1.一种无催化先驱体浸渍裂解法原位生长碳化硅纳米线的方法，其特征在于生长工艺具有“两步法”特征，具体步骤如下：
步骤1：将聚碳硅烷pcs与溶剂配成混合溶液，然后浸渍到晶须预制体内，并在氩气气氛下固化裂解，固化温度为150℃，固化时间2h；裂解温度为900～1100℃，裂解时间为2～3h，升温速率为2～5℃/min；所述聚碳硅烷pcs与溶剂的混合质量比为1:1～1:3；所述晶须预制体的孔隙结构为两级孔隙结构，其中小孔孔径在0.3～3μm之间，大孔孔径在10～40μm之间；
步骤2：在高于裂解温度下对裂解后的材料进行热处理，热处理温度为1300～1500℃，热处理时间为2～3h，升温速率为2～5℃/min；热处理气氛为氩气气氛。
2.根据权利要求1所述无催化先驱体浸渍裂解法原位生长碳化硅纳米线的方法，其特征在于：所述溶剂包括但不限于二甲苯或二乙烯基苯。
3.根据权利要求1所述无催化先驱体浸渍裂解法原位生长碳化硅纳米线的方法，其特征在于：所述预制体为具有单晶结构的晶须构成。
4.根据权利要求1所述无催化先驱体浸渍裂解法原位生长碳化硅纳米线的方法，其特征在于：所述晶须为sic晶须、氮化硅晶须或碳化锆晶须。