用于有机光电子器件的组合物、包含其的有机光电子器件及显示设备的制作方法

相关申请的引证

本申请要求于2015年9月25日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2015-0136653的优先权和权益，通过引证将其全部内容合并于此。

公开了有机光电子器件(organicoptoelectronicdevice)和显示设备(displaydevice)。

背景技术：

有机光电子器件是将电能转换成光能(反之亦然)的器件。

根据它的驱动原理可以将有机光电子器件分类如下。一种是光电子器件，其中通过光能产生激子，分成电子和空穴，并且传输至不同的电极以产生电能，以及另一种是发光器件，其中施加电压或电流至电极以由电能产生光能。

有机光电子器件的实例可以是有机光电器件、有机发光二极管、有机太阳能电池、和有机光导体鼓(organicphotoconductordrum)。

这些中，由于对平板显示器的需求增加，最近有机发光二极管(oled)受到关注。有机发光二极管通过施加电流至有机发光材料将电能转换为光，并且具有其中有机层插入在阳极和阴极之间的结构。

认为有机发光二极管的效率是实现长寿命的全色显示器的关键因素之一。因此，已经进行了通过使用磷光材料来开发具有高效率的有机发光二极管的许多研究。为了解决该问题，本公开通过使用具有高效率的磷光材料提供了有机发光二极管。

技术实现要素：

一个实施方式提供了用于具有高效率和长寿命的有机光电子器件的组合物。

另一个实施方式提供了包含用于有机光电子器件的组合物的有机光电子器件。

又一个实施方式提供了包括该有机光电子器件的显示设备。

根据一个实施方式，用于有机光电子器件的组合物包含由化学式1表示的至少一种第一化合物、由化学式2表示的化合物以及由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合组成的化合物中的至少一种第二化合物、和由化学式5表示的至少一种第三化合物。

[化学式1]

在化学式1中，

z独立地是n、c、或cr^a，

z中的至少一个是n，

r¹至r⁶和r^a独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂芳基基团、或它们的组合，

r¹至r⁶和r^a独立地存在或邻近的基团彼此连接以提供环，

l¹和l²独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，

n1是1，

n2和n3独立地是0或1的整数，并且

1≤n2+n3≤2；

[化学式2]

其中，在化学式2中，

l³至l⁶和y¹独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，

ar¹是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、或它们的组合，

r⁷至r¹⁰独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c50芳基基团、取代或未取代的c2至c50杂环基基团、或它们的组合，并且

r⁷至r¹⁰和ar¹中的至少一个包含取代或未取代的三亚苯基基团(triphenylenegroup)或取代或未取代的咔唑基团，

其中，在化学式3和4中，

y²和y³独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，

ar²和ar³独立地是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、或它们的组合，

r¹¹至r¹⁴独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c50芳基基团、取代或未取代的c2至c50杂环基团、或它们的组合，

化学式3的两个邻近的*连接至化学式4的两个*以提供稠环，并且在化学式3中，不提供稠环的*独立地是cr^c，并且

r^c是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c12芳基基团、取代或未取代的c2至c12杂环基团、或它们的组合；

[化学式5]

其中，在化学式5中，

r^d和r^e独立地是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、或它们的组合，

r^f至r^o独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基基团、取代或未取代的c3至c30环烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、取代或未取代的c6至c30芳基胺基基团(arylaminegroup)、取代或未取代的c1至c30烷氧基基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的c1至c30烷基巯基基团(alkylthiolgroup)、取代或未取代的c6至c30芳基巯基基团(arylthiolgroup)、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、或它们的组合，

r^h、rⁱ、r^l和r^m独立地存在，或彼此连接以提供环，条件是当r^h和rⁱ彼此连接以提供环时，r^l和r^m并不彼此连接，以及当r^l和r^m彼此连接以提供环时，r^h和rⁱ并不彼此连接，以及

l^a至l^c独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，

其中，化学式1至5中“取代的”是指由氘、卤素、羟基基团、c1至c40甲硅烷基基团、c1至c30烷基基团、c3至c30环烷基基团、c2至c30杂环烷基基团、c6至c30芳基基团、c2至c30杂环基团、c1至c20烷氧基基团、c1至c10三氟烷基基团、或氰基基团代替至少一个氢。

根据另一个实施方式，提供了包含用于有机光电子器件的组合物的有机光电子器件。

根据另一个实施方式，提供了包括有机光电子器件的显示设备。

可以实现具有高效率和长寿命的有机光电子器件。

附图说明

图1和2是示出了根据示例实施方式的有机光电子器件的示意性截面图。

【符号描述】

100，200：有机发光二极管

105：有机层

110：阴极

120：阳极

130：发射层

140：辅助层

具体实施方式

在下文中，详细描述了本公开的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本发明不限于此且本发明由权利要求的范围限定。

在本发明说明书中，当不另外提供定义时，术语“取代的”是指由氘、卤素、羟基基团、c1至c40甲硅烷基基团、c1至c30烷基基团、c3至c30环烷基基团、c2至c30杂环烷基基团、c6至c30芳基基团、c2至c30杂环基团、c1至c20烷氧基基团、c1至c10三氟烷基基团、或氰基基团代替取代基或化合物中的至少一个氢。

