专利名称：用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜。更具体地，本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物，所述组合物保证芯片接合后的引线接合中的最小模量以具有优异的初始可靠性，并通过胺固化剂实现在芯片接合之后的多个固化工艺后提供较高反应温度范围内的残留固化速率，从而有利于消除EMC成型中的空隙。本发明还涉及包括该组合物的粘合剂膜。
背景技术：
为了实现具有高容量的半导体装置，使用提高单位面积单元数量的定性高度集成法和沉积多个芯片以提高容量的定量封装法。
作为封装方法，通常使用多芯片封装(MCP)，该方法中用粘合剂沉积多个芯片，并用引线接合使上下芯片电连接。
在沉积半导体封装芯片中，当竖直安装相同尺寸的芯片时，通常预先贴附隔离物以确保用于接合引线的空间，从而导致用于贴附该隔离物的额外工艺的不便。近来，优选将下接合引线直接提供在贴附至上芯片的下表面的粘合剂膜，以简化工艺。因此，粘合剂层要求在约100至150°C的芯片接合温度下足以使接合引线从中穿过的流动性。如果粘合剂层流动性不足，会出现质量缺陷，如引线塌陷或压缩。
因此，引入高流动性粘合剂以解决低流动性粘合剂不能适应接合引线的问题。然而，高流动性粘合剂层会导致不一致的被粘物，因为芯片可因高流动性产生的过度粘合性能而在芯片接合工艺中弯曲。同时，如果被粘物基板在表面上具有不一致的部分，空隙形成在粘合剂层和基板之间的界面上。一旦形成，空隙不能被去除，而在粘合剂固化或环氧成型 (EMC成型)工艺期间固定，从而导致半导体芯片封装的缺陷，并降低苛刻条件下的可靠性。 因此，提议包括接合相同类型的芯片后的半固化工艺。然而，这种方法由于额外工艺和生产率降低而不利。发明内容
本发明提供一种用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜，所述粘合剂组合物可缩短或省去半固化工艺，消除或最小化空隙，在芯片接合之后的多个工艺后提供残留固化速率(remaining curing rate)以消除EMC成型中的空隙，并有效去除包括芯片贴装和成型的半导体制造工艺中产生的空隙以提高可加工性和可靠性。此外，可将所述粘合剂组合物涂布至FOW，FOff要求接合引线的穿过性能并具有消除EMC成型中的空隙性能，从而获得接合相同种类芯片中的可加工性和可靠性，其中要求粘合剂膜包括所述接合引线。
本发明的一个方面提供一种用于半导体的粘合剂组合物。所述粘合剂组合物在于 125°C下固化30分钟后可在150°C具有100至1500gf/mm2的抗压强度。优选地，所述用于半导体的粘合剂组合物具有500至1000gf/mm2的抗压强度。4
所述用于半导体的粘合剂组合物可包括粘结剂树脂、环氧树脂和胺固化剂。所述粘结剂树脂为(甲基)丙烯酸酯共聚物，且所述胺固化剂包括由通式1表示的第一胺固化剂和由通式2表示的第二胺固化剂
[通式1]
权利要求
1.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在125°C固化30分钟后在 150°C具有 100gf/mm2 至 1500gf/mm2 的抗压强度。
2.根据权利要求1所述的用于半导体的粘合剂组合物，包括粘结剂树脂、环氧树脂和胺固化剂。
3.根据权利要求2所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述粘结剂树脂包括(甲基)丙烯酸酯共聚物。
4.根据权利要求2所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述胺固化剂包括由通式 1表示的第一胺固化剂和由通式2表示的第二胺固化剂[通式1]
5.根据权利要求1所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述粘合剂组合物具有 500gf/mm2 至 IOOOgf/mm2 的抗压强度。
6.根据权利要求1所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述用于半导体的粘合剂组合物在150°C下固化30分钟的一次循环后，在被粘物上具有小于15%的第一空隙面积比。
7.根据权利要求3所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述(甲基)丙烯酸酯共聚物在25°C具有lOOOcps至300000cps的粘度。
8.根据权利要求3所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述(甲基)丙烯酸酯共聚物包括至20wt%的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯。
9.根据权利要求2所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中基于所述粘合剂组合物在固含量上的总量，所述粘结剂树脂的含量为35wt%至70wt%。
10.根据权利要求2所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述环氧树脂包括含联苯基的环氧树脂。
11.根据权利要求10所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述环氧树脂包括 3wt%至IOOwt%的所述含联苯基的环氧树脂。
12.根据权利要求4所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述胺固化剂包括 0. 5衬％至50衬％的所述第一胺固化剂和50衬％至99. 5衬％的所述第二胺固化剂。
13.根据权利要求12所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述第一胺固化剂和所述第二胺固化剂的重量比为1 1. 1至1 100。
14.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中所述粘合剂组合物在150°C下固化30 分钟的一次循环并在175°C下EMC成型60秒后，在被粘物上具有小于10%的第二空隙面积比。
15.根据权利要求2所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述粘结剂树脂的含量大于所述环氧树脂和所述胺固化剂的总量。
16.根据权利要求2所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述粘合剂组合物进一步包括硅烷偶联剂和填料。
17.根据权利要求16所述的用于半导体的粘合剂组合物，其中所述粘合剂组合物包括 25衬％至75wt%的所述粘结剂树脂、5衬％至35衬％的所述环氧树脂、1衬％至15wt%的所述胺固化剂、0. 01wt%至5wt%的所述硅烷偶联剂和10wt%至55wt%的所述填料。
18.一种用于半导体的粘合剂膜，包括根据权利要求1至17任意一项所述的粘合剂组合物。
全文摘要
本公开提供了一种用于半导体的粘合剂组合物和包括该粘合剂组合物的粘合剂膜。所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100至1500gf/mm2的抗压强度。所述用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略半固化工艺，通常在接合相同类型的芯片后进行所述半固化工艺。所述用于半导体的粘合剂组合物保证了芯片接合之后的引线接合中的最小模量以最小化空隙，并在芯片接合后的多个固化工艺提供残留固化速率以易于消除EMC成型中的空隙。
文档编号C09J133/04GK102533170SQ20111041851
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月14日 优先权日2010年12月27日
发明者宋基态, 崔裁源, 朴白晟, 金仁焕, 鱼东善 申请人:第一毛织株式会社