覆的玻璃基板。本发明还涉及一种基本上平坦的离子注入的、化学强化的玻璃基板。优选地，该化学强化的玻璃基板在两个相反侧上具有至少400MPa的CS值和至少6μm的DOL值。CS值优选包括在400MPa与1200MPa之间，DOL值优选包括在6μm与40μm之间。优选地，该化学强化的玻璃基板具有包括在0.1mm与3mm之间、更优选地在0.1mm与1.6mm之间的厚度。当该玻璃基板是钠钙玻璃时，两个相反侧的CS值在至少6μm的DOL值下优选为至少400MPa。当该玻璃基板是铝硅酸盐玻璃基板时，CS值优选为至少650MPa并且DOL值为至少15μm。结合本发明适用于使用的玻璃基板尤其包括具有两个相反主侧并且具有能够通过化学强化而被强化的玻璃组成的平坦的、片状玻璃基板。结合本发明适用于使用的玻璃基板可以在其相反的第一侧和第二侧上具有或不具有不同的离子交换特性。其具体实例包括钠钙硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、硅酸锂铝玻璃和硼硅酸盐玻璃、以及由各种其他种类的玻璃形成的透明玻璃板。特别经常使用钠钙玻璃和铝硅酸盐玻璃。在它们之中，优选含有具有较小离子半径的碱金属离子或碱土金属离子的玻璃，并且更优选含有Na离子的玻璃。含有Na+离子的玻璃基板能够与具有大于Na+的离子半径的碱金属离子(例如K+离子)进行离子交换。因此，即使当玻璃基板已在其侧上通过离子注入处理时，Na+离子也可以被有效地替换，从而强化玻璃。根据本发明的用于化学强化的玻璃基板的组成没有特别限制，除了它应该允许离子交换。例如，可以使用以下玻璃组成。本发明的玻璃基板的组成没有特别限制并且可以属于钠钙硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃或铝硅酸盐玻璃，或者属于仍然不同类型的玻璃，只要它含有碱。特别地，它可以通过浮法成形为平板玻璃。在本发明的某些实施例中，本发明的玻璃基板的组成是不含硼和锂的。这意味着不将元素硼和锂有意添加于玻璃批料/原料中并且如果存在，则其在玻璃板的组成中的含量仅达到生产中不可避免地包括的杂质的水平。在一个实施例中，该玻璃基板的组成包含以相对于玻璃的总重量表示的重量百分比的以下各项：在一个优选的实施例中，玻璃基板是钠钙玻璃基板或铝硅酸盐玻璃基板。有利的是，尤其是为了低生产成本的原因，该玻璃基板的组成是钠钙硅酸盐玻璃。根据这个实施例，该玻璃基板的组成包含以相对于玻璃的总重量表示的重量百分比的以下各项：优选地，该玻璃基板的组成包含以相对于玻璃的总重量表示的重量百分比的以下各项：在本发明的一个实施例中，玻璃基板是其中该相反的第一侧和第二侧在化学强化时在其非离子注入状态中具有不同的离子交换特性，该第一侧是高离子交换侧并且该第二侧是低离子交换侧。在一个优选的实施例中，玻璃基板是钠钙玻璃浮法基板或铝硅酸盐玻璃浮法基板。结合本发明适于使用的玻璃基板的厚度没有特别限制。总体上，为了进行将以下描述的有效的化学强化工艺，该玻璃基板的厚度优选为3mm或更小。在化学强化时翘曲的问题对于具有包括在0.1mm与3mm之间的厚度，特别是具有包括在0.1mm与1.6mm之间的厚度的玻璃基板是重要的，并且对于具有包括在0.1mm与0.7mm之间的厚度的玻璃基板是最重要的。当该玻璃基板具有包括在0.1mm与1.6mm之间的低厚度和高的所需强化水平时，在化学强化时翘曲的问题也变得更为重要。对于钠钙组成，翘曲问题对于至少400MPa的压缩表面应力水平和大于6μm、特别是大于8μm的压缩层深度是重要的。对于铝硅酸盐组成，翘曲问题对于至少650MPa的压缩表面应力水平和大于15μm的压缩层深度是特别重要的。一种判断玻璃基板在其相反侧上具有不同离子交换特性的方法包括以下步骤：化学增韧玻璃基板并测量翘曲或测定CS和DOL或分析并比较侵入离子在每侧表面层中的渗透分布。