用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏的制作方法

文档序号:3783780阅读:170来源:国知局
用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏的制作方法
【专利摘要】一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏包含酸以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物。该酸包括至少一种由下列群组所组成的无机酸:磷酸、盐酸、硫酸及硝酸。该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。本发明通过使用硅酸盐系黏土矿物及含量与粒径的搭配,使该蚀刻膏具有容易配制、较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的优点,且于蚀刻氧化铟锡系导电膜时,可有效地蚀刻氧化铟锡系导电膜,继而形成所诉求的图案化氧化铟锡系导电膜。
【专利说明】用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,特别是涉及一种包含硅酸盐系黏土矿物的蚀刻膏。
【背景技术】
[0002]目前形成图案化氧化铟锡系导电膜的方式有湿蚀刻及干蚀刻。该湿蚀刻是采用光阻蚀刻法,而该干蚀刻是采用电浆蚀刻法。其中,较广使用湿蚀刻。该光阻蚀刻法虽可提供较佳解析度的图案化氧化铟锡系导电膜,然而,该光阻蚀刻法制程复杂且耗时,不符合业者成本效益。
[0003]中国台湾TW200827431专利公开案揭示一种用于蚀刻氧化型、透明及导电性表面的可印刷媒质。该可印刷媒质包含磷酸、至少一种溶剂、相对粒径介于20nm至80nm且BET比表面积介于40至100平方米/克的石墨及/或碳黑、增稠剂及添加剂。该可印刷媒质可用来蚀刻铟锡氧化物。然而,该可印刷媒质需使用纳米级的石墨及/或碳黑,使得该可印刷媒质的分散性不佳、储存安定性不佳,且成本高。同时,碳黑因重量轻,配制过程易产生粉尘问题。
[0004]经上述说明可知,提供具有储存安定性且成本低的蚀刻膏,是此【技术领域】相关技术人员可再突破的课题。
【发明内容】

[0005]本发明的目的在于提供一种具有较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏。
[0006]本发明用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,包含:
[0007]酸,包括选自于:磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸;以及
[0008]25wt% 至 45wt% 的娃酸盐系黏土矿物(silicate-basedclay minerals);其中,该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65 μ m至8 μ m。
[0009]本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,该硅酸盐系黏土矿物是择自于蒙脱土或高岭土。
[0010]本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,还包含分散剂。
[0011]本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计,该分散剂的含量范围为5重量份至15重量份。
[0012]本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,还包含溶剂。
[0013]本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计,该溶剂的含量范围为57重量份至145重量份。
[0014]本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,还包含颜料。
[0015]本发明的有益效果在于:本发明通过使用硅酸盐系黏土矿物及含量与粒径的搭配,使该蚀刻膏具有较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的优点,且于蚀刻氧化铟锡系导电膜时,可有效地蚀刻氧化铟锡系导电膜,继而形成所诉求的图案化氧化铟锡系导电膜。【具体实施方式】
[0016]本发明用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,包含:
[0017]酸,包括选自于:磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸;以及
[0018]25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物;
[0019]其中,该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。
[0020]较佳地,该硅酸盐系黏土矿物是择自于蒙脱土(montmori I 1nite)或高岭土(kaolinite)。
[0021]为能使该硅酸盐系黏土矿物具有更佳的分散性,较佳地,该用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏还包含分散剂。该分散剂可单独或混合使用,且该分散剂例如但不限于聚羧酸盐系分散剂或聚丙烯酸系聚合物型分散剂等。该聚羧酸盐例如但不限于聚羧酸钠盐或聚羧酸铵盐等。该聚羧酸盐系分散剂例如但不限于型号DISPERBYK-190 (BYK制)。该聚丙烯酸系聚合物例如但不限于丙烯酸-甲基丙烯酸酯共聚物。
[0022]较佳地,以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计,该分散剂的含量范围为5重量份至15重量份。
[0023]较佳地,该用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏还包含溶剂。
