芘化合物以及包含该化合物的有机发光二极管设备的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种芘化合物以及包含该化合物的有机发光二极管设备。有机发光二极管设备包括至少两个在第一电极和第二电极之间设置的叠层，以及在该叠层之间设置的包括N型电荷产生层和P型电荷产生层的电荷产生层，其中N型电荷产生层由所述芘化合物制成。
【专利说明】芘化合物以及包含该化合物的有机发光二极管设备
[0001]本申请要求2012年9月3日提出的韩国专利申请10-2012-0097357的权益，其用于所有目的在此引入作为参考，如同在此完全阐明一样。
【技术领域】
[0002]本申请涉及一种有机发光二极管设备，更具体地，涉及一种包含芘化合物的有机发光二极管设备。
【背景技术】
[0003]近几年，随着多媒体的发展，平板显示器(FPD)的重要性不断增加。为了满足需求，各种显示器例如液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场发射显示器(FED)、和有机发光二极管设备已经得到实际应用。
[0004]特别是，有机发光二极管设备是自发射设备，其表现出Ims或更少的高响应速度和低能量消耗。另外，因为有机发光二极管设备具有优良的视角，所以有机发光二极管设备作为电影画面显示介质不论设备的大小均具有优势。另外，因为有机发光二极管设备可以在低温下制造并且基于现有的半导体工艺技术其制造工艺简单，因此有机发光二极管设备作为下一代平板显示器引起广泛重视。
[0005]有机发光二极管设备包括阴极、阳极以及介于阴极和阳极之间的有机发光层。由阴极提供的电子和由阳极提供的空穴在发光层结合从而形成激子。通过激子从激发态过渡到基态，从而发射出光。
[0006]有机发光二极管设备已经开发出了多种结构。其中，已经开发出通过层叠多个发光层制成的串联型有机发光二极管设备。该有机发光二极管设备具有包括空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层的多个叠层结构。特别是，在叠层中形成包含N型和P型电荷产生层的电荷产生层，从而产生电荷或将电荷注入到各个发光层中。
[0007]然而，在电荷产生层中，由于在N型电荷产生层中的N型电荷产生层和P型电荷产生层之间的能级差，通过在邻近P型电荷产生层的空穴注入层的界面上的电荷产生而产生的电子的注入特性是不足的。当现有技术的N型电荷产生层掺杂有碱金属时，碱金属易扩散到P型电荷产生层中从而导致设备的使用寿命减少。
【发明内容】
[0008]本发明致力于提供一种芘化合物，其通过一种新型N型电荷产生层能够改进善量子效率和使用寿命，和提供包括该芘化合物的有机发光二极管设备。
[0009]一方面， 存在下述化学式I所示的芘化合物:
[0010][化学式I]
[0011]
【权利要求】
1.一种如以下化学式I所示的芘化合物: [化学式`1]
2.如权利要求1所述的芘化合物，其中R1、邻近的B包括A形成或不形成稠环。
3.如权利要求1所述的芘化合物，其中化学式I为如以下化学式2至8所示， [化学式2] [化学式3]
4.如权利要求1所述的芘化合物，其中化学式I表示的化合物以下述Pl至P26的化合物表示，
5.如权利要求1所述的芘化合物,其中化学式I中的至少一个取代基在芘的1、3、6和8位取代。
6.—种有机发光二极管设备,包括: 至少两个在第一电极和第二电极之间设置的叠层；以及 在所述叠层之间设置的包括N型电荷产生层和P型电荷产生层的电荷产生层，其中所述N型电荷产生层由根据权利要求1-5中任一项所述的芘化合物制成。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管设备，其中每个叠层包括在叠层的一面形成的空穴注入层和空穴传输层和在叠层的另一面形成的电子传输层，同时将发光层穿插于其间。
8.如权利要求6所述的有机发光二极管设备，其中所述叠层中与第二电极相邻的叠层中进一步包括电子注入层。
9.如权利要求6所述的有机发光二极管设备，其中所述叠层的发光层各自发出不同颜色的光。
10.如权利要求6所述的有机发光二极管设备,其中N型电荷产生层掺杂有碱金属。
【文档编号】C07D471/04GK103664748SQ201210595827
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年12月18日 优先权日:2012年9月3日
【发明者】金信韩, 徐正大, 金孝锡, 丁荣观, 全银珠 申请人:乐金显示有限公司