1.一种单晶硅片的制备装置,包括制作本体，其特征在于：所述制作本体的顶部设有顶板（1），所述顶板（1）的下方设有晶种上升旋转机构（2），所述晶种上升旋转机构（2）的下方设有上护腔（3），上护腔（3）的下方设有隔离阀（5），隔离阀（5）的侧面设有直径控制传感器（19），所述隔离阀（5）的下方设有制备箱（20），所述制备箱（20）的下方设有钳锅上升旋转机构（13），制备箱（20）的侧面设有控制系统（15），所述制备箱（20）的底部设有钳锅上升旋转机构（13），控制系统（15）通过导线一端与直径控制传感器（19）连接，控制系统（15）的另一端与钳锅上升旋转机构（13）连接。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述制备箱（20）的右侧面设有真空泵（11），所述制备箱（20）的底部设有电极（12）。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述晶种上升旋转机构（2）的侧面设有氩气嘴（14）。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述制备箱（20）的内部中间上方设有晶种夹（6），所述晶种夹（6）的下方设有石墨钳锅（8），所述石墨钳锅（8）的内部设有石英钳锅（7），石英钳锅（7）的内部为硅溶液（9）。
5.根据权利要求4所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述石墨钳锅（8）的两侧设有加热组件（10），所述加热组件（10）的两侧设有绝缘层（18），所述绝缘层（18）黏贴在制备箱（20）内部两侧的侧壁上。
6.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述直径控制传感器（19）倾斜安装在隔离阀（5）的侧面。
7.实现权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置的制备方法，其特征在于：其制备方法包括以下步骤：
A、将半成品单晶硅元素放置在石英钳锅（7）中进行纯度提炼，石英钳锅（7）外侧的附加一层石墨钳锅（8），在加热过程中出现辐射散出；
B、石墨钳锅（8）外侧的加热组件对制备箱（20）中进行加热提纯；在加热提纯过程中钳锅上升旋转机构（13）将石英钳锅（7）上下升降；
C、单晶硅片的硅元素选自 N- 乙烯基哌嗪、N- 乙烯基甲基哌嗪、N- 乙烯基乙基哌嗪、N- 乙烯基 -N ＇ - 甲基哌嗪、N- 丙烯酰基哌嗪、N- 丙烯酰基 -N ＇ - 甲基哌嗪、N- 乙烯基吗啉、N- 乙烯基甲基吗啉、N- 乙烯基乙基吗啉、N- 丙烯酰基吗啉、N- 乙烯基哌啶酮、N- 乙烯基甲基哌啶酮、N- 乙烯基乙基哌啶酮、N- 丙烯酰基哌啶酮、N- 乙烯基吡咯烷酮、N- 乙烯基甲基吡咯烷酮、N- 乙烯基乙基 -2- 吡咯烷酮、N- 丙烯酰基吡咯烷酮、N- 乙烯基咔唑和 N- 丙烯酰基咔唑中的至少一种；
D、当提取的高纯度硅原料通过在不使用蚀刻掩模的情况下应用蚀刻组合物，来纹理蚀刻单晶硅片的表面，以使锥体重复形成在单晶硅片的表面上，其中，每一锥体具有从所述锥体的顶点延伸到所述锥体的底部的曲面；
E、通过延伸后的单晶硅片在模具中不断冷却成型，最终得到我们看到的单晶硅片。