[0024]该溶剂能配合后续制程温度,继而可被移除即可。该溶剂可单独或混合使用,且该溶剂例如但不限于水、异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇类、1,2 —丙二醇、1,4 一丁二醇、1,3 —丁二醇、甘油、1,5 —戊二醇、2 —乙基一 I 一己醇、乙酰苯、甲基一 2 —己酮、2 -辛酮、4 一羟基一 4 —甲基一 2 —戍酮、I —甲基一 2 —吡咯唳酮、乙二醇单丁基醚、乙二醇单甲基醚、三甘醇单甲基醚、二甘醇单丁基醚,或二丙二醇单甲基醚等。
[0025]较佳地,以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计,该溶剂的含量范围为57重量份至145重量份。
[0026]较佳地,该用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏还包含颜料。该颜料可单独或混合使用,且该颜料例如但不限于偶氮(azo)系颜料、酞菁(phthalocyanine)系颜料、蒽醌(anthraquinone)系颜料、靛(indigo)系颜料、喹B丫卩定酮(quinacridone)系颜料、二恶嗪(dioxazine)系颜料,或芳甲烧(arylmethane)系颜料等。
[0027]本发明将就以下实施例来做进一步说明,但应了解的是,所述实施例仅为例示说明用,而不应被解释为本发明实施的限制。
[0028]<实施例1>
[0029]将50克的去离子水及100克的I 一甲基一 2 —吡咯啶酮(溶剂)使用浆叶式搅拌机混合均匀,接着,加入15克的DISPERBYK-190分散剂及I克的酞菁颜料,并持续搅拌混合,然后,加入150克的磷酸,待搅拌混合均匀,将105.5克平均粒径为8μ m的蒙脱土加入,并以200rpm的转速搅拌两小时即可。
[0030]<实施例2至5及比较例I至3>
[0031]实施例2至5及比较例I至3分别是以与实施例1相同的步骤制作蚀刻膏,不同的地方在于:改变硅酸盐系黏土矿物的使用量以及硅酸盐系黏土矿物的平均粒径,如表1所
/Jn ο[0032]<比较例4>
[0033]将50克的去离子水及100克的I 一甲基一 2 —吡咯啶酮使用浆叶式搅拌机混合均匀,接着,加入15克的DISPERBYK-190分散剂,并持续搅拌混合,然后,加入150克的磷酸,待搅拌混合均匀,将170克平均粒径为16nm的碳黑加入,并以200rpm的转速搅拌两小时即可。
[0034]<比较例5>
[0035]将50克的去离子水及100克的I 一甲基一 2 —吡咯啶酮使用浆叶式搅拌机混合均匀,接着,加入15克的DISPERBYK-190分散剂及I克的酞菁颜料,并持续搅拌混合,然后,加入150克的磷酸,待搅拌混合均匀,将170克平均粒径为2 μ m的氯化钠加入,并以200rpm的转速搅拌两小时即可。
[0036]<检测项目>
[0037]黏度量测:以fcookfield黏度 计(厂牌:Brookfield ;型号:HBDV_IPrime)在温度为25°C且旋转速度为30rpm的条件下,测量所述实施例1至5及比较例I至5的蚀刻膏的黏度,单位为cps。
[0038]印刷性:以325网孔不锈钢丝网将所述实施例1至5及比较例I至5的蚀刻膏印刷于一透明导电膜上,然后,移除该325网孔不锈钢丝网,并以光学显微镜(厂牌:01ympUS ;型号:BX51)观察印刷线路是否符合325网孔不锈钢丝网的网孔大小,其评价方式:〇:印刷线路符合网孔大小;X:印刷线路不符合网孔大小,而有外扩现象。
[0039]储存安定性:将实施例1至5及比较例I至5的蚀刻膏分别置于26°C的环境中一个月,观察蚀刻膏是否固化,其评价方式:〇:不固化;X:固化。
[0040]蚀刻性:将实施例1至5及比较例I至5的蚀刻膏印刷于一表面具有氧化铟锡导电膜的基材上,于120°C烘烤5分钟,接着,并以水进行清洗,使用阻抗率计(厂牌:三菱;型号:MCP-T370)量测蚀刻处是否有阻抗值,其评价方式:〇:有阻抗值;X:无阻抗值。
[0041]清洗性:将实施例1至5及比较例I至5的蚀刻膏印刷于一表面具有氧化铟锡导电膜的基材上,于120°C下烘烤10至15分钟后,并以水流量为2.5kg/cm2进行清洗,观察是否有蚀刻膏残留,其评价方式:〇:无残留;X:残留。
[0042]表1
[0043]
【权利要求】
1.一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于包含: 酸,包括选自于:磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸;以及 25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物;其中,该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65 μ m 至 8 μ m。
2.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于:该硅酸盐系黏土矿物是择自于蒙脱土或高岭土。
3.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于:该蚀刻骨还包含分散剂。
4.根据权利要求3所述的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于:以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计,该分散剂的含量范围为5重量份至15重量份。
5.根据权利要求3所述的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于:该蚀刻膏还包含溶剂。
6.根据权利要求5所述的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于:以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计,该溶剂的含量范围为57重量份至145重量份。
7.根据权利要求5所述的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于:该蚀刻膏还包含颜料。
【文档编号】C09K13/04GK103965913SQ201310206813
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年5月29日 优先权日:2013年1月31日
【发明者】黄耿芳, 王为华 申请人:三治光电科技股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1