潜伏性催化剂的制造方法和环氧树脂组合物的制作方法

专利名称：：潜伏性催化剂的制造方法和环氧树脂组合物的制作方法
技术领域：
：本发明涉及潜伏性催化剂的制造方法，还涉及一种环氧树脂组合物。技术背景作为封装半导体器件(如IC和LSI)制造半导体器件的方法，由于成本低且适于大规模生产，广泛使用采用环氧树脂组合物进行传递成型的方法。半导体器件的特性和可靠性通过改进作为固化剂的环氧树脂或酚醛树脂而提高。然而，随着现在的市场趋势向着小尺寸、轻重量和高性能的电子设备的发展，用于此类设备的半导体的集成度逐年增长，并促进了半导体器件的表面装配。在这种情况下，对于包封半导体芯片所用的环氧树脂组合物有非常严格的要求。于是出现了一些传统环氧树脂组合物解决不了的问题。目前要求包封半导体芯片所用的材料具有高流动性，该高流动性不会由于为了提高快速固化性能并从而提高生产效率以及为了提高被包封的半导体的耐热性和可靠性而大量加入的无机填料而有所减损。将具有良好快速固化性能的叔膦和醌的加成反应产物作为固化促进剂加入到用于电学领域和电子材料的环氧树脂组合物中，目的是促进固化时树脂的固化反应(参见专利文献l)。此类固化促进剂即使在较低的温度下也可表现出固化促进作用。因此，尽管是轻微的，固化反应甚至在起始阶段就已经被促进了，且由于这样的反应，使树脂组合物的分子量有所增长。增长的分子量使树脂粘度增加。结果是含有大量为提高可靠性而加入的填料的树脂组合物由于欠缺流动性弓胞例如模制缺陷等的问题。为提高固化促进剂的流动性，迄今为止人们采用抑制固化性的组分进行了各种试验，以保护组合物中的反应性基质。例如，人们已经为保护固化促进剂的活性位点而采用离子对以提供潜伏性而进行了研究，且己知多种具有有机酸和磷鐵离子这一盐结构的潜伏性催化剂(参见专利文献2和3)。然而，在此类具有常规盐结构的潜伏性催化剂中，从固化反应的起始阶段到终止阶段的所有时间，所述盐结构都含有固化抑制组分，因此此类盐虽然能获得流动性，但并不能获得充分的固化性。也就是说，传统的潜伏性催化剂不能同时满足流动性和固化性。近些年，对可以在模制时满足固化性和流动性两者的潜伏性催化剂已经进行了研究，其在模制时作为热固性树脂(例如环氧树脂)的固化促进剂。说明具有螯合结构的鑰盐在模制时可以实现储存稳定性和固化性能/流动性，因此具有理想的性质(参见专利文献4)。已知的作为这样的具有螯合结构的鎗盐的合成方法是从螯合型阴离子的钠盐中除去钠(所述钠盐通过金属氢氧化物的中和反应得到)，并在水中或水和有机溶剂的混合溶剂中形成卤盐(参见专利文献5)。当该合成方法应用到合成具有螯合结构的硅酸辚时，金属氢氧化物的中和所产生的水或溶液中的水会使原料三垸氧基硅烷在碱性条件下发生水解/縮聚反应，从而产生副产物硅氧烷聚合物。这导致难以获得高产率高纯度的目标产物硅酸辚。专利文献1:JP10-025335A(第2页)专利文献2:JP2001-98053A(第5页)专利文献3:USP4,171,420(第24页)专利文献4:JP11-5829A(第34页)专利文献5:JP2003-277510A(第56页)
发明内容本发明要解决的问题本发明的目的是提供一种高产率地制造潜伏性催化剂的方法，该潜伏性催化剂可以提供在模制时具有良好固化性能和流动性的环氧树脂，并提供高质量的成型品，特别是具有优异耐湿可靠性的成型品。解决问题的方法为了解决上述问题，本发明人进行了广泛的研究。结果他们得到了以下发现并完成了本发明。他们发现当硅酸辚潜伏性催化剂是通过将具有可以与硅原子键合形成螯合结构的基团的质子供体与三烷氧基硅烷化合物和磷鐺盐反应而制得时，反应在金属醇盐存在的条件下进行可以高产率制备潜伏性催化剂，该潜伏性催化剂可以提供在模制时具有良好固化性能和流动性的环氧树脂，并提供高质量的成型品，特别是具有优异耐湿可靠性的成型品。具体而言，本发明的目的通过以下发明(1)(7)而实现。(1)硅酸辚潜伏性催化剂的制造方法，其包括使由下述式(1)表示的质子供体(A)，三烷氧基硅烷化合物(B)和由下述式(2)表示的磷鐵盐化合物(D)反应，其中反应在金属醇盐化合物(c)存在条件下进行[化学式1][其中^和ys可以相同或不同，并各自表示由供给质子的取代基通过释放质子而得到的基团，力代表取代或未取代的有机基团，其与供给质子的取代基Y111和Y2H键合，且在同一分子中的两个取代基Y1和Y2能够与硅原子键合形成螯合结构]，[化学式2][其中R1、Rz、RJ和R4可以相同或不同，并各自表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，或表示取代或未取代的脂肪族基团，且X—代表卤离子、氢氧根离子或由供给质子的取代基通过释放质子而得到的阴离子]。(2)根据(1)所述的硅酸辚潜伏性催化剂的制造方法，其中由式(1)表示的质子供体(A)和三烷氧基硅垸化合物(B)可以在金属醇盐化合物(C)存在下在有机溶剂中预先反应。(3)根据(1)或(2)所述的硅酸辚潜伏性催化剂的制造方法，其中由式(1)表示的质子供体(A)是由下述式(3)表示的芳香二羟基化合物[化学式3]HO"~Afl—OH(3)[其中Ar'表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，且由有机基团Ai^上的两个OH基团通过释放质子得到的两个氧阴离子能够与硅原子键合形成螯合结构]。(4滩据(1)~(3)中任一项所述的硅酸鳞潜伏性催化剂的制造方法，其中由式(2)表示的磷鐵盐化合物(D)是由下述式(4)表示的季磷鎗盐[其中R5、R6、R7和RS可以相同或不同，并各自表示选自氢原子、甲基、甲氧基和羟基中的一种基团，且X—代表卤离子、氢氧根离子或由供给质子的取代基通过释放质子而得到的阴离子]。(5)根据(1)(4)中任一项所述的硅酸辚潜伏性催化剂的制造方法，其中所述硅酸鳞潜伏性催化剂是由下述式(5)表示的硅酸鱗化合物[其中R9、R1Q、R"和R^可以相同或不同，并各自表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，或表示取代或未取代的脂肪族基团，Y3、Y4、f和YS各自表示由供给质子的取代基通过释放质子而得到的基团，f代表取代或未取代的有机基团，其与^和￥4键合，且在同一分子中的两个取代基Y3和Y"能够与硅原子键合形成螯合结构，f代表取代或未取代的有机基团，其与Y5和Y6键合，且在同一分子中的两个取代基Y5和Y6能够与硅原子键合形成螯合结构，且A1代表有机基团]。