晶体生长用组合式坩埚的制作方法

本实用新型涉及一种晶体生长装置，尤其涉及一种晶体生长用组合式坩埚。

背景技术：

半导体材料由于其独特的半导体性能，已经成为制作半导体器件和集成电路的电子材料的中坚力量，尤其很多半导体材料，例如砷化镓（GaAs）、锗（Ge）材料等，需要进行单晶生长之后应用于工业制造业中。

在半导体晶体生长领域中，垂直布里奇曼法（VB）、垂直梯度凝固法（VGF）等晶体生长方法，需要使用底部带有籽晶腔的锥形PBN坩埚，其由上向下依次为等径部分、放肩部分、尾部部分，坩埚的尾部部分为中空的圆柱腔体，作为装填籽晶的籽晶腔。在使用过程中，将籽晶装填至籽晶腔内，再用与籽晶腔体相匹配的氮化硼棒进行封堵。由于PBN坩埚为多次重复使用，在经过清洗、维修、清洗、烘干、充氧等一系列过程中，籽晶腔体的内径会发生变化，籽晶腔体内径的变大，会使氮化硼棒封堵不严密，造成漏氧化硼、晶体熔液等现象，极大地影响晶体生长质量，可能直接导致长晶失败，需再次制作与坩埚尾部部分内径严密匹配的氮化硼棒。

因此，需要提供一种新的晶体生长用坩埚以解决上述问题。

技术实现要素：

为了解决以上技术缺陷，本实用新型提供了一种晶体生长用组合式坩埚，保证晶体生长质量。

为实现前述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种晶体生长用组合式坩埚，其自上向下依次为等径部分、放肩部分、尾部部分，所述尾部部分呈一上大下小的截圆锥筒状；所述尾部部分设有一籽晶槽体，所述籽晶槽体的外壁紧密嵌合在所述尾部部分的内部，所述籽晶槽体设有一籽晶腔。

作为本实用新型的进一步改进，所述籽晶槽体上端面为曲面，所述曲面与所述籽晶腔的上开口围成一上大下小的截圆锥筒状腔体。

作为本实用新型的进一步改进，所述籽晶槽体呈与所述尾部部分的内壁相适应的上大下小的截圆锥筒状。

作为本实用新型的进一步改进，所述籽晶腔为圆柱状。

作为本实用新型的进一步改进，所述籽晶槽体的上、下端面与侧面均采用圆弧连接。

本实用新型彻底解决了因籽晶腔内径变化而造成液封剂、晶体熔融液泄露等问题，保证了晶体的生长质量，同一籽晶槽体可重复使用，且籽晶装填方便、简单，节省时间，提高生产效率，降低生产成本。

附图说明

图1为本实用新型整体剖面示意图。

图2为图1局部放大示意图。

图3为籽晶槽体剖面示意图。

其中，1-等径部分；2-放肩部分；3-尾部部分；31-籽晶槽体；311-籽晶腔；312-上端面；4-籽晶。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例对技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1至图3所示，一种晶体生长用组合式坩埚100，其自上向下依次为等径部分1、放肩部分2、尾部部分3，尾部部分3设有一籽晶槽体31，籽晶槽体31的设有一籽晶腔311。

尾部部分3呈一上大下小的截圆锥筒状，籽晶槽体31呈与尾部部分3的内壁相适应的上大下小的截圆锥筒状，籽晶槽体31的外壁紧密嵌合在所述尾部部分3的内部，籽晶槽体31的上、下端面与侧面均采用圆弧连接。

籽晶腔311为圆柱状，籽晶槽体31的上端面312为曲面，曲面312与籽晶腔311的上开口围成一上大下小的截圆锥筒状腔体。籽晶槽体31的上端面312也可以为平面（图中未示出）。

使用时，将相应规格的籽晶4装填至籽晶腔311内，从等径部分1的上开口放入籽晶槽体31，籽晶槽体31与尾部部分3均呈上大下小的截圆锥筒状，能够紧密嵌合在一起。

本实用新型，通过将装填好籽晶4的籽晶槽体31紧密嵌合在尾部部分3内，实现籽晶一次装填成功，不需要使用氮化硼棒对籽晶腔进行封堵，同时，尾部部分3和籽晶槽体31采用上大下小的截圆锥筒状设计，因籽晶腔内径变化而造成液封剂、晶体熔融液泄露等问题，保证了晶体的生长质量，同一籽晶槽体可重复使用，且籽晶装填方便、简单，节省时间，提高生产效率，降低生产成本。

尽管为示例目的，已经公开了本实用新型的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本实用新型的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。