在本发明的一个实施方式中，术语“取代的”可以指由氘、c1至c10烷基基团或c6至c30芳基基团代替取代基或化合物中的至少一个氢。

另外，取代的c1至c40甲硅烷基基团、c1至c30烷基基团、c3至c30环烷基基团、c2至c30杂环烷基基团、c6至c30芳基基团、c2至c30杂环基团、或c1至c20烷氧基基团中的两个邻近的取代基可以稠合形成环。例如，取代的c6至c30芳基基团可以与另一个邻近的取代的c6至c30芳基基团稠合以形成取代或未取代的芴环。

在本说明书中，当不另外提供具体定义时，“杂”是指在一个化合物或取代基中包含1至3个选自n、o、s、p、和si的杂原子，以及剩余的碳的物质。

在本说明书中，当不另外提供定义时，“烷基基团”是指脂肪族烃基团。在没有任何双键或三键的情况下，烷基基团可以是“饱和烷基基团”。

烷基基团可以是c1至c30烷基基团。更具体地，烷基可以是c1至c20烷基具体或c1至c10烷基。例如，c1至c4烷基基团可以在烷基链中具有1至4个碳原子，该烷基链可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、和叔丁基。

烷基基团的具体实例可以是甲基基团，乙基基团，丙基基团，异丙基基团，丁基基团，异丁基基团，叔丁基基团，戊基基团，己基基团，环丙基基团，环丁基基团，环戊基基团，环己基基团等。

在本说明书中，“芳基基团”是指包含至少一个烃芳香族部分的基团，并且烃芳香族部分的所有元素具有形成共轭的p轨道，例如苯基基团、萘基基团等，两个或更多个烃芳香族部分可以通过σ键连接，并且可以是例如联二苯基基团(联苯基基团，biphenylgroup)、三联苯基基团、四联苯基基团等，并且两个或更多个烃芳香族部分直接或间接稠合以提供非芳香族的稠环。例如，其可以是芴基基团。

芳基基团可以包括单环、多环或稠环多环(即，共享邻近的碳原子对的环)官能团。

在本说明书中，“杂环基团”是杂芳基基团的上位概念(genericconcept)，并且可以包含代替环状化合物如芳基基团、环烷基基团、它们的稠环、或它们的组合中的碳(c)的选自n、o、s、p、和si的至少一个杂原子。当杂环基团是稠环时，杂环基团的全部环或每个环可以包含一个或多个杂原子。

例如，“杂芳基基团”可以是指包含代替碳(c)的选自n、o、s、p、和si中的至少一个杂原子的芳基基团。两个或更多个杂芳基基团通过σ键直接连接，或当c2至c60杂芳基基团包含两个或更多个环时，两个或更多个环可以稠合。当杂芳基基团是稠环时，每个环可以包含1至3个杂原子。

杂芳基基团的具体实例可以是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团等。

更确切地，取代或未取代的c6至c30芳基基团和/或取代或未取代的c2至c30杂环基团可以是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的菲基基团、取代的或未取代的并四苯基基团(naphthacenylgroup)、取代或未取代的芘基基团、取代或未取代的联二苯基基团、取代或未取代的对三联苯基基团、取代或未取代的间三联苯基基团、取代或未取代的屈基基团(chrysenylgroup)、取代或未取代的三亚苯基基团(triphenylenylgroup)、取代或未取代的苝基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的螺芴基基团、取代或未取代的茚基基团、取代或未取代的呋喃基基团、取代或未取代的苯硫基基团、取代或未取代的吡咯基基团、取代或未取代的吡唑基基团、取代或未取代的咪唑基基团、取代或未取代的三唑基基团、取代或未取代的噁唑基基团、取代或未取代的噻唑基基团、取代或未取代的噁二唑基基团、取代或未取代的噻二唑基基团、取代或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的吡嗪基基团、取代或未取代的三嗪基基团、取代或未取代的苯并呋喃基基团、取代或未取代的苯并苯硫基基团、取代或未取代的苯并咪唑基基团、取代或未取代的吲哚基基团、取代或未取代的喹啉基基团、取代或未取代的异喹啉基基团、取代或未取代的喹唑啉基基团、取代或未取代的喹喔啉基基团、取代或未取代的萘啶基基团、取代或未取代的苯并噁嗪基基团、取代或未取代的苯并噻嗪基基团、取代或未取代的吖啶基基团、取代或未取代的吩嗪基基团、取代或未取代的吩噻嗪基基团、取代或未取代的酚噁嗪基基团、取代或未取代的咔唑基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、或取代或未取代的二苯并苯硫基基团、取代或未取代的苯并噻吩嘧啶基基团、取代或未取代的苯并噻吩吡啶基基团、取代或未取代的苯并呋喃嘧啶基基团、取代或未取代的苯并呋喃吡啶基基团、取代或未取代的苯并呋喃吡咯基基团、取代或未取代的苯并噻吩吡咯基基团、取代或未取代的苯并噻吩噻唑基基团、取代或未取代的苯并呋喃噻唑基基团、取代或未取代的噻唑喹啉基基团、取代或未取代的噁唑喹啉基基团、或它们的组合，但不限于此。

在本说明书中，单键是指不通过碳或除了碳之外的杂原子的直连键(directbond)，并且具体地，l是单键的含义是指连接至l的取代基与中心核直接键连。即，在本说明书中，单键不是指经由碳键合的亚甲基。

在说明书中，空穴特性是指当施加电场时给出电子以形成空穴的能力，并且由于根据最高已占分子轨道(homo)水平的传导特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发射层中，并且在发射层中形成的空穴可以容易地传输至阳极中且在发射层中传输。

