本发明涉及一种包括附着层的光电子器件和一种用于制造光电子器件中的附着层的方法。本专利申请要求德国专利申请102013112826.2的优先权，其公开的内容通过参引并入本文。
背景技术：
光电子器件、例如发光二极管(LED)经常具有带有转换颗粒的转换小板。转换颗粒将由辐射源发射的辐射转换成具有改变的、例如更长波长的辐射。在此，除了所发射的被改变的辐射之外产生热。在常规的转换小板中，转换颗粒经常嵌入到作为基体的硅酮中。当然，硅酮具有通过转换颗粒产生的热的不充足的散热。由此产生在转换元件中的热积聚，所述热积聚导致亮度的降低并且导致色坐标的改变以及导致LED的提早的失效。通过将基体材料应用于具有比硅酮更高的热导率的转换小板，热量已经能够有效地被导出。当然，转换小板通常通过由硅酮构成的附着层粘贴。然后，产生的热量虽然能够有效地导出到转换小板中的基体材料中，然而作为热积聚保留在转换小板中，因为热量不能够通过由硅酮构成的、强绝缘的附着层导出。
技术实现要素：
在此，本发明的至少一个实施方式的目的是，提供一种包括附着层的光电子器件，所述附着层具有相对于现有技术改进的热导率。另一目的在于，提供一种用于制造光电子器件中的附着层的方法。通过包括附着层的光电子器件实现该目的，所述光电子器件还包括：层序列，所述层序列具有发射电磁初级辐射的有源层，转换小板，所述转换小板设置在所述电磁初级辐射的光路中，其中所述附着层设置在所述层序列和所述转换小板之间，并且其中其中所述附着层包括具有Si-O-Al键和/或Si-O-Zr键的无机有机杂化材料。此外，通过用于制造光电子器件中的附着层的方法实现该目的，所述附着层包括在光电子器件中的转换小板和具有有源层的层序列之间的无机有机杂化材料，所述方法包括下列方法步骤：A)提供具有有源层的层序列和转换小板，B)制备粘贴剂，C)将所述粘贴剂施加到所述层序列上或施加到所述转换小板上，D)将所述转换小板定位在所述层序列上或将所述层序列定位在所述转换小板上，E)硬化所述粘贴剂以构成所述附着层，其中方法步骤B)包括下列方法步骤：B1)提供第一反应混合物，所述第一反应混合物包括式III的至少一种化合物或者式III的至少一种化合物和式IV的化合物其中在式III中：R′代表氢和/或有机的残基并且R″代表具有环氧基团的有机的残基或具有异氰酸酯基团的有机的残基，并且其中在式IV中：M′＝Si或Zrm′＝0、1、2、3、4或5，R″′代表氢和/或有机的残基，B2)将包括所述式I的化合物和所述式II的化合物的溶液滴加到所述第一反应混合物以形成第二反应混合物，其中在式I中：M＝Al或Zr，R代表氢和/或有机的残基，并且x＝3或4，并且其中在式II中：R1和R2能够选择为是相同的或不同的并且代表氢和/或有机的残基。本发明的有利的实施方案和改进方案在本文中说明。提出一种光电子器件。光电子器件包括具有发射电磁初级辐射的有源层的层序列和设置在电磁初级辐射的光路中的转换小板。此外，光电子器件包括设置在层序列和转换小板之间的附着层。附着层包括具有Si-O-Al键和/或Si-O-Zr键的无机有机杂化材料。一个层或一个元件设置在两个其他层或元件“之间”在此和在下文中能够表示：这一个层或这一个元件直接地以直接的机械接触和/或电接触的方式或者以间接接触的方式相对于两个其他层或元件的一个设置并且以直接的机械接触和/或电接触的方式或者电地或者以间接接触的方式相对于两个其他层或元件的另一个设置。在此，在间接接触的情况下，于是其他层和/或元件能够设置在一个和两个其他层中的至少一个之间或者设置在一个和两个其他元件中的至少一个之间。“层序列”在本文中理解为包括超过一个层的层序列，例如p型掺杂的和n型掺杂的半导体层的序列，其中所述层相叠地设置。层序列能够构成为外延层序列或作为具有外延层序列的发射辐射的半导体芯片、即构成为外延生长的半导体层序列。