优选地，化学强化在熔融盐浴(优选包含KNO3)中在400℃与500℃之间的温度下进行20分钟至24小时的持续时间。然后可以通过上述方法测定CS和DOL。侵入离子在每个侧表面层中的渗透分布可以通过已知的二次离子质谱法(SIMS)或者通过已知的X射线光电子能谱法(XPS)方法来确定。侵入离子(例如像K+)的量可以在化学强化的基板上使用X射线荧光测量来比较。为了定量基板的翘曲，使用DEKTAK6M探针轮廓仪测量4×4cm2样品。该探针相继地对沿着两个3mm长正交线在样品中心处的线性轮廓作图。对于每条正交线进行三次测量，并且使用抛物线拟合和已知的微积分方法从六次测量的平均值计算曲率。按照惯例，当翘曲方向为凹状时，曲率被给予正号，当翘曲方向为凸状时，曲率被给予负号。按照惯例，浮法玻璃基板是在锡侧朝向轮廓仪的探针的情况下测量的，并且因为曲率是半径的倒数，所以单位是1/m。当曲率包括在-0.04×1/m与0.04×1/m之间或在基板中心处的曲率半径不小于25m时，玻璃基板被认为具有低翘曲或低曲率。当曲率绝对值不大于0.01×1/m或曲率半径不小于100m时，玻璃基板被认为是基本上平坦的或是基本上不具有曲率的。当曲率绝对值高于0.04×1/m时，玻璃基板被认为具有大翘曲或大曲率。对于给定剂量，离子交换特性降低程度除其他方面之外取决于离子类型。对于给定离子剂量下的较高离子交换降低，注入离子优选地选自O、Ar和N的离子，甚至更优选地选自O和Ar的离子。对于给定剂量的最高离子交换降低，注入剂量最优选地是O的离子。适用于降低在化学强化时的离子交换程度的离子剂量优选地包括在2×1016个离子/cm2与6×1017个离子/cm2之间。对于降低在化学强化玻璃、特别是具有0.5mm至0.7mm厚度的化学强化玻璃、特别是钠钙浮法玻璃上的翘曲，离子剂量优选地选自对应离子类型的以下离子剂量范围：在这些参数的情况下，可以获得具有包括在-0.041/m与0.041/m之间的曲率的化学强化基板。对于降低在化学强化玻璃、特别是具有0.5mm至0.7mm厚度的化学强化玻璃、特别是钠钙浮法玻璃上的翘曲，离子剂量优选地选自对应离子类型的以下离子剂量范围：离子类型离子剂量范围O5×1016个离子/cm2至7×1016个离子/cm2Ar9×1016个离子/cm2至1.1×1017个离子/cm2N1×1017个离子/cm2至1.5×1017个离子/cm2He3.5×1017个离子/cm2至4.5×1017个离子/cm2在这些参数的情况下，可以获得具有包括在-0.01×1/m与0.01×1/m之间的曲率的化学强化基板。适用于降低在化学强化时的离子交换程度的加速电压优选地包括在15kV与35kV之间。取决于离子注入参数、玻璃厚度和化学强化条件，可以获得至少1×1/m、至少5×1/m、并且甚至至少10×1/m的显著曲率。适合于本发明的化学强化工艺优选包括所谓的低温型离子交换，其使用与主体离子半径相比离子半径相对较大的侵入碱离子的外部来源。在离子交换过程中，侵入碱离子的外部来源可以用作熔融盐浴、喷射盐混合物、膏剂或蒸汽。用于进行离子交换过程的熔融盐的实例包括硝酸钾，以及碱金属硫酸盐和碱金属氯化物，例如像硫酸钠、硫酸钾、氯化钠和氯化钾。这些熔融盐可以单独或组合使用。化学强化工艺可以例如通过将玻璃基板浸入熔融硝酸钾浴中在400℃与500℃之间的温度下进行5分钟至24小时。如本领域技术人员将理解的，可以通过考虑玻璃的组成和厚度、所使用的熔融盐以及化学强化的玻璃的最终用途所要求的应力分布来选择离子交换的各种工艺参数。在本发明的另一个优选实施例中，化学强化通过将玻璃基板浸入熔融硝酸钾浴中在400℃与500℃之间的温度下进行24小时至48小时。发现这些条件对于获得显著的曲率水平而不破坏玻璃基板是特别有效的。本发明的化学强化的玻璃基板的最终用途的实例包括诸如数码相机、移动电话、智能电话、触摸板、PDA和触摸面板等显示装置的盖板玻璃以及任何显示盖板。