此外，电子特性是指当施加电场时接收电子的能力，并且由于根据最低未占分子轨道(lumo)水平的传导特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入发射层中，并且在发射层中形成的电子可以容易地传输至阴极中且在发射层中传输。

在下文中，描述了根据一个实施方式用于有机光电子器件的组合物。

根据一个实施方式，用于有机光电子器件的组合物包含由化学式1表示的至少一种第一化合物、由化学式2表示的化合物以及由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合组成的化合物中的至少一种第二化合物、和由化学式5表示的化合物的至少一种第三化合物。

[化学式1]

在化学式1中，z独立地是n、c、或cr^a，z中的至少一个是n，r¹至r⁶、和r^a独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂芳基基团、或它们的组合，r¹至r⁶和r^a独立地存在或邻近的基团彼此连接以提供环，l¹和l²独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，n1是1，n2和n3独立地是整数0或1，并且1≤n2+n3≤2；

[化学式2]

其中，在化学式2中，l³至l⁶和y¹独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，ar¹是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基基团、或它们的组合，r⁷至r¹⁰独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c50芳基基团、取代或未取代的c2至c50杂环基基团、或它们的组合，并且r⁷至r¹⁰和ar¹中的至少一个包含取代或未取代的三亚苯基基团或取代或未取代的咔唑基团，

其中，在化学式3和4中，y²和y³独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，ar²和ar³独立地是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、或它们的组合，r¹¹至r¹⁴独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c50芳基基团、取代或未取代的c2至c50杂环基团、或它们的组合，化学式3的两个邻近的*连接至化学式4的两个*以提供稠环，并且在化学式3中，不提供稠环的*独立地是cr^c，以及r^c是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c12芳基基团、取代或未取代的c2至c12杂环基团、或它们的组合；

[化学式5]

其中，在化学式5中，

r^d和r^e独立地是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、或它们的组合，

r^f至r^o独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基基团、取代或未取代的c3至c30环烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、取代或未取代的c6至c30芳基胺基基团、取代或未取代的c1至c30烷氧基基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的c1至c30烷基巯基基团、取代或未取代的c6至c30芳基巯基基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、或它们的组合，

r^h、rⁱ、r^l、和r^m独立地存在或彼此连接以提供环，条件是当r^h和rⁱ彼此连接以提供环时，r^l和r^m并不彼此连接，以及当r^l和r^m彼此连接以提供环时，r^h和rⁱ并不彼此连接，以及

l^a至l^c独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，

其中，化学式1至5中“取代的”是指由氘、卤素、羟基基团、c1至c40甲硅烷基基团、c1至c30烷基基团、c3至c30环烷基基团、c2至c30杂环烷基基团、c6至c30芳基基团、c2至c30杂环基团、c1至c20烷氧基基团、c1至c10三氟烷基基团、或氰基基团代替至少一个氢。

第一化合物包含含有至少一个氮的环，因而可以具有当向其施加电场时容易接收电子的结构并因而可以具有由于电子的注入量增加，电子特性相对较强的双极性特性。第二化合物包含咔唑部分，因此可以具有空穴特性相对强的双极性特性。

当将第一和第二化合物一同用于发射层时，可以增加电荷移动性和稳定性，并因此可以改善发光效率和寿命特征。

由于主体与掺杂剂的homo能量级差引起的陷阱现象(trapphenomenon)，包含第一化合物和第二化合物的传统发射层表现出显著降低的空穴传输能力，并因为通过主体相对于空穴传输层的homo能量级的注入壁(injectionwall)增加了有机光电器件的驱动电压(drivingvoltage)。

因此，添加具有比第二化合物高的homo能量级以及改善空穴注入和空穴传输能力的第三化合物，并因此减少或最小化掺杂剂和主体之间的陷阱现象，以及降低了空穴传输层和发射层之间的空穴的注入壁且显著降低了驱动电压，导致器件的发光效率性能的改善。

根据本发明的一个实施方式的化学式1的l¹和l²可以独立地是如以上所描述的单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、或取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团，以及

具体地是取代或未取代的c6至c30亚芳基基团。例如，它们可以是单键、取代或未取代的亚苯基基团、取代或未取代的亚联二苯基基团(亚联苯基基团，biphenylenegroup)、取代或未取代的亚三联苯基基团、取代或未取代的亚四联苯基基团、取代或未取代的亚萘基基团、取代或未取代的亚蒽基基团、取代或未取代的三亚苯基基团、或取代或未取代的亚菲基基团。

连接基团的具体结构与本说明书中的组2相同。

根据一个实施方式的化学式1的r¹和r²可以独立地是如以上所描述的氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂芳基基团、或它们的组合，并且具体地是氢、氘、或取代或未取代的c6至c30芳基基团。例如，r¹和r²可以独立地选自氢、取代或未取代的苯基基团、或取代或未取代的联二苯基基团、或它们的组合，但不限于此。

