本发明涉及半导体
技术领域：
，尤其涉及一种以蒽酮为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。
背景技术：
：有机电致发光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。oled发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成oled发光器件。oled发光器件作为电流器件，当对其两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷时，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生oled电致发光。当前，oled显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，oled器件的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。目前对oled发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压、提高器件的发光效率、提高器件的使用寿命等。为了实现oled器件的性能的不断提升，不但需要从oled器件结构和制作工艺的创新，更需要oled光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能的oled功能材料。应用于oled器件的oled光电功能材料从用途上可划分为两大类，分别为电荷注入传输材料和发光材料。进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的oled发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电性能，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料具有良好双极性，适当的homo/lumo能阶等。构成oled器件的oled光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的oled器件结构则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于oled器件的光电功能材料至少包括空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的oled器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现也可能完全迥异。因此，针对当前oled器件的产业应用要求以及oled器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合、性能更高的oled功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前的oled显示照明产业的实际需求而言，目前oled材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。技术实现要素：针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种以蒽酮为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。本发明化合物以蒽酮为核心，作为发光层材料应用于有机发光二极管，本发明制作的器件具有良好的光电性能，能够满足面板制造企业的要求。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种蒽酮为核心的化合物，该化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，x为氧原子或者是ar1、ar2、ar3和ar4分别表示为氢原子或者通式(2)表示的结构：其中，ar5表示为苯基、联苯基、萘基、蒽基或单键。在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。进一步，所述通式(1)的具体结构式为：中的任意一种。本发明还提供一种制备上述化合物的方法，包括：当ar5表示为单键时，反应方程式是：m、n、o和p为0或者1，且m、n、o和p不同时为0；ar表示为具体的制备方法为：1)将原料i或原料ii和9h-三苯[b,d,f]吖庚因用甲苯溶解，所述甲苯用量为每克原料i或原料ii使用30-50ml甲苯，其中，所述原料i或原料ii与9h-三苯[b,d,f]吖庚因的摩尔比为1:(1.2～4.5)；2)向1)中的反应体系中加入pd2(dba)3、三叔丁基膦和叔丁醇钠；所述pd2(dba)3与原料i或原料ii的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦与原料i或原料ii的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述叔丁醇钠与原料i或原料ii的摩尔比为(2.0～5.0):1；3)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液减压旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标产物，所述减压旋蒸的条件是-0.09mpa，85℃；当ar5不为单键时，m、n、o和p为0或者1，且m、n、o和p不同时为0；ar1、ar2、ar3、ar4和ar5如权利要求1中定义的；具体的制备方法为：1)将原料i或原料ii和原料b用甲苯溶解，所述甲苯用量为每克原料i或原料ii使用30-50ml甲苯，其中，所述原料i或原料ii与原料b的摩尔比为1:(1.2～4.5)；2)向1)中的反应体系中加入pd(pph3)4和碳酸钠；所述pd(pph3)4与原料i或原料ii的摩尔比为(0.006～0.02):1，所述碳酸钠与原料i或原料ii的摩尔比为(2.0～6.0):1。