在此，层序列例如能够基于InGaAlN构成。基于InGaAlN的半导体芯片和半导体层序列尤其是如下半导体芯片和半导体层序列：其中外延地制造的半导体层序列具有由不同的单层构成的层序列，所述层序列包含至少一个单层，所述单层具有由III-V族化合物半导体材料体系InxAlyGa1-x-yN构成的材料，其中0≤x≤1、0≤y≤1并且x+y≤1。具有基于InGaAlN的至少一个有源层的半导体层序列例如能够发射在紫外至绿色波长范围中的电磁辐射。替选地或附加地，半导体层序列或半导体芯片也能够基于InGaAlP，也就是说：半导体层序列能够具有不同的单层，其中至少一个单层具有由III-V族化合物半导体材料体系InxAlyGa1-x-yP构成的材料，其中0≤x≤1、0≤y≤1并且x+y≤1。具有基于InGaAlP的至少一个有源层的半导体层序列或半导体芯片例如能够优选发射具有在绿色至红色波长范围中的一个或多个光谱分量的电磁辐射。替选地或附加地，半导体层序列或半导体芯片也能够具有其他III-V族化合物半导体材料体系、例如基于AlGaAs的材料，或者II-VI族化合物半导体材料体系。具有基于AlGaAs材料的有源层尤其能够适合用于发射具有红色至红外波长范围中的一个或多个光谱分量的电磁辐射。除有源层外，有源半导体层序列能够包括其他功能层或功能区域，例如p型掺杂的和n型掺杂的载流子传输层、即电子传输层或空穴传输层，未掺杂的或p型掺杂的和n型掺杂的约束层、熔覆层或波导层、阻挡层、平面化层、缓冲层、保护层和/或电极以及其组合。此外，例如能够在半导体层序列的背离生长衬底的一侧上施加一个或多个镜层。涉及有源层或其他功能层和区域的、在此描述的结构是本领域技术人员尤其鉴于构造、功能和结构已知的进而在这方面不详细阐述。在一个实施方式中，转换小板包括转换颗粒，所述转换颗粒至少部分地将电磁初级辐射转换成电磁次级辐射。转换颗粒将电磁初级辐射至少部分地转换成电磁次级辐射，一方面能够表示：电磁初级辐射至少部分地由转换颗粒吸收并且作为具有至少部分地与初级辐射不同的波长范围的次级辐射来发射。被吸收的初级辐射的一部分在此作为热量从转换颗粒输出。电磁初级辐射和电磁次级辐射能够包括红外至紫外波长范围中的、尤其可见光波长范围中的一个或多个波长和/或波长范围。在此，初级辐射的光谱和/或次级辐射的光谱能够是窄带的，也就是说，初级辐射和/或次级辐射能够具有单色的或近似单色的波长范围。初级辐射的光谱和/或次级辐射的光谱替选地也能够是宽带的，也就是说，初级辐射和/或次级辐射能够具有混合色的波长范围，其中混合色的波长范围能够具有连续的光谱或具有不同波长的、多个离散的光谱分量。例如，电磁初级辐射能够具有由紫外至绿色波长范围构成的波长范围，而电磁次级辐射能够具有由蓝色至红外波长范围构成的波长范围。尤其优选地，初级辐射和次级辐射叠加地能够引起白色的光印象。为此，初级辐射优选能够引起蓝色的光印象并且次级辐射能够引起黄色的光印象，所述黄色的光印象能够通过黄色波长范围中的次级辐射的光谱分量和/或绿色和红色的波长范围中的光谱分量构成。转换颗粒至少部分地将电磁初级辐射转换成电磁次级辐射，也能够表示：电磁初级辐射几乎完全地通过转换颗粒吸收并且以电磁次级辐射的形式和以热量的形式输出。根据该实施方式的光电子器件所发射的辐射因此几乎完全地对应于电磁次级辐射。几乎完全的转换能够理解为超过90％、尤其超过95％的转换。通过包括具有Si-O-Al键和/或Si-O-Zr键的无机有机杂化材料的附着层，在转换小板中的、通过转换颗粒产生的热量能够以令人惊讶地方式极其良好地导出。由此在转换小板中仅产生低的或可忽略的热积聚并且在光电子器件的运行持续时间的长度之上能够确保恒定的亮度和恒定的色坐标。