一种共轭多孔聚合物电容材料及其制备方法与应用与流程

技术特征：

1.一种共轭多孔聚合物电容材料，其特征在于，所述共轭多孔聚合物的化学结构通式含有三并咔唑结构单元。

2.根据权利要求1所述的共轭多孔聚合物电容材料，其特征在于，所述共轭多孔聚合物的化结构通式为：三并咔唑基酰亚胺聚合物1或三并咔唑基对苯二甲醛聚合物2其中R为C₁-C₃₀的直链、C₁-C₃₀支链烷基、C₁-C₃₀烷氧基、N、O或H；*为连接位置。

3.根据权利要求2所述的共轭多孔聚合物电容材料，其特征在于，所述R为C₁-C₁₂直链或支链烷基。

4.基于权利要求1所述的共轭多孔聚合物电容材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，将三并咔唑硝化反应得三硝基-三并咔唑；

步骤2，利用三硝基-三并咔唑制备三氨基-三并咔唑；

步骤3，将三并咔唑与醛基或者酸酐链接形成共轭多孔聚合物，即得电容材料。

5.根据权利要求4所述的共轭多孔聚合物电容材料的制备方法，其特征在于，步骤1是在氮气保护下，将1mmol三并咔唑溶解在5-10mL二氯甲烷中，再加入5-10mmol发烟硝酸，室温反应3-5h后经柱色谱纯化得到三硝基-三并咔唑。

6.根据权利要求4所述的共轭多孔聚合物电容材料的制备方法，其特征在于，步骤2是在氮气保护下，将1mmol三硝基-三并咔唑和1.0-1.5mmol钯碳催化剂溶解在5-10mLN,N-二甲基甲酰胺中，控温45-65℃，再加入21-36mmol水合肼避光反应8-12h后经柱色谱纯化得到三氨基-三并咔唑。

7.根据权利要求4所述的共轭多孔聚合物电容材料的制备方法，其特征在于，步骤3是将1mmol三氨基-三并咔唑和1.5mmol对苯二甲醛或均苯四甲酸二酐溶解于体积比为1：2的1,4-二氧六环和均三甲苯中，并在液氮中冷却5-10分钟后抽真空，然后100-150℃密封下反应2-4天，反应产物用无水二氯甲烷抽提1天，旋干溶剂得到共轭多孔聚合物TAT-CMP-1或TAT-CMP-2。

8.基于权利要求1所述的共轭多孔聚合物电容材料在超级电容器上的应用。