(6)根据(1)~(5)中任一项所述的硅酸辚潜伏性催化剂的制造方法，其中所述硅酸鳞潜伏性催化剂是由下述式(6)表示的硅酸鳞化合物[化学式4][化学式5][化学式6][其中R13、R14、R"和R"可以相同或不同，并各自表示选自氢原子、甲基、甲氧基和羟基中的一种基团，&2表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，由有机基团A^上的两个OH基团通过释放质子得到的两个氧阴离子能够与硅原子键合形成螯合结构，且A"戈表有机基团]。(7)环氧树脂组合物，其包括在一个分子中具有至少两个环氧基的化合物(E)，在一个分子中具有至少两个酚羟基的化合物(F)，和由(1)~(6)中任一项所述的制造方法所得到的硅酸鳞潜伏性催化剂(G)。本发明的优点本发明的潜伏性催化剂的制造方法能够以高产率制备包括硅酸鳞的潜伏性催化剂。本发明所得的潜伏性催化剂对于加速固化环氧树脂特别有效。含有该潜伏性催化剂的氧树脂组合物可以同时满足优异的流动性、储存稳定性和固化性能。图1是反应产物Gl的'H-NMR图谱。本发明的最佳实施方式下面将说明本发明的潜伏性催化剂的制造方法的优选实施方式。本发明所用的式(1)的质子供体(A)的分子中具有两个供给质子的取代基，该取代基可以与硅原子键合形成螯合结构。可以使用一种或多种这样的化合物作为质子供体。在由式(1)表示的具有供给质子的取代基的化合物(H^力YSH)中，取代基Z1是与取代基Y1和Y卩键合的取代的或未取代的有机基团，且在同一分子中的取代基Y'和￥2各自为由供给质子的取代基通过释放质子得到的基团，且其可以与硅原子键合形成螯合结构。取代基Y1和Y2可以相同或不同。这样的取代基Zi的实例包括如乙撑和环己撑等的脂肪族有机基团、如苯撑、萘撑和联苯撑等的具有芳环的有机基团、如吡啶和喹喔啉基等的具有杂环的有机基团。这些基团各自在其邻位具有取代基^和Y2。联苯撑基团包括例如在2,2'-位上具有取代基Y1和Y2的联苯撑。取代的有机基团中作为取代基Zi的取代基的实例包括脂肪族烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基和己基，芳香基团，例如苯基，烷氧基，例如甲氧基和乙氧基，以及如硝基、氰基、羟基和卤素等基团。取代基Y1和Y2的实例包括氧原子、硫原子和羧酸根基团。式(l)的具有供给质子的取代基的化合物(HY^Y211)的实例包括脂肪族羟基化合物，例如1，2-环己二醇、1，2-乙二醇、3，4-二羟基-3-环丁烯-1,2-二酮和甘油，脂肪族羧酸化合物，例如乙醇酸和硫代乙酸，芳香羟基化合物，例如安息香、儿茶酚、焦酚、没食子酸丙酯、丹宁酸、2-羟基苯胺、2-羟基苄醇、1,2-二羟基萘和2,3-二羟基萘，以及芳香羧酸化合物，例如水杨酸、l-羟基-2-萘甲酸和3-羟基-2-萘甲酸。这些质子供体中，从硅酸根阴离子在潜伏性催化剂中的稳定性考虑，更优选式(3)表示的芳香二羟基化合物。在式(3)表示的芳香二羟基化合物中，取代基ArM戈表具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团。由有机基团Ar1上的两个OH基团通过释放质子得到的两个氧阴离子可以与硅原子键合形成螯合结构。这样的取代基Ar1的实例包括如苯撑、萘撑和联苯撑等具有芳环的有机基团和如吡啶和喹喔啉基等具有杂环的有机基团。这些基团在其邻位具有OH基。联苯撑基团包括例如在2,2'-位上具有OH基的联苯撑。具有取代的芳环或杂环的作为取代基Ar1的有机基团中的取代基的实例包括脂肪族垸基，例如甲基、乙基、丙基和丁基，芳香基团，例如苯基，烷氧基，例如甲氧基和乙氧基，以及如硝基、氰基、羟基和卤素等基团。式(3)表示的芳香二羟基化合物(HO-Ar'-OH)的实例包括具有带芳香环的有机基团的芳香羟基化合物，例如儿茶酚、焦酚、没食子酸丙酯、1,2-二羟基萘、2,3-二羟基萘、1，8-二羟基萘、2，2'-双酚和丹宁酸，具有带杂环的有机基团的二羟基化合物，例如2，3-二羟基吡啶和2,3-二羟基喹喔啉。其中，从硅酸根阴离子在潜伏性催化剂中的稳定性考虑，更优选儿茶酚、2,2'-双酚、1，2-二羟基萘和2，3-二羟基萘。用于本发明的三烷氧基硅烷化合物(B)的实例包括具有带取代或未取代的芳香环的基团的三垸氧基硅烷化合物、具有取代或未取代的脂肪族基团的三烷氧基硅烷化合物、和具有带取代或未取代的杂环的基团的三烷氧基硅烷化合物。具有芳香环的基团包括苯基、五氟苯基、苄基、甲氧基苯基、甲苯基、氟苯基、氯苯基、溴苯基、硝基苯基、氰苯基、氨基苯基、氨基苯氧基、N-苯基苯胺、N-苯基苯胺丙基、苯氧基丙基、苯基乙炔基、茚基、萘基和联苯基；脂肪族基团包括甲基、乙基、丙基、丁基、己基、縮水甘油醚氧基丙基(glycidyloxypropyl)、巯基丙基、氨基丙基、苯胺基丙基、丁基、己基、辛基、氯甲基、溴甲基、氯丙基、氰丙基、二乙基氨基、乙烯基、烯丙基、甲基丙烯酸氧基甲基(methacryloxymethyl)、甲基丙烯酸氧基丙基、戊二烯基、双环庚基、双环庚烯基和乙炔基；和带杂环的基团，其包括吡啶基、吡咯啉基、咪唑基、茚基(indonyl)、三唑基、苯并三唑基、咔唑基、三嗪基、哌啶基、喹啉基、吗啉基、呋喃基、糠基和噻吩基。其中，从硅酸根阴离子在潜伏性催化剂中的稳定性考虑，更优选乙烯基、苯基、萘基和縮水甘油醚氧基丙基。作为这样的三垸氧基硅垸化合物(B)的具体实例，具有带取代或未取代的芳香环的基团的三烷氧基硅烷化合物包括苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅垸、五氟苯基三乙氧基硅烷、1-萘基三甲氧基硅烷和(N-苯基氨基丙基)三甲氧基硅烷；具有取代或未取代的脂肪族基团的三烷氧基硅烷化合物，其包括甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅垸、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅垸、己基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧丙基(3-glycidoxypropyl)三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅垸和3-氨基丙基三甲氧基硅烷；具有带取代或未取代的杂环的基团的三垸氧基硅烷化合物，其包括2-(三甲氧基甲硅垸乙基)吡啶和N-(3-三甲氧基甲硅垸丙基)吡咯。脂肪族基团中的取代基的实例包括縮水甘油基、巯基和氨基，同时在芳香环或杂环基团中的取代基包括甲基、乙基、羟基和氨基。本发明所用的金属醇盐化合物(C)的实例包括碱金属的醇盐化合物，例如甲醇钠、乙醇钠、叔丁醇钠和丁醇钾。