技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体纳米晶，该半导体纳米晶为铜铟硫三元半导体纳米晶，其中铜、铟、硫三种元素的摩尔比为0.7‑1:0.8‑1:1.8‑2.2；所述半导体纳米晶相态单一，晶型结构为六方纤锌矿结构，阴离子硫处于晶胞中心的位置，铟、铜金属阳离子分布在顶角位置。本发明半导体纳米晶能很好地用于薄膜太阳能电池，且制备方法简单，操作便捷，适合一定规模和工业化生产。
技术研发人员：黄啸谷;张云柯;张英杰;泽仁翁姆;崔浩南;闫子寒
受保护的技术使用者：南京信息工程大学
技术研发日：2017.04.21
技术公布日：2017.08.18