本发明涉及有机发光显示技术领域，特别是涉及有机发光层主体材料及有机发光层及有机发光器件。
背景技术：
有机发光器件(organiclightemittingdevice，oled)由于具有低电压、低成本、宽视角、响应快、面发光等优势，成为目前平板显示技术的研究热点。
在有机发光器件的有机发光层中一般含有主体材料以及客体材料，在一般磷/荧光体系中，客体材料的掺杂浓度较高，从而导致成本增大，同时还存在器件效率衰减的问题。而在热激活延迟荧光发光体系中，作为主体材料的热激活延迟荧光(tadf)材料的三线态通过反向系间窜越(risc)过程回到单线态，进而将能量传递给客体材料发光，这样可以在低浓度下即可实现完全的能量传递，从而能够减小浓度淬灭，降低器件成本。
作为主体的热激活延迟荧光(tadf)材料应该具有高的三线态和较小的单线态和三线态之间的能级差(△est)，从而能够更进一步的促进完全的能量传递。而高的三线态需要较高的反向系间窜越速率krisc。但是目前的热激活延迟荧光(tadf)材料的反向系间窜越速率krisc较低，导致器件效率有待进一步提高。
技术实现要素：
基于此，有必要针对现有有机发光器件中主体材料反向系间窜越速率krisc较低导致器件效率低的问题，提供一种反向系间窜越速率krisc高的主体材料。
本发明提供一种有机发光层主体材料，包括第一主体材料，所述第一主体材料选自如下通式的化合物：
其中，x代表ch或n；
r代表如下通式的取代基：
-cn、
其中，ph为苯基；l选自亚苯基、亚萘基、亚蒽基、或间位亚联苯基；n选自0或1；m选自0或1；r’选自溴原子、碘原子、溴代苯基、或碘代苯基；
且所述第一主体材料的结构式中含有至少一个卤素原子，所述卤素原子为溴原子或碘原子。
上述有机发光层主体材料，其在tadf结构式本体上引入卤素重原子，利用重原子效应促进主体材料的旋转轨道耦合，从而提升了主体材料的反向系间窜越速率krisc，故而一方面可以更进一步降低客体材料浓度，进而降低成本；另一方面还可以有效提高器件效率。
在其中一个实施例中，每摩尔的第一主体材料中含有1～3摩尔的卤素原子。
在其中一个实施例中，所述第一主体材料选自：
在其中一个实施例中，所述有机发光层主体材料还包括第二主体材料。
在其中一个实施例中，所述第二主体材料为空穴型主体材料。
在其中一个实施例中，所述第二主体材料为电子型主体材料。
在其中一个实施例中，所述第一主体材料与所述第二主体材料的质量比为1:9～9:1。
本发明还提供了一种有机发光层。
一种有机发光层，包括本发明所提供的有机发光层主体材料,还包括客体材料。
上述有机发光层，由于采用本发明所提供的有机发光层主体材料，故而一方面可以更进一步降低有机发光器件中客体材料的浓度，进而降低成本；另一方面还可以有效提高器件效率。
在其中一个实施例中，所述主体材料与所述客体材料的质量比为200:1～5:1。
本发明还提供了一种有机发光器件。
一种有机发光器件，包括本发明所提供的有机发光层。
上述有机发光器件，由于采用本发明所提供的有机发光层，故而一方面可以更进一步降低有机发光器件中客体材料的浓度，进而降低成本；另一方面还可以有效提高器件效率。
附图说明
图1为本发明一实施方式的有机发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
一种有机发光层主体材料，包括第一主体材料以及第二主体材料。
其中，第一主体材料选自如下通式的化合物：
其中，x代表ch或n；也就是说，在同一结构式中的三个x分别独立的选自ch或n；也即说，含x的环，可以是苯环、含有一个n的杂环、含有两个n的杂环、亦或是含有三个n的杂环。
r代表如下通式的取代基：
其中，ph为苯基；l代表间隔基团，具体选自亚苯基、亚萘基、亚蒽基、或间位亚联苯基；n选自0或1；m选自0或1；r’代表重原子卤素基团，具体选自溴原子、碘原子、溴代苯基、或碘代苯基。
且第一主体材料的结构式中含有至少一个卤素原子，该卤素原子为溴原子或碘原子。也就是说，在满足结构式中含一个卤素原子(br或i)的情况下，每个位置上的r、r’、m可以各自独立选择。
优选地，每摩尔的第一主体材料中含有1～3摩尔的卤素原子。也就是说，在同一结构式中的卤素原子的个数为1～3个。这样一方面可以有效促进旋轨耦合效应，提高材料的反向系间窜跃系数，进而可以有效的提高能量转移效率，更进一步提高器件的效率和寿命；另一方面，还可以避免过多的引入卤素原子导致第一主体材料的摩尔质量过大，从而避免导致蒸镀困难的问题，有利于第一主体材料蒸镀工艺控制。
优选地，第一主体材料选自：
其中，第二主体材料作为另外一个主体材料，与第一主体材料搭配使用，与第一主体材料形成双主体材料。
