专利名称：芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及可以作为电绝缘材料、抗蚀剂用树脂、半导体用封装树脂、印刷线路板用粘接剂、装载于电气设备/电子设备/工业设备等中的电层压板的基体树脂、装载于电气设备/电子设备/工业设备等中的预浸料的基体树脂、组装层压板材料、纤维强化塑料用树脂、液晶显示面板的封装用树脂、涂料、各种涂布剂、粘接剂、半导体用的涂布剂或半导体用的抗蚀剂用树脂使用的芳香族烃树脂。另外，本发明涉及在用于半导体元件等的制造工序中的微细加工的多层抗蚀剂工序中有效的光刻用下层膜形成组合物、以及使用光刻用下层膜形成组合物的光致抗蚀剂图案形成方法。
背景技术：
作为制造酚醛清漆树脂等的反应，通常已知酸性催化剂的存在下的酚类与甲醛的反应。另一方面，还示出了使乙醛、丙醛、异丁醛、巴豆醛或苯甲醛等醛类反应而制造多酚类 (专利文献1)或酚醛清漆树脂(专利文献2)。另外，还示出了使具有酚和醛这两者的性能的羟基苯甲醛等反应而可以制造酚醛清漆型树脂(专利文献3)。这些多酚类或酚醛清漆树脂可作为半导体用的涂布剂、抗蚀剂用树脂使用，作为这些用途中的性能之一，要求具有耐热性。通常已知该耐热性通过提高树脂中的碳浓度、降低氧浓度而提高。作为上述提高碳浓度、降低氧浓度的方法，有导入芳香族烃成分的方法。 其中，具有下式所示的结构的聚合物(苊树脂)是公知的(专利文献4)。
权利要求
1. 一种芳香族烃树脂，其通过使式[1]所示的芳香族烃和式[2]所示的醛在酸性催化剂的存在下反应而得到，
2.根据权利要求1所述的芳香族烃树脂，其中，式[1]所示的芳香族烃为选自苯、甲苯、 二甲苯、三甲苯、萘、甲基萘、二甲基萘和蒽中的至少一种。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，式[2]所示的醛类为选自苯甲醛、甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丙基苯甲醛、丁基苯甲醛、环己基苯甲醛、联苯甲醛、羟基苯甲醛、二羟基苯甲醛、萘甲醛、和羟基萘甲醛中的至少一种。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，酸性催化剂为选自盐酸、 硫酸、磷酸、草酸、甲酸、对甲苯磺酸、甲磺酸、三氟乙酸、三氟甲磺酸、氯化锌、氯化铝、氯化铁、三氟化硼、硅钨酸、磷钨酸、硅钼酸和磷钼酸中的至少一种。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的芳香族烃树脂，其以下述式C3)表示，
6.根据权利要求1 5中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，碳浓度为90 99. 9质
7.根据权利要求1 6中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，氧浓度为0 5质量％。
8.一种光刻用下层膜形成组合物，其为用于在基板与抗蚀剂层之间形成下层膜的下层膜形成组合物，至少包含权利要求1 7中任一项所述的芳香族烃树脂和有机溶剂。量％。
9.根据权利要求8所述的光刻用下层膜形成组合物，其还配合有产酸剂。
10.根据权利要求8或9所述的光刻用下层膜形成组合物，其还配合有交联剂。
11.一种光刻用下层膜，其由权利要求8 10中任一项所述的光刻用下层膜形成组合物形成。
12.—种多层抗蚀图案的形成方法，其特征在于，使用权利要求8 10中任一项所述的下层膜形成组合物在基板上形成下层膜，在该下层膜上形成至少1层光致抗蚀剂层，然后在该光致抗蚀剂层的所需区域照射辐射线，进行碱性显影形成抗蚀图案后，将该抗蚀图案作为掩模，利用至少含有氧气的等离子体对所述下层膜进行蚀刻，将抗蚀图案转印在所述下层膜上。
全文摘要
本发明提供可以作为半导体用的涂布剂或抗蚀剂用树脂使用的碳浓度高、氧浓度低的芳香族烃树脂；另外提供用于形成作为多层抗蚀剂工艺用下层膜的、耐蚀刻性优异的光刻用下层膜的组合物、以及由这些组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。使芳香族烃和芳香族醛在酸性催化剂的存在下反应，得到碳浓度高至90～99.9质量％且氧浓度低至0～5质量％的芳香族烃树脂。另外，本发明涉及包含该树脂和有机溶剂的光刻用下层膜形成组合物、由该组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。
文档编号C08G10/02GK102574963SQ20108004117
公开日2012年7月11日 申请日期2010年9月14日 优先权日2009年9月15日
发明者东原豪, 井出野隆次, 北诚二, 荻原雅司 申请人:三菱瓦斯化学株式会社