其中，考虑到成本，优选甲醇钠。本发明所用的式(2)的磷鎗盐化合物(D)是包括四取代的磷鐺阳离子和阴离子的季磷鎗盐化合物。—在构成式(2)表示的磷鎗盐化合物的阳离子基团中，与磷原子键合的取代基R1、R2、RS和W各自代表具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，或代表取代或未取代的脂肪族基团。它们各自可以相同或不同。作为取代基R1、R2、RS或R4，具有取代或未取代的芳香环的有机基团为例如苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基、萘基、羟基萘基或苄基，具有取代或未取代的杂环的有机基团为例如呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、嘧啶基、哌啶基、喷哚基、吗啉基、喹啉基、异喹啉基、咪唑基或噁唑基；取代或未取代的脂肪族基团为例如甲基、乙基、n-丁基、n-辛基或环己基。其中，从潜伏性催化剂的反应活性和磷鎗阳离子的稳定性考虑，更优选取代或未取代的芳香基团，例如苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基或羟基萘基。具有取代的芳香环或取代的杂环的有机基团中的取代基或取代的脂肪族基团中的取代基的实例包括例如甲基、乙基和丙基等脂肪族基团，例如苯基等芳香族基团，例如甲氧基和乙氧基等垸氧基，以及如硝基、氰基、羟基和卤素等基团。在构成式(2)的磷鐵盐化合物的阴离子基团中，X—代表卤离子、氢氧根离子或由供给质子的基团通过释放质子而得到的阴离子。卤离子的实例包括氟离子、氯离子、溴离子和碘离子，同时那些由供给质子的基团通过释放质子而得到的阴离子包括无机酸(例如硫酸和硝酸)阴离子，脂族羧酸或芳族羧酸(例如乙酸、苯甲酸、联苯基羧酸和萘羧酸)的羧酸根离子，酚、双酚(bisphenol)、二羟基联苯(biphenol)或羟基萘的氧阴离子，巯基化合物(例如苯硫酚和硫代儿茶酚)的硫醇(thiolate)阴离子，以及有机磺酸(例如甲苯磺酸和三氟甲磺酸)的磺酸阴离子。磷鎗盐化合物的具体实例包括具有卤阴离子的化合物，例如四-n-丁基溴化辚、乙基三苯基溴化鱗、苄基三苯基溴化鳞、3-羟基苯基三苯基溴化鳞、IS-二羟基苯基三苯基溴化鱗、四苯基溴化鱗和四(4-甲基苯基)溴化鳞，具有羧酸阴离子的化合物，例如四丁基苯甲辚，和具有酚盐(phenolate)阴离子的化合物，例如四苯基鱗-双酚盐。这些磷鑰盐化合物中，从潜伏性催化剂的反应活性和辚阳离子的稳定性考虑，更优选四芳基-取代的磷鐺盐分子化合物，其为式(4)表示的季磷鎗盐化合物。在构成式(4)表示的季磷鎗盐化合物的磷鎗阳离子基团中，与苯基键合的取代基R5、R6、W和RS各自代表选自氢原子、甲基、甲氧基和羟基中的一种基团。它们可以各自相同或不同。在构成季磷鐺盐化合物的阴离子基团中，X—代表卤离子、氢氧根离子或由供给质子的基团通过释放质子而得到的阴离子。卤离子和由供给质子的基团通过释放质子而得到的阴离子与上述列举的构成式(2)表示的磷鐺盐的阴离子相似。季磷鎗盐化合物的具体实例包括3-羟基苯基三苯基溴化鳞、2,5-二羟基苯基三苯基溴化鱗、四苯基溴化辚、四(4-甲基苯基)溴化鱗和四苯基鱗-双酚盐。下面将说明本发明的潜伏性催化剂的制造方法。本发明的潜伏性催化剂的制造方法包括使由式(1)表示的质子供体(A)，三垸氧基硅垸化合物(B)和由式(2)表示的磷鑰盐化合物(D)反应，其中反应在金属醇盐化合物(C)存在条件下进行。其实例包括取决于合成路径的方法，该路径包括将一种或多种式(1)表示的质子供体(A)与三烷氧基硅烷化合物(B)在例如醇等可以溶解这些化合物的有机溶剂中混合，向所得混合物直接加入(金属醇盐化合物(C)，然后加入并混合式(2)表示的磷鎗盐化合物。或者，在本发明中，质子供体(A)、三烷氧基硅垸化合物(B)和磷鎗盐化合物(D)在金属醇盐化合物(C)存在条件下混合以合成潜伏性催化剂。这里所用金属醇盐化合物(C)可以是通过将其预先溶解在有机溶剂中得到的溶液形式。式(2)的磷鑰盐化合物(D)可以为固体或通过将其预先溶解在有机溶剂中得到的溶液形式。硅酸鳞潜伏性催化剂可以通过上述制造方法高产率地合成。上述反应甚至可以以没有溶剂的方式进行，但是从反应均一性和产率考虑，优选在有机溶剂中进行。更优选反应在醇溶剂，例如甲醇、乙醇或丙醇中进行。在上述反应中，反应优选在质子供体(A):三垸氧基硅垸化合物(B)的加入摩尔比，即(A)/(B)，在0.55的范围内进行。从产率和纯度考虑，更优选比例在1.52.5的范围内。反应优选在质子供体(A):金属醇盐化合物(C)的加入摩尔比，即(A)/(C)在0.55的范围内进行。从产率和纯度考虑，更优选比例在1.52.5的范围内。反应优选在质子供体(A):磷鎿盐化合物(D)的加入摩尔比，即(A)/(D)在0.55的范围内进行。从产率和纯度考虑，更优选比例在1.52.5的范围内。反应在室温下进行良好，但是反应可以在加热下进行以便在短时间内有效地制备所需要的潜伏性催化剂。上述反应所得的反应产物可以通过用醇溶剂(例如甲醇或乙醇)、醚溶剂(例如乙醚或四氢呋喃)或脂族烃溶剂(例如正己垸)洗涤纯化而提高纯度。本发明的潜伏性催化剂的制造方法不限于上述方法，虽然上述合成反应路线是很常用的。上述制造方法所得的潜伏性催化剂优选为式(5)表示的硅酸辚化合物。在构成式(5)表示的硅酸鳞化合物的阳离子基团中，与磷原子键合的取代基R9、R1Q、R"和R^各自表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，或取代或未取代的脂肪族基团，且它们可以相同或不同。这些取代基R9、R1Q、R"和F^与上述列举在式(2)中的取代基R1、R2、RS和W相似。从潜伏性催化剂的反应活性和磷鐺阳离子的稳定性考虑，更优选具有取代的或未取代的芳香环的有机基团，例如苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基和羟基萘基。在构成式(5)表示的硅酸鳞化合物的硅酸根阴离子中，取代基Y3和Y4各自为由供给质子的取代基通过释放质子得到的基团，且在相同分子中的取代基Y3和Y4与硅原子键合形成螯合结构。取代基Y5和Y6各自为由供给质子的取代基通过释放质子得到的基团，且在同一分子中的取代基f和V与与硅原子键合形成螯合结构。取代基Y3、Y4、Y^卩yS可以相同或不同。取代基ZM戈表与取代基圹和￥4键合的有机基团，同时取代基^是与取代基ys和V键合的有机基团。