第二主体材料可以选自空穴型主体材料，还可以选自电子型主体材料。空穴型主体材料，是指空穴在该材料中的传输速率大于电子在该材料中的传输速率的主体材料。电子型主体材料，是指空穴在该材料中的传输速率大于电子在该材料中的传输速率的主体材料。也就是说，空穴型主体材料中空穴传输快，而电子传输慢；电子型主体材料中空穴传输慢，而电子传输快。
优选地，第一、第二主体材料的搭配原则为：若第一主体材料为偏电子型，则第二主体材料选择偏空穴型的；若第一主体材料为偏空穴型，则第二主体材料选择偏电子型的。
优选地，第一主体材料与第二主体材料的质量比为1:9～9:1。也就是说，第一主体材料与第二主体材料以1:9～9:1的比例掺杂混合在一起。
更优选地，第一主体材料与第二主体材料的质量比为1:2～1:5或2:1～5:1。
当然，可以理解的是，本发明的有机发光层主体材料也可以不含第二主体材料，只含有第一主体材料，即单主体材料。
本发明所提供的有机发光层主体材料，含有第一主体材料，第一主体材料在tadf结构式本体上引入卤素重原子(br或i)，利用重原子效应促进材料的旋转轨道耦合，从而提升了第一主体材料的反向系间窜越速率krisc，故而一方面可以更进一步降低客体材料的浓度，进而降低成本；另一方面还可以有效提高器件效率。
本发明还提供了一种有机发光层。
一种有机发光层，包括本发明所提供的有机发光层主体材料，还包括客体材料。
其中，客体材料一般为磷光材料或荧光材料，一般是一类具有高发光效率的金属配合物，如铱、铂等配合物。客体材料虽然发光效率高，但是却存在浓度猝灭的问题。为避免客体材料的浓度猝灭，将客体材料掺杂至主体材料中。主体材料不仅解决了客体材料浓度猝灭的问题，还能将能量转移到客体材料上。
优选地，红光客体材料选自如下化合物：
优选地，绿光客体材料选自如下化合物：
优选地，蓝光客体材料选自如下化合物：
优选地，主体材料与客体材料的质量比为200:1～5:1。这样既可以避免因浓度猝灭所引起的器件效率衰减，还可以有利于降低成本(这是因为客体材料中一般含有稀土金属，稀土金属成本高昂)。
优选地，有机发光层的厚度为30～150nm。这样可以增加的载流子的复合几率，降低驱动电压，进一步提高器件的发光效率。
本发明所提供的有机发光层，由于采用本发明所提供的有机发光层主体材料，故而一方面可以更进一步降低有机发光器件中客体材料的浓度，进而降低成本；另一方面还可以有效提高器件效率。
本发明还提供了一种有机发光器件。
一种有机发光器件，包括本发明所提供的有机发光层。
参见图1，图1为本发明一实施方式的有机发光器件的结构示意图。具体地，有机发光器件100包括第一电极120、第二电极130、以及功能结构层140；功能结构层140包括有机发光层144。一般地，有机发光器件还包括衬底110。
其中，衬底110的主要作用是，为其它部件提供沉积的载体。本发明对衬底110没有特殊限制，可以采用本领域技术人员所公知的各种衬底。
在本实施方式中，有机发光器件100为顶发光，衬底110可以为透明衬底，亦可以为非透明衬底。当然，可以理解的是，本发明的有机发光器件100并不局限于顶发光，还可以是底发光。在底发光的有机发光器件中衬底110是透明衬底。
其中，第一电极120形成于衬底110上，即第一电极120位于衬底110的上表面上。第一电极120可以采用无机材料或有机导电聚合物制成，其中无机材料可以采用氧化铟锡(ito)、氧化锌、氧化铟锌等金属氧化物，亦可以采用金、铜、银等功函数较高的金属。在本实施方式中，第一电极120为铟锡氧化物电极。在本实施方式中，第一电极120作为有机发光器件100的阳极。
其中，第二电极130一般采用银、锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属、亦或金属化合物或合金制成。本发明优选为金属镁银共蒸镀电极，也即第二电极130为镁银合金电极。在本实施方式中，第二电极130作为有机发光器件100的阴极。
其中，功能结构层140位于第一电极120与第二电极130之间。功能结构层140为有机发光器件100的核心部分。在本实施方式中，从第二电极130到第一电极120方向(即图1中从上向下的方向)，功能结构层140依次包括空穴注入层141、空穴传输层142、有机发光层144、电子传输层145、以及绝缘缓冲层146。也就是说，功能结构层140除了有机发光层144之外，还包括空穴注入层141、空穴传输层142、电子传输层145、以及绝缘缓冲层146。