根据一个实施方式的化学式1中的r³至r⁶可以是如以上所描述的氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、或取代或未取代的c2至c30杂芳基基团、或它们的组合，并且r³至r⁶独立地存在或邻近的基团彼此连接以提供环，具体地，它们可以是氢、氘、取代或未取代的c6至c30芳基基团、或取代或未取代的c2至c30杂芳基基团。取代或未取代的c6至c30芳基基团的实例可以是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联二苯基基团、取代或未取代的四联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的菲基基团、或它们的组合，以及取代或未取代的c2至c30杂芳基基团的实例可以是取代或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的喹啉基基团、取代或未取代的异喹啉基基团、取代或未取代的喹唑啉基基团、取代或未取代的菲咯啉基基团、或它们的组合。

r³至r⁶的邻近基团可以彼此连接以形成取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的喹啉基基团、取代或未取代的异喹啉基基团、取代或未取代的喹唑啉基基团、取代或未取代的菲咯啉基基团、取代或未取代的三亚苯基基团等。

r³至r⁶的具体实例可以选自氢、或组1的取代基，但不限于此。

例如，第一化合物可以由化学式1-i至化学式1-iii中的一种表示。

[化学式1-iii]

在化学式1-i至1-iii中，z、r¹至r⁶、l¹、以及n1至n3与以上定义相同，

r¹⁵至r²⁸独立地是氢、氘，取代或未取代的c1至c10烷基基团，取代或未取代的c6至c12芳基基团，取代或未取代的c2至c30杂芳基基团，或它们的组合，

ar是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、或它们的组合，

r¹至r⁶、r^a、以及r¹⁷和r¹⁸独立地存在或邻近的基团彼此连接以提供环，

n4是0至2范围内的整数，并且

“取代的”与以上定义相同。

根据一个实施方式，化学式1-i可以由化学式1-ia至1-ic中的一种表示。

[化学式1-ic]

在化学式1-ia至1-ic中，z、r¹至r⁶、r¹⁵至r¹⁸、n1和n2与以上相同，r^5a和r^5b、r^6a和r^6b、以及ar与r⁵和r⁶相同，并且

“取代的”与以上定义相同。

具体地，此处的ar是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、或它们的组合。

具体地，根据ar的取代位置，化学式1-ia可以由化学式1-i-1a或1-i-2a表示，但不限于此。

具体地，根据芳基基团部分的连接基团以及ar的取代位置，化学式1-ib可以由化学式1-i-1b至1-i-7b表示，但不限于此。

[化学式1-i-7b]

具体地，化学式1-ic可以由化学式1-i-1c表示，其中，r¹⁵的连接位置固定，但不限于此。

[化学式1-i-1c]

在化学式1-i-1a至1-i-2a、1-i-1b至1-i-7b和1-i-1c中，z、r¹至r⁶、r^5a、r^5b、r^6a、r^6b、r¹⁵至r¹⁸、n1、n2、以及ar与以上所描述的相同。

另一方面，在化学式1-i中，n1可以是例如整数1，n2是整数1，并且化学式1-i可以由化学式1-i-c或1-i-d表示，但不限于此。

ar可以是，例如取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联二苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的三嗪基基团、取代或未取代的喹啉基基团、取代或未取代的异喹啉基基团、取代或未取代的菲咯啉基基团、或取代或未取代的喹唑啉基基团。

更具体地，ar可以选自取代或未取代的组1的基团，但不限于此。

[组1]

在组1中，*是连接点。

例如，根据氮的位置和数量，化学式1-i可以由化学式1-i-e至1-i-n中的一种表示，但不限于此。

在化学式1-i-e至1-i-n中，r¹至r⁶、r¹⁵至r¹⁸、ar、以及n1至n4的定义与以上所描述的相同。

根据一个实施方式，化学式1-i可以由化学式1-iia或1-iib表示。

在化学式1-iia和1-iib中，z、r¹至r⁶、r¹⁹至r²²、以及n1至n3与以上所描述的相同，并且

具体地，化学式1-ii的r¹和r²可以是氢、氘、或取代或未取代的c6至c12芳基基团。例如，它们可以都是氢，但不限于此。

具体地，化学式1-ii的r³至r⁶可以独立地是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联二苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的三嗪基基团、取代或未取代的喹啉基基团、取代或未取代的异喹啉基基团、取代或未取代的菲咯啉基基团、或取代或未取代的喹唑啉基基团。例如，它们可以选自组1的取代或未取代的基团，但不限于此。

具体地，化学式1-ii的r¹⁹至r²²可以独立地是氢、取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联二苯基基团、取代或未取代的萘基基团、或取代或未取代的吡啶基基团。例如，它们可以选自组1的取代或未取代的基团。

本文中，“取代的”与以上定义相同。

根据氮的位置和数量，化学式1-ii可以由例如化学式1-ii-a至1-ii-h中的一种表示，但不限于此。

在化学式1-ii-a至1-ii-h中，z、r¹至r⁶、r¹⁹至r²²、以及n2和n3与以上所描述的相同。

根据一个实施方式，根据三亚苯基的连接位置，化学式1-iii可以由化学式1-iiia或1-iiib表示。

在化学式1-iiia和1-iiib中，z、r¹至r⁴、r²³至r²⁸、l¹、n1、以及n2与以上所描述的相同。

具体地，化学式1-iii的r¹至r⁴和r²³至r²⁸可以独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c12芳基基团、或它们的组合，l¹是取代或未取代的亚苯基基团、取代或未取代的亚联二苯基基团、或取代或未取代的亚三联苯基基团。

取代三亚苯基的6元环表示直接或间接连接到三亚苯基的所有6元环，并且包括由碳原子、氮原子、或它们的组合组成的6元环。

在化学式1-iii中，取代三亚苯基基团的6元环的数量可以小于或等于6。

由化学式1-iii表示的第一化合物包含三亚苯基基团和至少一个含氮杂芳基基团。

第一化合物包含含有至少一个氮的环，因而可以具有当向其施加电场时容易接收电子的结构并降低有机光电子器件的驱动电压。

另外，由化学式1-iii表示的第一化合物包含容易接收空穴的三亚苯基结构和容易接收电子的含氮环部分两者，因而可以形成双极性结构，适当地平衡空穴和电子流，并改善有机光电子器件的效率。