取代基Y3、Y4、ys和V的实例与在由式(1)表示的质子供体中所列举的作为取代基^和Y2的取代基相似，同时22和^的实例与在由式(1)表示的质子供体中所列举的作为取代基Z1的取代基相似。在构成式(5)表示的硅酸辚化合物的硅酸根阴离子中通过YSZ、1和Y5Z3Y6表示的基团是由化合物(HY^Y力和HYY^)通过释放质子得到的基团。其实例与由具有供给质子的取代基的式(1)的化合物(HY^iYZH)通过释放质子(H)得到的基团相似。其中，从硅酸根阴离子在潜伏性催化剂中的稳定性考虑，更优选由儿茶酚、1,2-二羟基萘或2，3-二羟基萘通过释放质子得到的基团。在构成式(5)表示的硅酸辚化合物的硅酸根阴离子中，Ai表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团或取代或未取代的脂肪族基团。其具体实例与在三烷氧基硅烷化合物(B)中具有取代的或未取代的芳香环的基团，具有取代或未取代的脂肪族基团，和具有取代的或未取代的杂环的基团相似。其中，从硅酸根阴离子在潜伏性催化剂中的稳定性考虑，更优选乙烯基、苯基、萘基和縮水甘油醚氧基丙基。作为上述制造方法可得的潜伏性催化剂，更加优选式(6)表示的硅酸辚化合物。在构成式(6)表示的硅酸辚化合物的阳离子基团中，与苯基键合的取代基R13、R14、R"和R"与构成式(4)表示的季磷鑰盐化合物的磷鐵阳离子基团中与苯基键合的取代基R5、R6、W和RS相似。在构成式(6)表示的硅酸辚化合物的硅酸根阴离子中，&2代表具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团。由有机基团&2上的两个OH基团通过释放质子得到的两个氧阴离子可以与硅原子键合形成螯合结构。&2的实例与在由式(3)表示的芳香二羟基化合物中所列举的Ai^相似。式(6)表示的硅酸辚化合物中由0-A^O表示的基团是由具有供给质子的取代基的化合物通过释放质子得到的基团。其实例与上述由式(3)表示的芳香二羟基化合物(HO-ArLOH)通过释放质子得到的基团相似。其中，从硅酸根阴离子在潜伏性催化剂中的稳定性考虑，更优选由儿茶酚、2'，2-二羟基联苯、1,2-二羟基萘或2,3-二羟基萘通过释放质子得到的基团。在构成式(6)表示的硅酸鳞化合物的硅酸根阴离子中，八2表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团或取代或未取代的脂肪族基团。其具体实例与在三烷氧基硅烷化合物(B)中具有取代的或未取代的芳香环的基团，具有取代或未取代的脂肪族基团，和具有取代的或未取代的杂环的基团相似。其中，从硅酸根阴离子在潜伏性催化剂中的稳定性考虑，更优选乙烯基、苯基、萘基和縮水甘油醚氧基丙基。下面将说明使用通过本发明得到的潜伏性催化剂的环氧树脂组合物。本发明的环氧树脂组合物含有在一个分子中具有至少两个环氧基的化合物(E)，在一个分子中具有至少两个酚式羟基的化合物(F)，和上述得到的潜伏性催化剂(G)，且其任选进一步含有无机填料(H)。对于本发明所用的在一个分子中具有至少两个环氧基团的化合物(E)没有特别的限制，只要其在一个分子中具有至少两个环氧基基团即可。这样的化合物(E)的实例包括诸如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂和溴化双酚型环氧树脂等双酚型环氧树脂；联苯型环氧树脂、联苯芳烷基型环氧树脂、芪型环氧树脂、苯酚-酚醛清漆型环氧树脂、甲酚-酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、二羟基苯型环氧树脂；通过表氯醇与苯酚、酚醛树脂或萘酚的羟基进行反应而得到的环氧化合物；用过酸氧化烯烃后进行环氧化反应制备得到的环氧树脂；縮水甘油酯型环氧树脂以及縮水甘油基胺型环氧树脂。这些化合物可单独使用，也可两种或两种以上联合使用。用于本发明的在一个分子中具有至少两个酚式羟基的化合物(F)在一个分子中具有至少两个酚式羟基，并作为化合物(E)的固化剂。这样的化合物(F)包括苯酚-酚醛清漆树脂、甲酚-酚醛清漆树脂、双酚树脂、苯酚芳垸基树脂、联苯基芳垸基树脂、三苯酚树脂、亚二甲苯基改性的酚醛清漆树脂、萜烯改性的酚醛清漆树脂和二环戊二烯改性的酚醛树脂。这些化合物可单独使用，也可两种或两种以上联合使用。当本发明的环氧树脂组合物用于密封例如半导体元件等的电子部件时，为了提高所得半导体器件的抗焊接性，可将作为任选的组合的无机填f斗(H)与环氧树脂组合物合并(混合)。对无机填料的类型并无特别限制，可以使用任何通用于密封材料的那些无机填料。尽管在含有通过本发明获得的潜伏性催化剂(G)的环氧树脂组合物中未对潜伏性催化剂(G)的含量作特别限制，但对应每100重量份化合物(E)和化合物(F)的总重量其加入量优选为约0.0120重量份，更优选约0.110重量份。在此范围内，环氧树脂组合物在固化性、流动性、储存稳定性和其固化产品的性能之间获得了很好的平衡。此外，对于在一个分子中具有至少两个环氧基团的化合物(E)与在一个分子中具有至少两个酚式羟基基团的化合物(F)的混合比例没有特别限制，但是优选为对应每lmol的化合物(E)的环氧基团，化合物(F)中的酚式羟基基团为约0.52mol，更优选为约0.71.5mol。当混合比例在此范围内时，所得环氧树脂组合物在各种性能间保持了合适的平衡，且各种性能得到了进一步改善。尽管未对无机填料(H)的含量作特别限制，对应于100重量份的化合物(E)和化合物(F)总重量，无机填料(H)的加入量优选为约200~2400重量份，更优选为约400~1400重量份。无机填料(H)的含量可以在上述范围之外。当含量小于该范围的下限时，则无机填料(H)不足以显示增强效果。另一方面，当无机填料(H)的含量超过该范围的上限，则环氧树脂在其成型期间(如在制造半导体器件期间)的流动性可能会降低并可能因此而导致填充不充分等。对应每100重量份的化合物(E)和化合物(F)的总重量，优选无机填料(H)的含量落入400-1400重量份的范围，因为这样环氧树脂的固化产品具有较低吸湿性，从而防止出现焊接龟裂。具有这样含量的无机填料(H)的环氧树脂组合物在加热熔化时具有良好的流动性，并因此能有效地防止半导体器件内部出现金线变形。本发明的环氧树脂组合物含有在一个分子中具有至少两个环氧基的化合物(E)，在一个分子中具有至少两个酚式羟基的化合物(F)，和上述得到的潜伏性催化齐IJ(G)，且其任选含有无机填料(H)。