因此能够预防光电子器件的提早的失效并且能够延长光电子器件的使用寿命。此外，借助该附着层实现转换小板和层序列的非常好的粘贴。在一个实施方式中，附着层具有0.25W/mK和1.0W/mK之间的、优选0.3W/mK和1.0W/mK之间的热导率。在一个实施方式中，附着层对于由层序列的有源层发射的电磁初级辐射是透明的。当前，“透明”理解为：材料、层或元件对于整个可见的电磁光谱或其部分光谱至少部分地是可透过的。由层序列的有源层发射的辐射例如能够位于电磁光谱的可见的范围中。在一个实施方式中，无机有机杂化材料包括Si-O-Si键、Al-O-Al键、Si-O-Al键、Si-O-Si键、Zr-O-Zr键、Si-O-Zr键或Si-O-Si键、Al-O-Al键、Si-O-Al键、Zr-O-Zr键、Si-O-Zr键和Al-O-Zr键。在一个实施方式中，转换小板包括转换颗粒和无机有机杂化材料和/或硅酸盐玻璃和/或陶瓷，其中转换颗粒在无机有机杂化材料和/或硅酸盐玻璃和/或陶瓷中分布。无机有机杂化材料和/或硅酸盐玻璃和/或陶瓷的特征在于：所述无机有机杂化材料和/或硅酸盐玻璃和/或陶瓷具有比硅酮更高的热导率。硅酮因此在此和在下文中不属于无机有机杂化材料的定义。例如对于无机有机杂化材料和/或硅酸盐玻璃，热导率在0.2W/mK和10.0W/mK之间，并且对于陶瓷，热导率在10W/mK和12W/mK之间。在该实施方式中，在转换电磁初级辐射时产生的热量能够有效地通过转换小板的无机有机杂化材料和/或硅酸盐玻璃和/或陶瓷和附着层的无机有机杂化材料从转换小板导出。在一个实施方式中，附着层的无机有机杂化材料通过式I的至少一种化合物、式II的至少一种化合物和式III的至少一种化合物的化学反应、如水解和相互的缩合或者水解、相互的缩合和交联来制备。其中M＝Al或Zr，R、R′、R1、R2能够选择为是相同的或不同的并且代表氢和/或有机的残基，R″代表具有环氧基团的有机的残基或具有异氰酸酯基团的有机的残基并且x＝3或4。在一个实施方式中，无机有机杂化材料通过式I的至少一种化合物、式II的至少一种化合物、式III的至少一种化合物和式IV的至少一种化合物的化学反应、如水解和相互的缩合或者水解、相互的缩合和交联来制备。其中M＝Al或Zr，R、R′、R1、R2、R″′能够选择为是相同的或不同的并且代表氢和/或有机的残基，R″代表具有环氧基团的有机的残基或具有异氰酸酯基团的有机的残基，x＝3或4，M′＝Si或Zr，并且m′＝0、1、2、3、4或5。已表明：包括这种无机有机杂化材料的附着层相对于附着层在光电子器件中所经受的温度影响和辐射影响是稳定的。因此确保，附着层不退化并且在光电子器件的使用寿命期间包含其非常好的粘接特性。通过水解作用，在中心原子M和Si或M、Si和M′上的OR-、OR′-基团或OR-、OR′-和OR″′-基团至少部分地通过OH-基团取代。两个OH基团能够通过缩合反应在离解H2O、M-O-M键、M′-O-M′键、Si-O-Si键、Si-O-M键、M′-O-M键、Si-O-M′键的情况下构成。也可行的是：OH基团和M-O-R、M′-OR″′或Si-OR′基团通过缩合反应在离解R-OH、R″′-OH或R′-OH、M-O-M-、M′-O-M′-、Si-O-Si、Si-O-M-、M′-O-M-、Si-O-M′键的情况下构成。尤其地，在此构成Si-O-Si-、Al-O-Al-和Si-O-Al键、Si-O-Si-、Zr-O-Zr-和Si-O-Zr键或Si-O-Si-、Al-O-Al-和Si-O-Al-、Zr-O-Zr-、Si-O-Zr-和Al-O-Zr键。如果使用式IV的化合物以制备无机有机杂化材料，那么能够由式IV的化合物的NH2基团与例如式I、III、IV的化合物、式I、III、IV的水解的化合物、或者还有缩合的化合物的反应或交联构成N-Si-和N-Al键、N-Si-和N-Zr键或N-Si-、N-Zr-和N-Al键。