例如，不含连接基团(l¹)的化学式1-iii的结构可以例如由化学式1-iii-a或1-iii-b表示。

在化学式1-iii-a和1-iii-b中，z、r¹至r⁴、和r²³至r²⁸与以上所描述的相同。

例如，在不含连接基团(l¹)的化学式1-iii中，l¹可以是取代或未取代的亚苯基基团、取代或未取代的亚联二苯基基团或取代或未取代的亚三联苯基基团、或取代或未取代的亚四联苯基基团。l¹可以是例如选自组2的取代或未取代的基团中的一种。

[组2]

在组2中，*是连接点。

由化学式1-iii表示的第一化合物可以具有至少两个弯曲结构(kinkstructure)，例如两个至四个弯曲结构。

由化学式1-iii表示的第一化合物具有以上弯曲结构，因此可以在以上双极性结构中适当地定位容易接收空穴的三亚苯基结构和容易接收电子的含氮环部分并控制共轭系统的流动，且示出优异的双极性特征。另外，由化学式1-iii表示的第一化合物由于该结构可以有效避免有机化合物的堆叠，并降低过程稳定性且同时降低沉积温度。当由化学式1-iii表示的第一化合物包含连接基团(l¹)时，这种堆叠避免效果(stackingpreventioneffect)可以进一步增加。

由具有连接基团(l¹)的化学式1-iii表示的第一化合物可以例如由化学式1-iii-c至1-iii-t表示。

在化学式1-iii-c至1-iii-t中，z、r¹至r⁴、和r²³至r²⁸与以上相同，并且r²⁹至r³¹与r²³至r²⁸相同。

由化学式1表示的第一化合物可以是例如组a的化合物，但不限于此。

[组a]

[a-90]

可以将第一化合物与具有咔唑部分或咔唑衍生物的至少一种第二化合物一起用于发射层。

咔唑衍生物具有基于咔唑部分衍生的结构，并表示由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合组成的稠合咔唑部分。

第二化合物可以由化学式2表示。

根据一个实施方式的化学式2中的l³至l⁶可以独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、或取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团，且具体地是取代或未取代的c6至c30亚芳基基团。例如，它们可以是单键、取代或未取代的亚苯基基团、取代或未取代的亚联二苯基基团、取代或未取代的亚三联苯基基团、取代或未取代的亚四联苯基基团、取代或未取代的亚萘基基团、取代或未取代的亚蒽基基团、取代或未取代的三亚苯基基团、或取代或未取代的亚菲基基团。

根据一个实施方式的化学式1中的r⁷至r¹⁰可以独立地是如以上所描述的氢、氘、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c50芳基基团、取代或未取代的c2至c50杂环基团、或它们的组合，并且具体地是氢、氘、取代或未取代的c6至c30芳基基团、或取代或未取代的c2至c50杂环基团。例如，r⁷至r¹⁰可以独立地选自氢、取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联二苯基基团、取代或未取代的三亚苯基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的咔唑基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、取代或未取代的二苯并苯硫基基团、或它们的组合，但不限于此。

化学式2可以例如由化学式2-i至2-iii中的至少一种表示。

[化学式2-i]

在化学式2-i至2-iii中，l³至l⁶、y¹、和r⁷至r¹⁰与以上相同，

r²⁹至r⁴¹独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c50芳基基团、取代或未取代的c2至c50杂环基团、或它们的组合，

y⁴是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂亚芳基基团、或它们的组合，

ar¹和ar⁴独立地是取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的苯并呋喃基基团、取代或未取代的苯并苯硫基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、取代或未取代的二苯并苯硫基基团、取代或未取代的咔唑基基团、或它们的组合，并且

m是0至4的整数，

其中，“取代的”与以上定义相同。

具体地，化学式2-ⅰ至2-iii中的ar¹和ar⁴可以独立地是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联二苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的咔唑基基团、、取代或未取代的苯并呋喃基基团、取代或未取代的苯并苯硫基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、取代或未取代的二苯并苯硫基基团、取代或未取代的吡啶基基团、或它们的组合。

具体地，化学式2-i可以是组3中的一种结构并且*-y¹-ar¹和*-y⁴-ar⁴可以是组4中的一种取代基。

[组3](部分中的杂原子都是“n”)

[组4]

在组3和组4中，*是连接点。

由化学式2表示的第二化合物可以是例如组b至组d的化合物，但不限于此。

[组b]

[c组]

[d组]

另外，第二化合物可以由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合表示。

由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合组成的第二化合物可以例如由化学式3-i至3-v中的至少一种表示，但不限于此。

在化学式3-i至3-v中，y²、y³、ar²、和r¹¹至r¹⁴与以上描述相同。ar³与ar²相同。

特别地，化学式3-i至3-v中的ar²和ar³可以独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联二苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基(triphenylenyl)、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并苯硫基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并苯硫基、取代或未取代的吡啶基、或它们的组合

由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合组成的第二化合物可以是例如组e的化合物，但不限于此。

[组e]

