一种单晶炉充气结构的制作方法

本实用新型涉及单晶炉领域，具体为一种单晶炉充气结构。

背景技术：

在直拉法硅单晶的生长过程中需向炉膛内注入氩气，而氧是主要的非故意渗入杂质,氧含量影响着硅单晶的品质，目前直拉法生长硅单晶已经处于大直径化趋势中，大直径硅单晶生长过程中含氧量更多。提高炉膛内真空度的稳定性，可以减少氧含量对晶体生长的影响。

技术实现要素：

为了有效改善氩气充入副室的均匀度，提高炉膛内真空度的稳定性，减少氧含量对晶体生长的影响，本实用新型提供一种单晶炉充气结构，其结构简单，安装方便，使用后有利于提高晶体生长品质。

本实用新型采用的技术方案是：

一种单晶炉充气结构，包括设置在上传动底板底部的环形装置，该环形装置配有一排螺钉孔，该排螺钉孔将环形装置固定在上传动底板的底面，所述环形装置还设置有气体流通槽，该气体流通槽与充入上传动底板的氩气相通，所述气体流通槽内有一排通孔，所述通孔与副室相通。

所述环形装置设置有豁口，该豁口用以避开上测温口，所述气体流通槽在豁口处用两个四氟环堵住。

本实用新型结构简单，安装方便，能有效改善氩气充入副室的均匀度，提高炉膛内真空度的稳定性，有利于提高晶体生长品质。

附图说明

以上所述仅是本实用新型专利方案概述，为了更清楚说明本实用新型的技术手段，以下结合附图与具体实施方式对本实用新型作详细说明。

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的剖视侧视图；

图3本实用新型的工作原理图；

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

参照图1至图3，本实用新型具体公开了一种单晶炉充气结构，采用一不锈钢环形装置100，该环形装置100配有一排螺钉孔2，利用该排螺钉孔2将环形装置100固定于上传动底板7的底面。该环形装置100设计有一气体流通槽5，安装后气体流通槽5与充入上传动底板7的氩气相通，气体流通槽5内有一排通孔，通孔与副室相通。通孔留有豁口3用以避开上测温口，气体流通槽5于豁口3处选用两个四氟环4堵住，此处设计加工方便，选材便宜，在满足使用要求的前提下节约了加工成本。

参照图3，经充气三通8充入上传动底板7的氩气流经上传动底板7和均气环进入环形装置100，经气体流通槽5和环形装置100上的一排充气孔1更加均匀地充入副室中。

以上对本实用新型实施例所公开的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体实施例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。