通过使用式IV的化合物能够提高无机有机杂化材料的柔性和弹性。由于在代表具有异氰酸酯基团的有机的残基的式III的化合物中的Si上的R″基团，式III的化合物、式III的水解的化合物和/或具有式I、III、IV的化合物的通过缩合产生的产物、具有至少一个OH基团或NH2基团的式I、III、IV的水解的化合物能够附加地交联。通过交联产生无机有机杂化材料之内的稳定的键，所述键也通过电磁辐射的作用保持稳定。通过附加的交联，以该方式制备的无机有机杂化材料具有极其高的化学抗性、例如还有相对于湿气的抗性。在一个实施方式中，附着层具有1μm至25μm、优选在1μm至10μm之间并且尤其优选在1μm至5μm之间的层厚度。在一个实施方式中，在附着层和层序列之间和/或在附着层和转换小板之间存在化学键。化学键能够理解为共价键、离子键或还有配位键。尤其地，在附着层和层序列之间和/或在附着层和转换小板之间存在共价键。通过化学结合实现在光电子器件中的转换小板和层序列的极其好的粘贴。通过层序列和转换小板的良好的粘贴，预防两个元件的提早的脱层进而能够延长光电子器件的使用寿命。与之相比，硅酮由于化学组合产生少量共价键或不产生共价键。光电子器件能够例如是辐射二极管、光电二极管-晶体管阵列/模块和光学耦合器。此外提供一种用于制造光电子器件中的附着层的方法。附着层包括无机有机杂化材料并且在光电子器件中设置在转换小板和具有有源层的层序列之间。所述方法包括下列方法步骤：A)提供具有有源层的层序列和转换小板，B)制备粘贴剂，C)将粘贴剂施加到层序列上或施加到转换小板上，D)将转换小板定位在层序列上或将层序列定位在转换小板上，E)硬化粘贴剂以构成附着层。方法步骤B)包括下列方法步骤：B1)提供第一反应混合物，所述第一反应混合物包括式III的至少一种化合物或式III的至少一种化合物和式IV的化合物对于式III适用：R′代表氢和/或有机的残基并且R″代表具有环氧基团的有机的残基或具有异氰酸酯基团的有机的残基，对于式IV适用：M′＝Si或Zrm′＝0、1、2、3、4或5，R″′代表氢和/或有机的残基，B2)将包括式I的化合物和式II的化合物的溶液滴加到第一反应混合物以形成第二反应混合物，对于式I适用：M＝Al或Zr，R代表氢和/或有机的残基，并且x＝3或4，对于式II适用：R1和R2能够选择为是相同的或不同的并且代表氢和/或有机的残基。借助这种方法能够制造根据上述实施方案的光电子器件。在一个实施方式中，方法步骤B1)中的第一反应混合物由式III的化合物或式III的化合物和式IV的化合物构成。在一个实施方式中，方法步骤B1)中的第一反应混合物包括式III的第一化合物和第二化合物或式III的第一化合物和第二化合物和式IV的化合物。在一个实施方式中，方法步骤B1)中的第一反应混合物由式III的第一化合物和第二化合物或式III的第一化合物和第二化合物和式IV的化合物构成。在一个实施方式中，对于式III的第一化合物适用：R″代表具有环氧基团的有机的残基，并且对于式III的第二化合物适用：R″代表具有异氰酸酯基团的有机的残基。通过式III的第一化合物和式III的第二化合物的反应能够产生具有Si-O-Si键和/或由于异氰酸酯基团的反应具有稳定的键的化合物。在一个实施方式中，方法步骤B2)中的溶液由式I的化合物和式II的化合物构成。在一个实施方式中，式II的化合物用于络合式I的化合物。由此，一方面式I的化合物能够保持在溶液中并且另一方面能够降低其反应性。在一个实施方式中，在方法步骤C)中通过针点胶或喷射进行将粘贴剂施加到层序列上。在一个实施方式中，在方法步骤B2)之后进行另一方法步骤：B3)将酸添加到第二反应混合物以形成第三反应混合物。