第二化合物是具有其中空穴特性相对强的双极性特性的化合物，因而当与第一化合物一起用于发射层时通过增加电荷移动性和稳定性可以改善发光效率和寿命特性。另外，可以通过调节具有空穴特性的第二化合物和第一化合物的比率控制电荷移动性。由于用与第一化合物的关系相对地确定第二化合物的空穴特征，所以可以在化学式2的r⁷至r¹⁰和ar¹的任何位置包含具有弱电子特征的取代基，如取代或未取代的吡啶基

可以以例如约1:9至约9:1，具体地约2:8至约8:2、约3:7至约7:3、约4:6至约6:4、以及约5:5的重量比包含第一化合物和第二化合物。

根据本发明的一个实施方式，第一化合物和第二化合物的重量比可以是约4:1至约1:1，特别是约3:1至约1:1或约7:3至约1:1。在此范围内，可以实现双极性特性并可以同时改善效率和寿命。

除了第一化合物和第二化合物(作为主体)之外，发射层可以进一步包含第三化合物。

第三化合物可以由化学式5表示。

根据r^h、rⁱ、r^l、和r^m连接或不连接，化学式5可以例如由化学式5-i或5-ii表示。

[化学式5-i]

[化学式5-ii]

在化学式5-i至5-ii中，r^d至r^g、r^j、r^k、rⁿ、r^o、和l^a至l^c与以上所描述的相同。

根据一个实施方式，在化学式5中，r^d至r^o可以独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、取代或未取代的c6至c30芳基胺基、或它们的组合，特别地，r^f、r^g、r^j、和r^k独立地是氢，并且r^d、r^e、rⁿ、和r^o独立地是氢、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、或它们的组合。

例如，r^d、r^e、rⁿ、和r^o独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联二苯基(biphenylgroup)、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的三亚苯基(triphenylenegroup)、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并苯硫基、取代或未取代的咔唑基、或它们的组合。

根据一个实施方式，化学式5中的l^a至l^c可以独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基、或它们的组合，以及特别地是单键、取代或未取代的亚苯基、或取代或未取代的亚联二苯基(biphenylenegroup)、或它们的组合。

例如，取代或未取代的亚苯基、或取代或未取代的亚联二苯基可以选自组2的连接基团。

由化学式5表示的第三化合物可以是例如组f和g的化合物，但不限于此。

[组f]

[组g]

根据一个实施方式，包含在发射层中的用于有机光电器件的组合物包含具有双极性特征的第一化合物(其中电子特征相对强)、具有双极性特征的第二化合物(其中空穴特征相对强)、和具有优异的空穴注入和空穴传输能力的第三化合物，并且因此降低或最小化了掺杂剂和主体之间的陷阱现象，且降低了空穴传输层和发射层之间的空穴的注入壁，并且显著减小了驱动电压且改善了器件的发光效率性能。

根据一个实施方式，发射层包含同时作为主体第一化合物、第二化合物、和第三化合物，并且第一化合物可以特别地由化学式1-i或化学式1-iii表示，第二化合物可以由化学式2-i表示，并且第三化合物可以由化学式5-i或化学式5-ii中的一种表示。

更特别地，第一化合物可以由化学式1-ib或1-iiia表示，且化学式1-ib可以是由化学式1-i-3b表示的更具体的实例。

可以以约90:10至约10:90，以及特别地约90:10至约10:90、约85:15至约15:85、约80:20至约20:80、约70:30至约30:70、约60:40至约40:60、或约50:50的重量比包含第一化合物和第二化合物的组合物与第三化合物。本发明的一个实施方式，第一化合物和第二化合物的组合物与第三化合物的重量比可以是约95:5至约1:1、约95:5至约6:4、约9:1至约7:3。

优选地，可以以约90:10、约85:15、约80:20、或约70:30的重量比包含第一化合物和第二化合物的组合物与第三化合物。

在该范围内，更有效地实现了双极性特征，并且同时改善了效率和寿命，且可以显著降低驱动电压。

另一方面，可以以约1:10至约10:1，特别地约2:8至约8:2、约3:7至约7:3、约4:6至约6:4以及约5:5的重量比包含第一化合物和第二化合物。优选地，可以以约3:7、约4:6、或约5:5的重量比包含第一化合物和第二化合物。

除了第一化合物和第二化合物之外，发射层可以进一步包含一种或多种化合物。

发射层可以进一步包含掺杂剂。将少量掺杂剂与主体混合以引起发光，并且掺杂剂通常可以是这样的材料如通过多次激发成三重态或更高态来发光的金属络合物。掺杂剂可以是例如无机、有机、或有机/无机化合物，并且可以使用它们中的一种或多种。

掺杂剂可以是红色、绿色、或蓝色的掺杂剂，例如磷光掺杂剂。磷光掺杂剂可以是包含ir、pt、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、fe、co、ni、ru、rh、pd、或它们的组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是例如由化学式z表示的化合物，但不限于此。

[化学式z]

l2mx

在化学式z中，m是金属，并且l和x相同或不同，且是与m形成络合化合物的配体。

m可以是例如ir、pt、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、fe、co、ni、ru、rh、pd、或它们的组合，并且l和x可以是例如二齿配体(bidendateligand)。

可以将该组合物应用于有机光电子器件的有机层，例如可以将该组合物应用于发射层。例如，可以将组合物作为主体应用至发射层。

可以使用干燥膜形成方法或溶液过程形成该组合物。干燥膜形成方法可以是例如化学气相淀积(cvd)方法、溅射、等离子体镀层、和离子镀层，并且可以将两种或更多种化合物同时形成为膜，或可以混合具有相同沉积温度的化合物并将其形成为膜。溶液过程可以是例如喷墨式印刷、旋涂、狭缝涂覆(slitcoating)、刮棒涂覆(barcoating)、和/或浸涂(dipcoating)。