另外，如果需要，还可以加入各种添加剂，例如偶联剂如垸氧基硅烷(例如，3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅垸、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅垸、3-脲基丙基三乙氧基硅烷或苯基三甲氧基硅烷)、钛酸酯或铝酸酯；着色剂，如碳黑；阻燃剂如溴化环氧树脂、氧化锑、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化锌或磷化合物；低应力成分如硅油或硅橡胶；天然蜡如棕榈蜡；合成蜡如聚乙烯蜡；脱模剂如高级脂肪酸或其金属盐，例如硬脂酸或硬脂酸锌、或石蜡；离子捕获剂如含镁、含铝、含钛或含铋的离子捕获剂；和铋抗氧化剂。而且，本发明的环氧树脂组合物可以含有上述化合物(E)和化合物(F)以外的其它树脂作为树脂成分，只要其对于解决本发明的问题没有负面效应。本发明的环氧树脂组合物可以用混合器通过均匀混合上述组分和任选的其他添加剂而获得。或者，可以在加热下用捏合机械捏合在常温下得到的混合物，然后冷却并研磨而得到，所述捏合机械例如是辊、捏合机(kneader)、双螺杆挤出机(co-kneader或twin-screwextruder)。当所得环氧树脂组合物为粉末状时，其可以通过加压而压成片，以便改善使用时的可加工性。当本发明的环氧树脂组合物用于密封例如半导体元件等各种电子部^K以制造半导体器件时，其通过传递模塑，压縮模塑或喷射模塑等常规成型方法进行固化和成型。实施例下面将说明本发明的具体实施例。C实施例1)将32.0g(0.20mol)2,3-二羟基萘、19.6g(0.10mol)3-巯基丙基三甲氧基硅烷和150mL乙醇置入装配有冷凝器和搅拌器的可分离的烧瓶(体积500mL)中，其在搅拌下均匀溶解。在搅拌下，将预先在20mL乙醇中溶解5.40g(0.10mol)甲醇钠得到的溶剂滴加到烧瓶中。然后将预先在100mL乙醇中溶解41.9g(0.10mol)四苯基溴化鳞得到的溶液缓缓地滴加到烧瓶中沉淀晶体。通过过滤纯化沉淀的晶体，用水洗涤并真空干燥，从而得到化合物G1。用tH-NMR、质谱和元素分析对化合物Gl进行分析，分析结果确认了所得化合物G1是预期的下述式(7)的硅酸鳞。化合物G1的产率是91%。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(实施例2)按照实施例1的方法进行合成，不同在于使用23.6g(0.10mol)3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷代替3-巯基丙基三甲氧基硅垸，因而得到纯化晶体化合物G2。用'H-NMR、质谱和元素分析对化合物G2进行分析，分析结果确认了所得化合物G2是预期的下述式(8)的硅酸鳞。化合物G2的产率是88°/。。[化学式8][化学式7]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(实施例3)按照实施例1的方法进行合成，不同在于用43.5g(0.10mol)3-羟基苯基三苯基溴化辚代替四苯基溴化鳞，因而得到纯化晶体化合物G3。用^-NMR、质谱和元素分析对化合物G3进行分析，分析结果确认了所得化合物G3是预期的下述式(9)的硅酸辚。化合物G3的产率是89%。[化学式9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(实施例4)按照实施例3的方法进行合成，不同在于用19.8g(0.10mol)苯基三甲氧基硅垸代替3-巯基丙基三甲氧基硅烷，因而得到纯化晶体化合物G4。用^-NMR、质谱和元素分析对化合物G4进行分析，分析结果确认了所得化合物G4是预期的下述式(10)的硅酸鱗。化合物G4的产率是92%。[化学式10]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(实施例5)按照实施例4的方法进行合成，不同在于用40.7g(0.10mol)2,5-二羟基苯基三苯基氯化辚代替3-羟基苯基三苯基溴化鳞，因而得到纯化晶体化合物G5。用'H-NMR、质谱和元素分析对化合物G5进行分析，分析结果确认了所得化合物G5是预期的下述式(ll)的硅酸辚。化合物G5的产率是90%。[化学式11]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(实施例6)按照实施例4的方法进行合成，不同在于用41.9g(0.10mol)四苯基溴化鱗代替3-羟基苯基三苯基溴化鳞，因而得到纯化晶体化合物G6。用^-NMR、质谱和元素分析对化合物G6进行分析，分析结果确认了所得化合物G6是预期的下式(12)的硅酸鱗。化合物G6的产率是96%。[化学式l2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(实施例7)按照实施例6的方法进行合成，不同在于22.0g(0.20mol)儿茶酚代替2,3-二羟基萘，因而得到纯化晶体化合物G7。用^-NMR、质谱和元素分析对化合物G7进行分析，分析结果确认了所得化合物G7是预期的下述式(13)的硅酸辚。化合物G7的产率是9iy。。[化学式l3](实施例8)按照实施例6的方法进行合成，不同在于用32.0g(0.20mol)1，8-二羟基萘代替2，3-二羟基萘，用24.0g(0.10mol)苯基三乙氧基硅烷代替苯基三甲氧基硅烷，因而得到纯化晶体化合物G8。用iH-NMR、质谱和元素分析对化合物G8进行分析，分析结果确认了所得化合物G8是预期的下述式(I4)的硅酸辚。化合物G8的产率是90%。[化学式14]按照实施例7的方法进行合成，不同在于用24.3g(0.10mol)1-萘基三甲氧基硅烷代替苯基三甲氧基硅垸，用6.81g(0.10mol)乙醇钠代替甲醇钠，因而得到纯化晶体化合物G9。用'H-NMR、质谱和元素分析对化合物G9进行分析，分析结果确认了所得化合物G9是预期的下述式(15)的硅酸鳞。化合物G9的产率是89%。[化学式15](实施例10)按照实施例7的方法进行合成，不同在于25.5g(0.10mol)N-苯基个氨基丙基三甲氧基硅垸代替苯基三甲氧基硅烷，用6.81g(0.10mol)乙醇钠代替甲醇钠，并用37.1g(0.10mol)乙基三苯基溴化鱗代替四苯基溴化鳞，因而得到纯化晶体化合物GIO。用^-NMR、质谱和元素分析对化合物G10进行分析，分析结果确认了所得化合物G10是预期的下述式(16)的硅酸鳞。化合物G10的产率是(14)85%。