当然，可以理解的是，功能结构层140并不局限于上述结构，还可以在空穴传输层142与有机发光层144之间设置电子阻挡层；亦或不设置电子传输层145。可以理解的是，空穴注入层141、空穴传输层142、电子注入层146、电子传输层145、空穴阻挡层、电子阻挡层、以及绝缘缓冲层，这些功能层本领域技术人员可以根据实际情况选择设置。
其中，有机发光层144为有机发光器件100的发光区域，也就是说，在该层中产生光子。具体地，有机发光层可以是红光发光层、绿光发光层、或蓝光发光层等。
上述有机发光器件，由于采用本发明所提供的有机发光层，故而一方面可以更进一步降低有机发光器件中客体材料的浓度，进而降低成本；另一方面还可以有效提高器件效率。
以下结合具体实施例对本发明作进一步的阐述。
实施例1
有机发光器件由基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、绝缘缓冲层、阴极层组成。
其有机发光器件结构如下：
ito/hatcn[5nm]/npb[30nm]/95wt％化合物a：5wt％bczvbi[30nm]/bphen[40nm]/lif[0.5nm]/al[150nm]。
实施例2
与实施例1的有机发光器件基本相同，所不同的是：
其有机发光器件结构如下：
ito/hatcn[5nm]/npb[30nm]/65wt％化合物a：30wt％tapc：5wt％bczvbi[30nm]/bphen[40nm]/lif[0.5nm]/al[150nm]。
对比例1
与实施例1的有机发光器件基本相同，所不同的是：
其有机发光器件结构如下：
ito/hatcn[5nm]/npb[30nm]/95wt％trz-2phcz：5wt％bczvbi[30nm]/bphen[40nm]/lif[0.5nm]/al[150nm]。
其中，化合物a、trz-2phcz、tapc的结构式对应如下：
实施例3
与实施例1的有机发光器件基本相同，所不同的是：
其有机发光器件结构如下：
ito/hatcn[5nm]/npb[30nm]/90wt％化合物b：10wt％ir(ppy)3[30nm]/bphen[40nm]/lif[0.5nm]/al[150nm]。
实施例4
与实施例3的有机发光器件基本相同，所不同的是：
其有机发光器件结构如下：
ito/hatcn[5nm]/npb[30nm]/65wt％化合物b：25wt％t-bu-pbd：10wt％ir(ppy)3[30nm]/bphen[40nm]/lif[0.5nm]/al[150nm]。
对比例2
与实施例3的有机发光器件基本相同，所不同的是：
其有机发光器件结构如下：
ito/hatcn[5nm]/npb[30nm]/spiro-2paph：10wt％ir(ppy)3[30nm]/bphen[40nm]/lif[0.5nm]/al[150nm]。
其中，化合物b的结构式对应如下：
spiro-2paph的结构式对应如下：
t-bu-pbd的结构式对应如下：
性能测试：
将实施例1-2以及对比例1的有机发光器件进行测试，测试结果表1。
将实施例3-4以及对比例2的有机发光器件进行测试，测试结果表2。
表1
从表1可以看出，实施例1-2的有机发光器件的驱动电压相对对比例1较小，同时电流效率以及外量子效率则大幅提高。这说明在蓝色荧光材料为发光客体材料的器件中，主体材料采用不含重原子的tadf材料比采用含有重原子(br)的tadf材料的器件性能差，表现在驱动电压高，电流效率低，进一步说明含重原子(br)基团的tadf材料中存在着重原子旋轨耦合效应，促进了其主体材料内的反向系间窜跃系数，增加了通过
另外，从表1可以看出，实施例2的有机发光器件性能优异于实施例1的有机发光器件，这说明双主体的主体材料，相互搭配(化合物a为偏电子型，tapc为偏空穴型)可以调节载流子的复合数量，进一步提高器件的发光效率。
表2
从表2可以看出，实施例3-4的有机发光器件的驱动电压相对对比例2较小，同时电流效率以及外量子效率则大幅提高。这说明在绿色磷光材料为发光客体材料的器件中，主体材料采用不含重原子的tadf材料比采用含有重原子(碘)的tadf材料的器件性能差，表现在驱动电压高，电流效率低，进一步说明含重原子(碘)基团的tadf材料中存在着重原子旋轨耦合效应，促进了其主体材料内的反向系间窜跃系数，增加了通过
另外，从表2可以看出，实施例4的有机发光器件性能优异于实施例3的有机发光器件，这说明双主体的主体材料，相互搭配(化合物b为偏空穴型，t-bu-pbd为偏电子型)可以调节载流子的复合数量，进一步提高器件的发光效率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。