在下文中，描述了包含所述组合物的有机光电子器件。

有机光电子器件可以是将电能转换成光能(并且反之亦然)的任何器件，没有特定限制，并且可以例如选自有机发光二极管、有机光电器件、有机太阳能电池、有机晶体管、有机光导体鼓(organicphotoconductordrum)、和有机储存装置。

有机光电子器件包括彼此面对的阳极和阴极，和插入在阳极和阴极之间的至少一个有机层，其中，有机层包含所述组合物。

在下文中，参照附图描述了作为有机光电子器件的一个实例的有机发光二极管。

图1是示出了根据一个实施方式的有机发光二极管的截面图。

参照图1，根据一个实施方式的有机发光二极管100包括彼此面对的阳极120和阴极110以及插入阳极120和阴极110之间的有机层105。

阳极120可以由具有较大功函数(workfunction)的导体制成以帮助空穴注入，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阳极120可以是例如金属镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等；金属和氧化物的组合如zno和al或sno2和sb；导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)(pedt)、聚吡咯、和聚苯胺，但不限于此。

阴极110可以由具有较小功函数的导体制成以帮助电子注入，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阴极110可以是例如金属或它们的合金如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等；多层结构材料如lif/al、lio2/al、lif/ca、lif/al、和baf2/ca，但不限于此。

有机层105包括包含所述组合物的发射层130。

图2是示出了根据另一个实施方式的有机发光二极管的截面图。

参照图2，根据本发明实施方式的有机发光二极管200与以上实施方式一样包括彼此面对的阳极120和阴极110以及插入阳极120和阴极110之间的有机层105。

有机层105包括发射层130以及发射层130和阳极120之间的辅助层140。辅助层140帮助阳极120和发射层130之间的电荷注入和传输。辅助层140可以是例如电子传输层(etl)、电子注入层(eil)、和/或电子传输辅助层。

在图1和2中，阴极110和发射层130之间可以进一步包括至少一个辅助层作为有机层105。

可以将有机发光二极管应用于有机发光二极管(oled)显示器。

在下文中，将参照实施例更详细地举例说明实施方式。然而，这些实施例不应以任何方式解释为限制本发明的范围。

在下文中，除非特别提及，否则用于本公开的合成实施例和实施例的原材料和反应物购自sigma-aldrichcorp.或tci。

第一化合物的合成

(中间体(intermidate)的合成)

中间体i-1的合成

[反应方案1]

在氮气环境中将4-溴-1,1'-联苯(20g，86mmol)溶解在1l的二甲基甲酰胺(dmf)中，向其中添加双(频那醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)(26g，103mmol)、(1,1'-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(ii)(pd(dppf))(0.7g，0.86mmol)、和乙酸钾(k(acac))(21g，215mmol)，并且在150℃下加热并回流混合物5小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，并过滤混合物，然后在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以得到中间体i-1(20g和85％)。

hrms(70ev,ei+)：c18h21bo2计算的m/z：280.1635，获得值：280

元素分析：c，77％；h，8％

中间体i-2的合成

[反应方案2]

在氮气环境中将中间体i-1(20g，71mmol)溶解在thf(1l)中，向其中添加1-溴-3-碘苯(24g，85mmol)和四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)(0.8g，0.7mmol)，并搅拌混合物。向其中添加水中饱和的碳酸钾(k2co3)(24.5g，177mmol)，并在80℃下加热并回流产生的混合物12小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理由此产生的萃取物以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以得到中间体i-2(30g和90％)。

hrms(70ev,ei+)：c18h13br计算的m/z：309.1998，获得值：309元素分析：c，70％；h，4％

中间体i-3的合成

[反应方案3]

根据与中间体i-1相同的合成方法在氮气环境中通过使中间体i-2(25g，81mmol)反应得到中间体i-3(27g和93％)。

hrms(70ev,ei+)：c24h25bo2计算的m/z：356.1948，获得值：356

元素分析：c，81％；h，7％

中间体i-4的合成

[反应方案4]

根据与中间体i-2相同的合成方法在氮气环境中通过使中间体i-3(50g，140mmol)反应得到中间体i-4(44g和89％)。

hrms(70ev,ei+)：c24h17br计算的m/z：384.0514，获得值：384元素分析：c，75％；h，4％

中间体i-5的合成

[反应方案5]

根据与中间体i-1相同的合成方法在氮气环境中通过使中间体i-4(20g，52mmol)反应得到中间体i-5(19g和85％)。

hrms(70ev,ei+)：对c30h29bo2计算的m/z：432.2261，获得值：432

元素分析：c，83％；h，7％

中间体i-6的合成

[反应方案6]

在氮气环境中将1,3-二溴-5-氯苯(100g，370mmol)溶解在thf(2l)中，向其中添加苯基硼酸(47.3g，388mmol)和四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)(1.5g，1.36mmol)，并搅拌混合物。向其中添加水中饱和的碳酸钾(k2co3)(127g，925mmol)，并在80℃下加热并回流产生的混合物12小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取混合物，并且在用无水mgso4除去水分之后过滤由此产生的萃取物并在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以得到中间体i-6(49g，50％)。

hrms(70ev,ei+)：c12h8brcl计算的m/z：265.9498，获得值：266元素分析：c，54％；h，3％

中间体i-7的合成

[反应方案7]