3)在惰性气体的保护下，将上述混合溶液于95～110℃下反应10～24h，自然冷却至室温，并过滤反应溶液，滤液减压旋蒸至无溶剂，过中性硅胶柱，得到目标产物，所述减压旋蒸的条件是-0.09mpa，85℃。本发明还提供一种如上述的化合物用于制备有机电致发光器件。本发明还提供一种有机电致发光器件，包括发光层，所述发光层包括上述的化合物。在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。进一步，所述有机电致发光器件还包括透明基板层、ito阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层/电子传输层、电子注入层及阴极反射电极层，所述透明基板层、ito阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层/电子传输层、电子注入层及阴极反射电极层从下至上依次层叠布置。本发明有益的技术效果在于：本发明以蒽酮为母核，再连接芳香杂环基团，具备很强的刚性，破坏了分子对称性，从而破坏分子的结晶性，避免了分子间的聚集作用。所述化合物结构内包含七元环并苯作为电子受体(acceptor,a)，有利于电子在发光层中的传输。连接的杂环基团是电子给体(donor,d)，它有利于空穴在发光层中的传输。母核蒽酮具有较高的三重态能级，使化合物三重态激子局限在发光层中，提高发光效率，本发明化合物适合作为发光层主体材料使用。本发明所述化合物可作为发光层材料应用于oled发光器件制作，作为发光层主体材料可以获得良好的器件表现，器件的效率得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。本发明所述化合物材料在oled发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。附图说明图1为本发明所列举的材料应用于oled器件的结构示意图；其中，1为透明基板层，2为ito阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为发光层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为阴极反射电极层。图2a为化合物1的homo可视化效果图；图2b为化合物1的lumo可视化效果图；图3a为化合物9的homo可视化效果图；图3b为化合物9的lumo可视化效果图；图4a为化合物50的homo可视化效果图；图4b为化合物50的lumo可视化效果图；图5a为化合物cbp的homo可视化效果图；图5b为化合物cbp的lumo可视化效果图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本发明进行具体描述。实施例1：化合物1的合成：合成路线：在配有恒压滴液漏斗的1l三口瓶中,加入金属镁(0.21mol),将对溴碘苯(0.20mol)溶解在300ml四氢呋喃中，并置于恒压滴液漏斗中,使用氮气保护，加热三口瓶至瓶内温度达到65℃，通过恒压滴液漏斗加入对溴碘苯的四氢呋喃溶液，首先加入50ml，待反应引发后，慢慢滴入剩余部分，1h滴加完毕，回流温度下反应2h，降至室温后转移至恒压漏斗中待用；将蒽醌(0.20mol)溶解在200ml四氢呋喃之中加到2l三口瓶中，而后缓慢滴加上述待用溶液，回流温度下反应3h，反应结束后，降温至25℃，将以上反应液慢慢倾入200g质量浓度为10％的稀盐酸中，搅拌15min，分液，收集有机相，减压脱去溶剂，得到粘稠液体，不进行精制，直接用于下一步反应中；向上述所得粘稠液体中加入250g苯，搅拌下加入100ml三氟化硼乙醚溶液(1mol/l)，60～65℃反应4h，淬灭反应，减压脱除溶剂，柱层析得到原料a1；称取0.01mol的9h-三苯[b,d,f]吖庚因与0.015mol的原料a1溶解于150ml无水甲苯中，除氧后加入0.02mol叔丁醇钠和10-4molpd2(dba)3，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.5％，收率72.4％。元素分析结构(分子式c44h29no)：理论值c,89.92；h,4.97；n,2.38；测试值：c,89.95；h,4.96；n,2.38；msm/z：588.75[m+h]+，理论值：588.72。实施例2：化合物3的合成：合成路线：在配有恒压滴液漏斗的1l三口瓶中,加入金属镁(0.21mol),将溴苯(0.20mol)溶解在300ml四氢呋喃中，并置于恒压滴液漏斗中,使用氮气保护，加热三口瓶至瓶内温度达到65℃，通过恒压滴液漏斗加入溴苯的四氢呋喃溶液，首先加入50ml，待反应引发后，慢慢滴入剩余部分，1h滴加完毕，回流温度下反应2h，降至室温后转移至恒压漏斗中待用；将2-溴蒽醌(0.080mol)溶解在200ml四氢呋喃之中加到2l三口瓶中，而后缓慢滴加上述待用溶液，回流温度下反应3h，反应结束后，降温至25℃，将以上反应液慢慢倾入200g质量浓度为10％的稀盐酸中，搅拌15min，分液，收集有机相，减压脱去溶剂，柱层析得到原料a2，hplc纯度99.5％,收率65％；；称取0.01mol的9h-三苯[b,d,f]吖庚因与0.015mol的原料a2溶解于150ml无水甲苯中，除氧后加入0.02mol叔丁醇钠和10-4molpd2(dba)3，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.4％，收率69.4％。元素分析结构(分子式c44h29no)：理论值c,89.92；h,4.97；n,2.38；测试值：c,89.94；h,4.96；n,2.38；msm/z：588.81[m+h]+，理论值：588.72。