[化学式16]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>(比较实施例1)将32.0g(0.20mol)2,3-二羟基萘、19.6g(0.10mol)3-巯基丙基三甲氧基硅烷和150mL乙醇置入装配有冷凝器和搅拌器的可分离的烧瓶中(体积500mL)，其在搅拌下均匀溶解。在搅拌下，将预先在20mL纯水中溶解4.00g(0.10mol)氢氧化钠得到的溶剂滴加到烧瓶中，然后将预先在100mL乙醇中溶解41.9g(0.10mol)四苯基溴化鱗得到的溶液缓缓滴加到烧瓶中沉淀晶体。通过过滤纯化沉淀的晶体，用水洗涤并真空干燥。用]H-NMR、质谱和元素分析对产物进行分析，分析结果确认了所得产物与实施例1所得的式(7)的硅酸鳞具有相似的结构。产物的产率是72%。(比较实施例2)按照比较实施例1的方法进行合成，不同在于用23.6g(0.10mol)3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷代替3-巯基丙基三甲氧基硅烷，从而得到纯化的晶体。用"H-NMR、质谱和元素分析对产物进行分析，分析结果确认了所得产物与实施例2所得的式(8)的硅酸辚具有相似的结构。产物的产率是69%。(比较实施例3)按照比较实施例1的方法进行合成，不同在于用43.5g(0.10mol)3-羟基苯基三苯基溴化鳞代替四苯基溴化辚，从而得到纯化的晶体。用^-NMR、质谱和元素分析对产物进行分析，分析结果确认了所得产物与实施例3所得的式(9)的硅酸辚具有相似的结构。产物的产率是67%。(比较实施例4)按照比较实施例3的方法进行合成，不同在于用19.8g(0.10mol)苯基三甲氧基硅烷代替3-巯基丙基三甲氧基硅烷，从而得到纯化的晶体。用'H-NMR、质谱和元素分析对产物进行分析，分析结果确认了所得产物与实施例4所得的式(10)的硅酸鳞具有相似的结构。产物的产率是78%。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>*()中的数字是理论值表2<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>3.8(3.6)*0中的数字是理论值实施例110的产率良好，都为85%或以上。另一方面，比较实施例14的产率均低于80%，比实施例低。在比较实施例中，由于使用氢氧化钠溶液作为中和碱物质，反应性组分三垸氧基硅烷与氢氧化钠溶液中的水在碱性条件下接触。这引起水解反应和縮聚反应，因而相对降低了目标产物的产率。另外，三烷氧基硅烷的縮聚产物可作为杂质与目标产物混合，因此非常不利。[环氧树脂组合物的制备和半导体器件的制造]按照下面方法制备含有上述化合物G1G10的环氧树脂组合物，然后利用它们制造半导体器件。(实施例ll)分别制备作为化合物(E)的联苯基环氧树脂("YX-4000HK",商品名；JapanEpoxyResinsCo.,Ltd.的产品)，作为化合物(F)的苯酚芳烷基树脂("XLC-LL",商品名；MitsuiChemicals,Inc.的产品)，作为潜伏性催化剂(G)的化合物Gl，作为无机填料(H)的球形熔凝石英(平均粒径15,)，和作为添加剂的碳黑、溴化双酚A环氧树脂和棕榈蜡。然后，在室温下混合52重量份联苯基环氧树脂、48重量份苯酚芳垸基树脂、3.79重量份化合物G1、730重量份球形熔凝石英、2重量份碳黑、2重量份溴化双酚A环氧树脂和2重量份棕榈蜡。然后在95。C下用热轧辊将所得混合物捏合8分钟，然后冷却并碾碎得到环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)。采用该环氧树脂组合物作为模塑树脂制造8个100-引脚TQFP的封装件(半导体器件)和15个16-引脚DIP的封装件(半导体器件)。在175X:的模塑温度和7.4MPa的注入压力下，通过传递模塑进行固化2分钟，然后在175'C下后固化8个小时，制得IOO-引脚TQFP封装件。100-引脚TQFP封装件的尺寸为14X14mm，厚度为1.4mm;硅芯片(半导体元片)的尺寸为8.0X8.0mm;引线框由42-合金制成。在175'C的模塑温度和6.8MPa的注入压力下，通过传递模塑进行固化2分钟，然后在175。C下后固化8个小时，制得16-引脚DIP封装件。16-引脚DIP封装件的尺寸为6.4X19.8mm，厚度为3.5mm;硅芯片(半导体元件)的尺寸为3.5X3.5mm;引线框由42-合金制成。(实施例12)分别制备作为化合物(E)的联苯基芳烷基环氧树脂("NC-3000",商品名，NipponKayakuCo.,Ltd.的产品)、作为化合物(F)的联苯基芳烷基酚醛树脂("MEH-7851SS"，商品名；MeiwaPlasticIndustries,Ltd.的产品)、作为潜伏性催化剂(G)的化合物G1，作为无机填料(H)的球形熔凝石英(平均粒径15拜)，和其它作为添加剂的碳黑、溴化双酚A环氧树脂和棕榈蜡。然后，在室温下混合57重量份联苯基芳烷基环氧树、43重量份联苯基芳垸基酚醛树脂、3.79重量份化合物G1、650重量份球形熔凝石英、2重量份碳黑、2重量份溴化双酚A环氧树脂和2重量份棕榈蜡。然后在105。C下用热轧辊将所得混合物捏合8分钟，然后冷却并碾碎得到环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)。按照与实施例11相同的方法采用所得环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例13)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.99重量份化合物G2代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例14)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.99重量份化合物G2代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。