、中、下不同位置附件的浓度不一样，进而导致位于晶舟上、中、下的3片监控片厚度存在差异。为了消除晶舟三个位置的厚度差异，现有的方式是通过改变所述三个位置附件的温度设定。即，增加厚度低的位置处的温度，降低厚度高的位置处的温度。同时，温度的差异势必使得多晶硅晶粒均匀度受到影响。
[0028]请参阅图1，图1所示为本发明多晶硅制备之立式炉管的结构示意图。所述多晶硅制备之立式炉管I，包括:壳体11，所述壳体11内设多晶硅制备之立式炉管I的各功能部件；外石英管12a和内石英管12b，所述外石英管12a和所述内石英管12b之间形成气体通路12c;具有硅片131的晶舟13，所述晶舟13上设置硅片131，所述晶舟13并承载在位于所述壳体11内之底部的基座14上；间隔独立设置的第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c，所述第一进气管路15a、所述第二进气管路15b，以及所述第三进气管路15c之出气口分别位于所述晶舟13的不同高度处;排气管路16，所述排气管路16设置在所述壳体11之异于所述第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c的一侧之底部。
[0029]为了更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现结合【具体实施方式】为例进行阐述。在【具体实施方式】中，所述多晶硅制备之立式炉管的各功能部件之具体尺寸、位置设置等仅为列举，不应视为对本发明技术方案的限制。
[0030]作为【具体实施方式】，所述第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c均为多晶硅制备之反应特气管路。所述反应特气管路内流通之反应特气为硅烷气体。所述多晶硅制备之立式炉管I内的温度为550?630°C。所述多晶硅制备之立式炉管I内的工艺气压为0.2?I Torr ο
[0031]为了消除反应特气之消耗引起的浓度差异，而最终导致的不同位置之多晶硅的粒径分布不均匀等缺陷，优选地，所述第一进气管路15a之出气口位于所述晶舟13之底部基座14高度处，所述第二进气管路15b之出气口位于所述晶舟13之三分一的高度处，所述第三进气管路15c之出气口位于所述晶舟13之三分二的高度处。作为本领域技术人员，容易理解地，在保持所述第一进气管路15a之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路15b和所述第三进气管路15c之反应特气流量，进而改变所述晶舟13之不同位置处的反应特气浓度，使得所述反应特气之浓度适于获得晶粒均一的多晶硅。
[0032]请参阅图2，并结合参阅图1，图2所示为通过本发明所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法流程图。通过本发明所述多晶硅制备之立式炉管I制备多晶硅的方法，包括:
[0033]执行步骤S1:将硅片131设置在位于所述立式炉管I内的晶舟13上；
[0034]执行步骤S2:在保持所述第一进气管路15a之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路15b和所述第三进气管路15c之反应特气流量，进而改变所述晶舟13之不同位置处的反应特气浓度，使得所述反应特气之浓度适于获得晶粒均一的多晶硅。
[0035]显然地，本发明多晶硅制备之立式炉管I通过设置独立且位于所述晶舟13之不同高度处的第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c，通过调整反应特气之流量，使得不同位置处的反应特气浓度均匀，进而不再需要为了达到相同的薄膜厚度去改变晶舟13上不同点的温度设定。同时，所述多晶硅制备之立式炉管I采用外石英管12a和内石英管12b的特定结构设置，可以有效的改善工艺制程自身的颗粒问题。本发明不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
[0036]综上所述，本发明多晶硅制备之立式炉管通过设置独立且位于所述晶舟之不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
[0037]本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。
【主权项】
1.一种多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管，包括: 壳体，内设多晶硅制备之立式炉管的各功能部件； 外石英管和内石英管，所述外石英管和所述内石英管之间形成气体通路； 具有硅片的晶舟，所述晶舟上设置硅片，所述晶舟并承载在位于所述壳体内之底部的基座上； 间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，所述第一进气管路、所述第二进气管路，以及所述第三进气管路之出气口分别位于所述晶舟的不同高度处； 排气管路，设置在所述壳体之异于所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路的一侧之底部。2.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路均为多晶硅制备之反应特气管路。3.如权利要求2所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述反应特气管路内流通之反应特气为硅烷气体。4.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管内的温度为550?630°C。5.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管内的工艺气压为0.2?ITorr。6.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述第一进气管路之出气口位于所述晶舟之底部基座高度处，所述第二进气管路之出气口位于所述晶舟之三分一的高度处，所述第三进气管路之出气口位于所述晶舟之三分二的高度处。7.—种如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，包括: 执行步骤SI:将硅片设置在位于所述立式炉管内的晶舟上； 执行步骤S2:在保持所述第一进气管路之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路和所述第三进气管路之反应特气流量，进而改变所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度。8.如权利要求7所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，其特征在于，所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度均匀。
【专利摘要】一种多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，外石英管和内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，晶舟上设置硅片，晶舟并承载在位于壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，第一进气管路、第二进气管路，第三进气管路之出气口分别位于晶舟的不同高度处；排气管路，设置在壳体一侧之底部。本发明通过设置独立且位于不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
【IPC分类】C30B29/06, C30B28/14
【公开号】CN105543955
【申请号】CN201610107390
【发明人】江润峰, 孙天拓, 陆叶涛
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年2月26日