实施例3：化合物6的合成：合成路线：在配有恒压滴液漏斗的1l三口瓶中,加入金属镁(0.21mol),将对溴碘苯(0.20mol)溶解在300ml四氢呋喃中，并置于恒压滴液漏斗中,使用氮气保护，加热三口瓶至瓶内温度达到65℃，通过恒压滴液漏斗加入对溴碘苯的四氢呋喃溶液，首先加入50ml，待反应引发后，慢慢滴入剩余部分，1h滴加完毕，回流温度下反应2h，降至室温后转移至恒压漏斗中待用；将蒽醌(0.08mol)溶解在200ml四氢呋喃之中加到2l三口瓶中，而后缓慢滴加上述待用溶液，回流温度下反应3h，反应结束后，降温至25℃，将以上反应液慢慢倾入200g质量浓度为10％的稀盐酸中，搅拌15min，分液，收集有机相，减压脱去溶剂，柱层析得到原料a3，hplc纯度99.5％,收率50.3％称取0.035mol的9h-三苯[b,d,f]吖庚因与0.015mol的原料a2溶解于150ml无水甲苯中，除氧后加入0.02mol叔丁醇钠和10-4molpd2(dba)3，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.4％，收率52.4％。元素分析结构(分子式c62h40no)：理论值c,89.83；h,4.86；n,3.38；测试值：c,89.85；h,4.87；n,3.37；msm/z：830.87[m+h]+，理论值：830.00。实施例4：化合物9的合成：合成路线：在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.2mol9h-三苯[b,d,f]吖庚因、0.25mol间二溴苯和500ml甲苯，搅拌混合，再加入0.2mol叔丁醇钠、0.02molpd2(dba)3和0.02mol三叔丁基膦，搅拌加热至115℃，回流反应24小时，自然冷却至室温，过滤，滤液减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体m1；在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，依次加入0.04mol中间体m1、0.05mol联硼酸频那醇酯、0.06mol乙酸钾、0.002molpd(dppf)cl2和100ml1,4-二氧六环，搅拌混合，加热至80℃，反应24小时，取样点板，显示无中间体m1剩余，反应完全；自然冷却至室温，旋蒸除去溶剂，用二氯甲烷萃取，旋干，然后过中性硅胶柱，得到原料b1；称取0.015mol的原料b1与0.01mol的原料a1溶解于混合溶剂(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入15mlk2co3水溶液(2mol/l)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.5％，收率64.1％。元素分析结构(分子式c50h33no)：理论值c,90.47；h,5.01；n,2.11；测试值：c,90.50；h,5.00；n,2.11；msm/z：664.98[m+h]+，理论值：664.81。实施例5：化合物11的合成：合成路线：称取0.035mol的原料b1与0.015mol的原料a2溶解于混合溶剂中(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入15mlk2co3水溶液(2mol/l)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.5％，收率62.7％。元素分析结构(分子式c50h33no)：理论值c,90.47；h,5.01；n,2.11；测试值：c,90.51；h,5.00；n,2.11；msm/z：664.89[m+h]+，理论值：664.81。实施例6：化合物22的合成：合成路线：在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.2mol9h-三苯[b,d,f]吖庚因、0.25mol3，4’-二溴联苯和500ml甲苯，搅拌混合，再加入0.2mol叔丁醇钠、0.02molpd2(dba)3和0.02mol三叔丁基膦，搅拌加热至115℃，回流反应24小时；自然冷却至室温，过滤，滤液减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体m2；在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，依次加入0.04mol中间体m2、0.05mol联硼酸频那醇酯、0.06mol乙酸钾、0.002molpd(dppf)cl2和100ml1,4-二氧六环，搅拌混合，加热至80℃，反应24小时，取样点板，显示无中间体m2剩余，反应完全；自然冷却至室温，旋蒸除去溶剂，用二氯甲烷萃取，旋干，然后过中性硅胶柱，得到原料b2；称取0.035mol的原料b2与0.015mol的原料a1溶解于混合溶剂中(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入15mlk2co3水溶液(2mol/l)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.5％，收率60.5％。元素分析结构(分子式c56h37no)：理论值c,90.90；h,5.04；n,1.89；测试值：c,90.93；h,5.03；n,1.89；msm/z：740.95[m+h]+，理论值：740.91。实施例7：化合物48的合成：合成路线：称取0.035mol的9h-三苯[b,d,f]吖庚因与0.015mol的原料a4溶解于150ml无水甲苯中，除氧后加入0.02mol叔丁醇钠和10-4molpd2(dba)3，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.4％，收率53.1％。元素分析结构(分子式c49h30n2o2)：理论值c,86.70；h,4.45；n,4.13；测试值：c,86.73；h,4.44；n,4.13；msm/z：379.98[m+h]+，理论值：679.78。实施例8：化合物50的合成：合成路线：称取0.015mol的原料b3与0.01mol的原料a4溶解于混合溶剂(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入15mlk2co3水溶液(2mol/l)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.5％，收率65.8％。