C实施例15)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.87重量份化合物G3代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例16)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.87重量份化合物G3代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例17)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.89重量份化合物G4代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(鄉歹(丄18)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.89重量份化合物G4代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例19)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.96重量份化合物G5代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例20)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.96重量份化合物G5代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例21)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.80重量份化合物G6代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例22)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.80重量份化合物G6代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例23)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.30重量份化合物G7代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例24)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.30重量份化合物G7代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例25)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.80重量份化合物G8代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例26)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.80重量份化合物G8代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例27)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.55重量份化合物G9代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.55重量份化合物G9代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例29)用与实施例ll相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.35重量份化合物G10代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(实施例30)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用3.35重量份化合物G10代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(比较实施例5)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用1.31重量份三苯基膦代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(比较实施例6)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用1.31重量份三苯基膦代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(比较实施例7)用与实施例11相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用1.85重量份三苯基膦-苯醌加合物代替化合物Gl。按照与实施例11相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。(比较实施例8)用与实施例12相同的方法制备环氧树脂组合物(热固性树脂组合物)，不同在于用1.85重量份三苯基膦-苯醌加合物代替化合物Gl。按照与实施例12相同的方法采用该环氧树脂组合物制造封装件(半导体器件)。[性质评价]对从实施例和比较实施例中获得的环氧树脂组合物的性质进行下列(l)至(3)项的评价，而对实施例和比较实施例中所制得的半导体装置的性质进行下列(4)和(5:)项的评价。(1)螺旋流动按照EMMI-I-66，采用用于测定螺旋流动的模具，在175。C的模塑温度和6.8MPa的注入压力下进行固化2分钟，测定每种树脂组合物的螺旋流动。螺旋流动是树脂流动性的参数。螺旋流动的数值越大，表示环氧树脂组合物的流动性越好。(2)固化扭矩采用硫化仪(curelastometer)("JSRCurelastometerIVPSModel",商品名；OrientecCo.，Ltd.的产品)在175。C下经过45秒之后测定每一树脂组合物的扭矩值。固化扭矩越大，表示环氧树脂组合物的固化性越好。(3)流动残余率(residualflowpercentage)环氧树脂组合物在3(TC下于空气中储存1周，然后以上述(1)中的相同方式测定螺旋流动。计算出储存后样品的螺旋流动相对于新鲜样品的螺旋流动的百分比(％)。流动残余率的数值越大，表示环氧树脂组合物的储存稳定性越好。(4)抗焊接龟裂性100-引脚TQFE存放在85。C和85%RH的大气中168小时后，然后将其浸入26(TC的焊料浴中达10秒。在显微镜下观察样品的外部龟裂情况。龟裂发生率依据下式以百分比(%)表达龟裂发生率(％)=(发生龟裂的封装件数目)/(所有封装件的数目)X100此外，采用超声龟裂探测器测定硅芯片中固化的环氧树脂组合物剥离的面积比率。