根据本发明，玻璃基板中的离子注入分布因此可以用于降低在化学强化玻璃基板时的离子交换程度。根据本发明，降低在化学强化时的离子交换程度的离子注入分布因此可以在玻璃基板中用于控制在化学强化时的玻璃基板曲率。在本发明的一个优选的实施例中，离子注入分布的离子选自O、Ar、N或He的离子。在本发明的一个优选的实施例中，离子注入分布的离子是单电荷离子或单电荷离子和多电荷离子的混合物。在本发明的一个优选实施例中，离子注入分布的注入深度可以包括在0.1μm与1μm之间、优选地在0.1μm与0.5μm之间。在本发明的一个优选实施例中，离子注入分布的离子剂量可以包括在1012个离子/cm2与1018个离子/cm2之间、优选地在1015个离子/cm2与1018个离子/cm2之间。在本发明的一个优选实施例中，玻璃基板厚度包括在0.1mm与3mm之间、优选地在0.1mm与1.3mm之间。在本发明的一个优选的实施例中，玻璃基板是钠钙玻璃基板或铝硅酸盐玻璃基板。实例对比实例C1是未通过离子注入进行处理的具有0.7mm厚度的4×4cm2钠钙浮法玻璃样品。实例1至6是根据表2的参数在其空气侧上通过离子注入进行处理的具有0.7mm厚度的4×4cm2钠钙浮法玻璃样品。在真空条件下使用Hardion+RCE离子源进行离子注入。对比实例C1和实例1至6的化学强化通过放置在盒中、预热并且然后浸入熔融KNO3(>99％)浴中在430℃下持续4小时来进行。表2在化学强化、冷却并洗涤之后，如上所解释，测量样品表面压缩应力(CS)、层深度(DOL)和曲率。化学强化的基板的每侧表面层中的钾(K+)的量通过X射线荧光测量进行比较并且以千计数每秒(千计数每秒—[kcps])的任意单位给出。表3总结了这些实例的测量数据。表3如从上表可以看出，当比较C1与实例1至3时，在玻璃基板的空气侧上进行的离子注入减少了在玻璃基板的空气侧上已与Na+交换的K+的量。根据离子注入参数，可以实现不同水平的曲率。在这些样品的锡侧上，平均地，CS是618MPa，DOL是9.3μm并且K+计数是197kcps。当比较实例1与实例2时，可发现当注入的O离子的剂量从2.5×1016增加至1×1017个离子/cm2时，在化学强化时的离子交换程度在玻璃基板的处理的空气侧上有所降低。实例1与实例3的比较显示离子电流从1mA增加至2mA降低了在化学强化时的离子交换程度。如从曲率测量可以看出，对比实例C1具有显著的翘曲或显著的曲率，曲率水平超过0.04×1/m。它具有正曲率值，这意味着它在从锡侧看时是凹状的。当比较实例C1与实例1和2时，可以看出，凹状曲率首先降低并且然后在离子剂量增加时变成凸状。这显示曲率水平可以控制在宽范围内。比较实例2、4、5和6显示对于1×1017个离子/cm2的给定剂量、离子电流和加速电压，离子交换程度的降低水平从He至N至Ar至O离子增加。以上实例说明，对于给定基板并且对于给定的化学强化条件，通过制备具有不同注入参数的若干测试样品，可以合理地预测在此参数范围内的最终曲率。在化学强化之前和之后，使用光源D65和观察器角10°测量透过率(TL)和反射率(RL，空气侧)。结果示出在以下表4中。表4本发明人出乎意料地发现，化学强化的样品1至5显示比样品6或反例C1低的反射率。因此，对于注入有Ar、N或O的离子的样品，获得在化学强化时的受控曲率与抗反射的组合。对于在化学强化之后注入有O离子的样品，获得特别低的反射率。另外，本发明人发现，在包括在25与35kV之间的加速压力下在其空气侧上注入有包括在1×1017与7.5×1017个离子/cm2之间的剂量的O离子的钠钙浮法玻璃样品在化学强化之前显示约1.5％的反射率(RL，空气侧)减小。当前第1页1 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