在一个实施方式中，酸选自：HCl、HNO3和H2SO4。在一个实施方式中，酸的pH值在1和4之间。在一个实施方式中，式I的化合物和式II的化合物以5:1至1:1的摩尔比使用。在一个实施方式中，式IV的化合物和式III的至少一种化合物以1:10至1:15的摩尔比使用以形成第一反应混合物。在一个实施方式中，式I的化合物和式III的至少一种化合物以1:1至1:10的摩尔比使用。在一个实施方式中，在方法步骤B1)之后紧接着另一方法步骤：B1a)将第一反应混合物冷却到选自1℃至15℃范围的温度。在一个实施方式中，第一反应混合物、第二反应混合物和/或第三反应混合物恒定地保持在选自1℃至15℃的范围的温度下。在一个实施方式中，第一反应混合物、第二反应混合物和/或第三反应混合物在另一方法步骤之前搅拌5分钟至24小时。例如第一反应混合物搅拌10分钟至60分钟，第二反应混合物搅拌3分钟至120分钟并且第三反应混合物搅拌120分钟至24小时。搅拌能够在恒定的温度下进行，所述温度选自1℃至15℃的范围。在一个实施方式中，方法步骤E)包括下列方法步骤：E1)预固化粘贴剂，E2)热学地后固化粘贴剂。在一个实施方式中，方法步骤E1)在室温下进行。在该步骤中，将副产品如易挥发的醇从粘贴剂中蒸发。在一个实施方式中，方法步骤E2)在炉中以1K/min-10K/min的加热速率加热至120℃至160℃的温度。热学的后固化能够进行0.5h至2h、优选0.5h至1h。通过对于在方法步骤E)中的硬化足够的、温和的条件能够确保：光电子器件的其他元件和层、如层序列和转换小板不被破坏或损害。产生的缩合产物、主要低分子量的醇温和地且均匀地排出，使得没有或几乎没有发生起泡并且在附着层中也没有保留气体通道。与之相比，例如陶瓷的粘贴剂一方面由于高的硬化温度并且由于排出的缩合产物不适合应用在光电子器件中，所述排出的缩合产物具有高分子量的物质，所述物质导致起泡并且导致形成气体通道。在一个实施方式中，对于式III的化合物适用：R′选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基、丁基残基、异丁基残基、仲丁基残基、叔丁基残基、环己基残基、苯基残基和其组合。尤其优选的是，R′选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和其组合。例如R′是甲基残基。在一个实施方式中，式III的化合物代表式IIIa的化合物：其中m＝0、1、2、3、4或5、优选m＝1、2或3、尤其优选m＝2。R′能够如对于式III说明的那样选择。例如R′是甲基残基并且产生式IIIa″的化合物：在一个实施方式中，式III的第一化合物具有式IIIa的化合物并且式III的第二化合物具有式IIId的化合物：其中对于式IIId的化合物适用：n＝1、2、3、4或5、优选1、2或3、尤其优选2或3。R′能够如对于式III说明的那样选择。在一个实施方式中，对于式IV的化合物适用：R″′选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基、丁基残基、异丁基残基、仲丁基残基、叔丁基残基、环己基残基、苯基残基和其组合。尤其优选的是R″′选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和其组合。例如R″′是甲基残基。在一个实施方式中，式IV的化合物代表式IVa的化合物：其中m′＝0、1、2、3、4或5、优选m＝1、2或3、尤其优选m＝2。R″′能够如对于式III说明的那样选择。例如产生式Iva′的化合物：在一个实施方式中，对于式I的化合物适用：R选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基、丁基残基、异丁基残基、仲丁基残基、叔丁基残基、环己基残基、苯基残基和其组合。