依据下式剥离度(％)=(剥离面积)/(硅芯片面积)X100，计算出所测试的10个封装的平均剥离面积比率，且平均值以百分比(％)表不。龟裂发生率和剥离度的数值越小，表示封装件的抗焊接龟裂性越好。(5)耐湿可靠性对处于125°C，100%RH的水蒸汽中的16-引脚DIP封装件施加20V电压，检测样品的互连故障(interconnectionfailure)。将从开始到被测试的15个封装中的8个表现出互连故障所需的时间称为故障时间。耐湿可靠性的测试时间最多为500小时。当500个小时过去后，出现故障的封装件少于8个，则表示样品的故障时间大于500小时(>500)。故障时间的数值越大，表示封装件的耐湿可靠性越好。表3和表4示出了性质(1)到(5)的测试结果。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>如表2所示，实施例11至30所得的环氧树脂组合物(含有本发明所得潜伏性催化剂的环氧树脂组合物)全部都具有良好的固化性、流动性和储存稳定性，此外，各实施例用上述环氧树脂组合物的固化产品密封的封装件(本发明的半导体器件)全部都具有良好的抗焊接龟裂性和良好的耐湿可靠性。相反，比较实施例58所得的环氧树脂组合物在储存稳定性和流动性上都较差，且这些比较实施例中制造的封装件的抗焊接龟裂性和耐湿可靠性都相对较差。在对本发明进行详细的描述并参照相应的具体实施方式的情况下，对本领域的普通技术人员来说，对本发明进行各种不偏离本发明的精神和范围的改变和修饰是显而易见的。本发明基于日本专利申请第2005-280517号(申请日为2005年9月27日)，其内容通过参考的方式并入本文。工业实用性本发明能够以高产率制备不含副产物的潜伏性催化剂，其在常温下不具有催化活性，使树脂组合物可以长时间稳定储存，并在成型温度下发挥催化活性。含有这样的潜伏性催化剂的环氧树脂组合物有效用于密封电子部件，例如半导体元件。权利要求1.硅酸鏻潜伏性催化剂的制造方法，其包括使由下述式(1)表示的质子供体(A)、三烷氧基硅烷化合物(B)和由下述式(2)表示的磷鎓盐化合物(D)反应，其中所述反应在金属醇盐化合物(C)存在的条件下进行[化学式1]HY1-Z1-Y2H(1)其中Y1和Y2可以相同或不同，并各自表示由供给质子的取代基通过释放质子而得到的基团，Z1代表取代或未取代的有机基团，其与供给质子的取代基Y1H和Y2H键合，且在同一分子中的两个取代基Y1和Y2能与硅原子键合形成螯合结构；[化学式2]id="icf0001"file="S2006800356768C00011.gif"wi="56"he="28"top="148"left="38"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>其中R1、R2、R3和R4可以相同或不同，并各自表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，或表示取代或未取代的脂肪族基团，且X-代表卤离子、氢氧根离子或由供给质子的基团通过释放质子而得到的阴离子。2.根据权利要求1所述的硅酸鱗潜伏性催化剂的制造方法，其中由式(1)表示的质子供体(A)和三烷氧基硅垸化合物(B)可以在金属醇盐化合物(C)存在下在有机溶剂中预先反应。3.根据权利要求1或2所述的硅酸鳞潜伏性催化剂的制造方法，其中所述由式(1)表示的质子供体(A)是由下述式(3)表示的芳香二羟基化合物[化学式3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>(3)其中Ar1表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，由有机基团A—上的两个OH基团通过释放质子得到的两个氧阴离子能与硅原子键合形成螯合结构。4.根据权利要求13中任一项所述的硅酸鳞潜伏性催化剂的制造方法，其中所述由式(2)表示的磷鎗盐化合物(D)是由下述式(4)表示的季磷鐵盐化合物其中R5、R6、W和RS可以相同或不同，并各自表示选自氢原子、甲基、甲氧基和羟基中的一种基团，且X—代表卤离子、氢氧根离子或由供给质子的基团通过释放质子而得到的阴离子。5.根据权利要求14中任一项所述的硅酸鳞潜伏性催化剂的制造方法，其中所述硅酸鳞潜伏性催化剂是由下述式(5)表示的硅酸辚化合物[化学式4]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(4)其中R9、R1Q、RH和R^可以相同或不同，并各自表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，或表示取代或未取代的脂肪族基团，Y3、Y4、￥5和V各自表示由供给质子的取代基通过释放质子而得到的基团，f代表取代或未取代的有机基团，其与YS和YA键合，且在同一分子中的两个取代基Y3[化学式5]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(5)和Y4能与硅原子键合形成螯合结构，^代表取代或未取代的有机基团，其与ys和V键合，且在同一分子中的两个取代基f和Y6能与硅原子键合形成螯合结构，且A'代表有机基团。6.根据权利要求15中任一项所述的硅酸辚潜伏性催化剂的制造方法，其中所述硅酸辚潜伏性催化剂是由下述式(6)表示的硅酸辚化合物[化学式6]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中R13、R14、R"和R"可以相同或不同，并各自表示选自氢原子、甲基、甲氧基和羟基中的一种基团，Ar2表示具有取代的或未取代的芳香环或杂环的有机基团，由有机基团A/上的两个OH基团通过释放质子得到的两个氧阴离子能与硅原子键合形成螯合结构，且AM戈表有机基团。7.环氧树脂组合物，其包括在一个分子中具有至少两个环氧基的化合物(E)、在一个分子中具有至少两个酚羟基的化合物(F)、和由权利要求16中任一项所述的制造方法所得到的硅酸鳞潜伏性催化剂(G)。全文摘要硅酸鏻潜伏性催化剂的制造方法，其特征在于使由下述通式(1)表示的质子供体(A)，三烷氧基硅烷化合物(B)和由下述通式(2)表示的磷鎓盐化合物(D)反应，其中所述反应在金属醇盐化合物(C)存在条件下进行。文档编号C08G59/68GK101273076SQ20068003567公开日2008年9月24日申请日期2006年2月27日优先权日2005年9月27日发明者乡义幸申请人:住友电木株式会社