元素分析结构(分子式c37h23no2)：理论值c,86.53；h,4.51；n,2.73；测试值：c,86.55；h,4.50；n,2.74；msm/z：514.68[m+h]+，理论值：514.59。实施例9：化合物59的合成：合成路线：在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.2mol9h-三苯[b,d,f]吖庚因、0.25mol对二溴苯和500ml甲苯，搅拌混合，再加入0.2mol叔丁醇钠、0.02molpd2(dba)3和0.02mol三叔丁基膦，搅拌加热至115℃，回流反应24小时；自然冷却至室温，过滤，滤液减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体m3；在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，依次加入0.04mol中间体m3、0.05mol联硼酸频那醇酯、0.06mol乙酸钾、0.002molpd(dppf)cl2和100ml1,4-二氧六环，搅拌混合，加热至80℃，反应24小时，取样点板，显示无中间体m3剩余，反应完全；自然冷却至室温，旋蒸除去溶剂，用二氯甲烷萃取，旋干，然后过中性硅胶柱，得到原料b3；称取0.015mol的原料b3与0.01mol的原料a4溶解于混合溶剂(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入15mlk2co3水溶液(2mol/l)，然后加入0.0001molpd(pph3)4，加热回流12小时，取样点板，原料反应完全；自然冷却至室温(20～25℃)，过滤，收集滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，85℃)，进行柱层析，得到目标产物，hplc纯度99.5％，收率67.2％。元素分析结构(分子式c61h38n2o2)：理论值c,88.17；h,4.61；n,3.37；测试值：c,88.20；h,4.60；n,3.37；msm/z：832.14[m+h]+，理论值：831.97。本发明化合物可以作为发光层材料使用，对本发明化合物1、化合物50和现有材料cbp分别进行热蒸镀状态、t1能级的测定，检测结果如表1所示：表1化合物热蒸镀状态t1(ev)功用化合物1熔融型2.85主体材料化合物50熔融型2.90主体材料化合物cbp升华型2.70主体材料注：热蒸镀状态由韩国ans-inc(100*100)蒸镀设备进行测定，真空度＜5×10-7torr，第一升温区(0-200℃)，升温速率10℃/min；第二升温区(200-400℃)，升温速率5℃/min，以的蒸镀速率蒸镀10min后自然降至室温。t1是先测试化合物的磷光发射光谱，并由磷光发射峰计算得到(测试设备：利用edinburghinstruments的fls980荧光光谱仪，oxfordinstruments的optistatdn-v2低温组件)。由上表数据可知，本发明化合物具有较高的热蒸镀速率稳定性，较升华型材料，其材料内部传热较好，避免了因传热不均局部过热引起的材料变质，有利于实现长时间蒸镀。此外，本发明化合物具有较高的t1能级，避免能量由掺杂材料回传到主体材料，适合作为发光层材料；同时，本发明化合物含有电子给体(donor,d)与电子受体(acceptor,a)，使得应用本发明化合物的oled器件电子和空穴达到平衡状态，保证了电子和空穴的复合率，使得器件效率和寿命得到提升。通过量子化学从头计算软件orca对本发明化合物的homo、lumo能级进行计算并进行可视化，计算方法采用b3lyp杂化泛函，基组6-31g(d)。化合物1、化合物9、化合物50以及化合物cbp的可视化homo、lumo分布图如图2a-5b所示；从homo、lumo在分子中的空间分布可以看出，相比较化合物cbp本发明化合物的homo和lumo能级处于空间分离状态，且homo、lumo重叠度小。即本发明化合物同时具有电子给体(donor,d)与电子受体(acceptor,a)两个部分，这使得发明化合物的oled器件电子和空穴更易达到平衡状态，保证了电子和空穴的复合率，使得器件效率和寿命得到提升。以下结合图1，通过实施例10-18和比较例1-3详细说明本发明合成的化合物在器件中作为发光层主体材料的应用效果。实施例11-18以及比较例1-3与实施例10相比，所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件中发光层材料发生了改变。实施例10透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物1和gd-19按照100：5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。相关材料的分子结构式如下所示：具体制备过程如下：透明基板层1采用透明材料。对ito阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥后再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ito表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ito阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼moo3作为空穴注入层3使用。紧接着蒸镀80nm厚度的tapc作为空穴传输层4。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作oled发光器件的发光层5，其结构包括oled发光层5所使用材料化合物1作为主体材料，gd-19作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为5％重量比，发光层膜厚为30nm。