专利名称：液晶介质的制作方法
液晶介质本发明涉及包含至少一种式I的化合物的液晶介质，
权利要求
1.基于极性化合物的混合物的液晶介质，特征在于其包含至少一种式I的化合物，
2.根据权利要求I的液晶介质，特征在于其另外包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物
3.根据权利要求I或2的液晶介质，特征在于其另外包含一种或多种式III的化合物，
4.根据权利要求I 一 3的一项或多项的液晶介质，特征在于所述介质包含至少一种式I-I至1-10的化合物
5.根据权利要求I 一 4的一项或多项的液晶介质，特征在于所述介质另外包含至少一种式L-I至L-Il的化合物
6.根据权利要求I 一 5的一项或多项的液晶介质，特征在于所述介质另外包含一种或多种式T-I至T-21的三联苯，
7.根据权利要求I 一 6的一项或多项的液晶介质，特征在于所述介质另外包含一种或多种式0-1至0-16的化合物，
8.根据权利要求I一 7的一项或多项的液晶介质，特征在于所述介质另外包含一种或多种式In的茚满化合物，
9.根据权利要求I一 8的一项或多项的液晶介质，特征在于在整个混合物中，式I化合物的比例为彡I重量％。
10.制备根据权利要求I一 9的一项或多项的液晶介质的方法，特征在于使至少一种式I化合物与至少一种另外的液晶化合物混合，并且任选地加入添加剂。
11.根据权利要求I一 9的一项或多项的液晶介质用于电光学显示器的应用。
12.具有有源矩阵寻址的电光学显示器，特征在于其包含根据权利要求I一 9的一项或多项的液晶介质作为电介质。
13.根据权利要求12的电光学显示器，特征在于其是VA、PSA、PS-VA、PALC、FFS或IPS显示器。
14.下式的化合物
全文摘要
本发明涉及包含至少一种式I的化合物的液晶介质，其中R1、R1*、L1和L2具有权利要求1中所指的含义，并且涉及所述介质用于特别基于VA、PSA、PS-VA、PALC、FFS或IPS效应的有源矩阵显示器的应用。
文档编号C09K19/06GK102753653SQ201180008776
公开日2012年10月24日 申请日期2011年1月31日 优先权日2010年2月9日
发明者K·施奈德, M·克拉森-麦米尔, M·布雷米尔 申请人:默克专利股份有限公司