尤其优选的是，R选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和仲丁基残基和其组合。例如R是仲丁基残基。在一个实施方式中，式I的化合物具有下列式Ia或Ib：R能够如对于式III说明的那样选择。在一个实施方式中，对于式I的化合物适用：M＝Al并且x＝3。例如产生式Ia’的化合物：在一个实施方式中，对于式II的化合物适用：R1和R2彼此独立地选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基、甲氧基残基、乙氧基残基、丙氧基残基、异丙氧基残基和其组合。尤其优选的是，R1选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和其组合。尤其优选的是，R2选自：甲氧基残基、乙氧基残基、丙氧基残基、异丙氧基残基和其组合。例如产生式IIa的化合物：用于制造光电子器件中的层序列和转换小板之间的附着层的方法的全部特征也适合于光电子器件。附图说明本发明的其他优选的实施方式和改进方案从在下文中结合附图描述的实施例得出。图1和图2示出光电子器件的不同的实施方式的示意侧视图，图3示出各两个硅晶片的热导率，所述硅晶片与附着层粘贴。在实施例和附图中，相同的或起相同作用的组成部分分别设有相同的附图标记。示出的元件和其彼此间的大小关系不能够视为是按比例的，更确切地说，为了更好地理解能够夸张大地示出各个元件、尤其层厚度。具体实施方式根据图1的光电子器件1示出具有导体框6的载体5。在载体5上设置层序列4，所述层序列与导体框6经由键合线7电连接。在层序列4上方设置转换小板3。转换小板3包括转换颗粒和无机有机杂化材料或转换颗粒和硅酸盐玻璃，其中转换颗粒在无机有机杂化材料中或在硅酸盐玻璃中例如均匀地分布。转换小板3设置在电磁初级辐射的光路中，所述电磁初级辐射由层序列4中的有源层(在此未示出)发射。在层序列4和转换小板3之间设置附着层2。附着层2包括具有Si-O-Si、Si-O-Al和Al-O-Al-或Si-O-Si、Si-O-Zr和Zr-O-Zr键的无机有机杂化材料。附着层2能够如下制备：A)提供具有有源层的层序列(4)和转换小板(3)，B)制备粘贴剂，C)将粘贴剂施加到层序列(4)上或施加到转换小板(3)上，D)将转换小板(3)定位在层序列(4)上或将层序列(4)定位在转换小板(3)上，E)硬化粘贴剂以构成附着层(2)，其中方法步骤B)包括下列方法步骤：B1)提供包括式IIIa的化合物的第一反应混合物其中R′选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和其组合，并且m＝0、1、2、3、4或5。B2)将包括式I的化合物和式II的化合物的溶液滴加到第一反应混合物其中在式I中适用：M＝Al或Zr，R选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和仲丁基残基和其组合，并且对于M＝Al，x＝3，或对于M＝Zr，x＝4；并且其中在式II中适用：R1选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和其组合。R2选自：甲氧基残基、乙氧基残基、丙氧基残基、异丙氧基残基和其组合。优选地，光电子器件1是LED，其中辐射在附图中向上经由透明的层序列4、透明的附着层2和透明的转换小板3耦合输出。根据图2的光电子器件1示出具有导体框6的载体5和壳体8。壳体8在中间具有凹部，在所述凹部中设置层序列4，所述层序列与导体框6电连接。