在上述发光层5之后，继续真空蒸镀电子传输层材料为tpbi。该材料的真空蒸镀膜厚为40nm，此层为电子传输层6。在电子传输层6上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(lif)层，此层为电子注入层7。在电子注入层7上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(al)层，此层为阴极反射电极层8使用。如上所述地完成oled发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的发光效率，发光光谱以及器件的电流-电压特性。实施例11透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物3和gd-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。实施例12透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物48和gd-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。实施例13透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物6和ir(ppy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。实施例14透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物9和ir(ppy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。实施例15透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物50和ir(ppy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。实施例16透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物11和gd-pactz按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。实施例17透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物22和gd-pactz按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。实施例18透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(化合物59和gd-pactz按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。比较例1透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(cbp和gd-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。比较例2透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(cbp和ir(ppy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极反射电极层8(al)。比较例3透明基板层1/ito阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼moo3，厚度10nm)/空穴传输层4(tapc，厚度80nm)/发光层5(cbp和gd-pactz按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(tpbi，厚度40nm)/电子注入层7(lif，厚度1nm)/阴极电极层8(al)。所制作的oled发光器件的测试结果见表3。表2表3说明:比较例1的电流效率为6.5cd/a(@10ma/cm2)；5000nit亮度下lt95寿命衰减为3.8hr。比较例2的电流效率为24.6cd/a(@10ma/cm2)；5000nit亮度下lt95寿命衰减为4.3hr。比较例3的电流效率为25.1cd/a(@10ma/cm2)；5000nit亮度下lt95寿命衰减为7.8hr。寿命测试系统为本发明所有权人与上海大学共同研究的oled器件寿命测试仪。表3的结果可以看出，本发明所述化合物作为发光层主体材料可应用于oled发光器件制作；并且与比较例1相比，无论是效率还是寿命均比已知oled材料获得较大改观，特别是器件的驱动寿命获得较大的提升。为进一步体现本发明化合物在产业化应用的优势，本发明比较了不同掺杂材料比例下器件的性能变化情况，定义掺杂浓度依赖系数进行表示；它表示驱动电流为10ma/cm2下不同掺杂浓度的器件，其效率最大值μmax、最小值和平均值之间的均匀程度，值越大，说明掺杂比例对器件的效率影响越大，在产业化应用时要严格控制材料的蒸镀速率，工业应用窗口较小；反之，说明器件性能对掺杂比例的要求不好，容易实现工业化生产，降低生产成本，具有良好的产业化应用前景。参考实施例14-21的制备方法，并且采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对掺杂比例做了变换；各器件的结构及测试结果如表4所示：表4从以上数据应用来看，本发明化合物作为发光层材料在oled发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。虽然已通过实施例和优选实施方式公开了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的实施方式。相反，本领域技术人员应明白，其意在涵盖各种变型和类似的安排。因此，所附权利要求的范围应与最宽的解释相一致以涵盖所有这样的变型和类似的安排。当前第1页12