凹部借助灌封料9填充。对于灌封料9常用的材料是本领域技术人员已知的，例如是环氧树脂。在层序列4和转换小板3之间设置附着层2。附着层2包括具有Si-O-Si、Si-O-Al和Al-O-Al-或Si-O-Si、Si-O-Zr和Zr-O-Zr键的无机有机杂化材料。附着层能够如下制备：A)提供具有有源层的层序列(4)和转换小板(3)，B)制备粘贴剂，C)将粘贴剂施加到层序列(4)上或施加到转换小板(3)上，D)将转换小板(3)定位在层序列(4)上或将层序列(4)定位在转换小板(3)上，E)硬化粘贴剂以构成附着层(2)，其中方法步骤B)包括下列方法步骤：B1)提供包括式III的第一化合物(式IIIa)和第二化合物(式IIId)：其中R′分别彼此独立地选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和其组合，并且m＝0、1、2、3、4或5和n＝1、2、3、4或5。B2)将包括式I的化合物和式II的化合物的溶液滴加到第一反应混合物以形成第二反应混合物，其中在式I中适用：M＝Al或Zr，R选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和仲丁基残基和其组合，并且对于M＝Al，x＝3，或对于M＝Zr，x＝4；并且其中在式II中适用：R1选自：氢残基、甲基残基、乙基残基、丙基残基、异丙基残基和其组合。R2选自：甲氧基残基、乙氧基残基、丙氧基残基、异丙氧基残基和其组合。优选地，光电子器件1是LED，其中辐射向上经由透明的层序列4、透明的附着层和透明的灌封料9耦合输出。图3示出各两个硅晶片的两个热导率，所述硅晶片与附着层粘贴。附着层分别具有25μm的厚度。由两个硅晶片和在其之间设置的附着层构成的复合结构分别具有0.6mm的厚度。硅晶片各具有1cm×1cm的面积。在y轴上以W/mK为单位绘制热导率并且在x轴上以℃为单位绘制温度T。借助由硅酮构成的附着层粘贴的两个硅晶片的复合结构的热导率被配设给设有附图标记I的热导率。借助根据本发明的附着层粘贴的两个硅晶片的复合结构的热导率被配设给设有附图标记II的热导率。根据本发明的附着层如下制造：B1)提供具有0.15mol缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(式IIIa″)和0.012mol氨丙基三乙氧基硅烷(式IVa′)的第一反应混合物B1a)将第一反应混合物冷却到1℃和15℃之间的温度，-搅拌第一反应混合物20分钟，B2)将由仲丁醇铝(式Ia′)和乙基乙酰乙酸乙酯(式IIa)以5:1至1:1的摩尔比构成的溶液滴加到第一反应混合物以形成第二反应混合物-搅拌第二反应混合物60分钟，B3)将具有1和4之间的pH值的HCl添加到第二反应混合物以形成第三反应混合物，-使第三反应混合物得以搅拌2小时，-搅拌第三反应混合物数个小时以形成粘贴剂，C)将粘贴剂施加到硅晶片上，D)定位另一硅晶片，E)借助如下方法步骤硬化粘贴剂以构成附着层：E1)在室温下预固化粘贴剂30分钟至60分钟，E2)在炉中以1K/min-10K/min的加热速率以直至130℃的温度，热学后固化粘贴剂0.5小时至2小时。已表明：与具有由硅酮构成的附着层的复合结构相比，具有根据本发明的附着层的复合结构在25℃至150℃的温度范围之上具有3至3.5倍高的热导率。此外，具有根据本发明的附着层的复合结构的热导率II在示出的25℃至150℃的温度范围之上几乎是稳定的。本发明不通过根据实施例进行的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其是包含在本文中的特征的每个组合，即使该特征或者该组合本身未明确地在本文中或者实施例中说明时也是如此。