在氮气环境中将中间体i-6(22.43g，83.83mmol)溶解在thf(500ml)中，向其中添加中间体i-5(50.7g，117.36mmol)和四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)(2.9g，2.5mmol)，并搅拌混合物。向其中添加水中饱和的碳酸钾(k2co3)(46g，335.31mmol)，并在80℃下加热并回流产生的混合物12小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取混合物，并且在用无水mgso4除去水分之后过滤由此产生的萃取物并在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以得到中间体i-7(33g和81％)。

hrms(70ev,ei+)：c36h25cl计算的m/z：492.1645，获得值：492元素分析：c，88％；h，5％

中间体i-8的合成

[反应方案8]

根据与中间体i-1相同的方法在氮气环境中通过使中间体i-7(42g，85.8mmol)反应得到中间体i-8(42g和85％)。

hrms(70ev,ei+)：c42h37bo2计算的m/z：584.2887，获得值：584。

元素分析：c，86％；h，6％

(最终化合物的合成)

合成实施例1：化合物a-275的合成

[反应方案9]

在氮气环境中将2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10.6g，39.5mmol)溶解在thf(1l)中，向其中添加中间体i-13(20g，39.5mmol，参照wo2014/185598的合成实施例1至7制造的)和四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)(0.46g，0.4mmol)，并搅拌混合物。向其中添加水中饱和的碳酸钾(k2co3)(13.6g，98.8mmol)，并在80℃下加热并回流产生的混合物12小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理由此产生的萃取物以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以获得化合物a-275(17.9g，74％)。

hrms(70ev,ei+)：c45h29n3计算的m/z：611.2361，获得值：611元素分析：c，88％；h，5％

合成实施例2：化合物a-216的合成

[反应方案10]

在氮气环境中将2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(32g，76mmol)溶解在thf(1l)中，向其中添加中间体i-8(44g，76mmol)和四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)(0.88g，0.76mmol)，并搅拌混合物。向其中添加水中饱和的碳酸钾(k2co3)(26g，190mmol)，并在80℃下加热并回流产生的混合物12小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理萃取物以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以得到化合物a-216(41g和80％)。

hrms(70ev,ei+)：c51h35n3计算的m/z：689.2831，获得值：689元素分析：c，89％；h，5％

第二化合物的合成

合成实施例3：化合物b-31的合成

[反应方案11]

在氮气环境中将化合物9-[1,1'-联苯-4-基]-3-溴-9h-咔唑(12.33g，30.95mmol)溶解在甲苯(0.2l)中，向其中添加9-([1,1'-联苯基]-3-基)-9h-咔唑-3-硼酸(12.37g，34.05mmol)和四(三苯基膦)钯(1.07g，0.93mmol)，并搅拌混合物。向其中添加水中饱和的碳酸钾(12.83g，92.86mmol)，并在120℃下加热并回流混合物12小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理由此产生的萃取物以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以得到化合物b-31(18.7g，92％)。

hrms(70ev,ei+)：c48h32n2计算的m/z：636.26，获得值：636

元素分析：c，91％；h，5％

合成实施例4：化合物b-130的合成

[反应方案12]

第一歩：合成化合物i-14

通过使用9-([1,1'-联苯基]-3-基)-3-溴-9h-咔唑(43.2g，108.4mmol)和4,4,5,5,-四甲基-2-苯基-1,3,2-二氧杂环硼戊烷(4,4,5,5,-tetramethyl-2-phenyl-1,3,2-dioxaborolane)(14.5g，119mmol)，根据与合成化合物b-31的方法相同的方法得到中间体i-14(33g，77％)

第二步：合成中间体i-15

在室温下搅拌中间体i-14(29.8g，75.28mmol)与n-溴琥珀酰亚胺(14g，75.28mmol)。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理由此产生的萃取物以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离并纯化得到的残留物以得到中间体i-15(29g，81％)。

第三步：合成化合物b-130

通过使用9-苯基-3-(4,4,5,5,-四甲基-1,3,2-二氧杂环硼戊烷-2-基)-9h-咔唑(9-phenyl-3-(4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9h-carbazole)(9.7g，33.65mmol)和中间体i-15(16g，33.65mmol)，根据与合成化合物b-31的方法相同的方法合成化合物b-130(17g，79％)。

hrms(70ev,ei+)：c48h32n2计算的m/z：636.2565，获得值：636

元素分析：c，90％；h，5％

第三化合物的合成

合成实施例5：化合物f-5的合成

[反应方案13]

根据日本公开号1996-048656合成6.4g(产率25％)的化合物f-5。

hrms(70ev,ei+)：c60h44n2的m/z计算值：792.0048，发现值：792。

元素分析：c，91％；h，6％

合成实施例6：化合物g-4的合成

[反应方案14]

第一步：中间体i-16的合成

在氮气环境中将9-苯基-9h-咔唑-3-基硼酸(100g，348mmol)溶解在0.9l的四氢呋喃(thf)中，并添加1-溴-4-氯苯(73.3g，383mmol)和四(三苯基膦)钯(4.02g，3.48mmol)以及搅拌。向其中添加水中饱和的碳酸钾(128g,870mmol)，并在80℃下加热并回流产生的混合物8小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理由此产生的萃取液以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。分离得到的残留物并通过快速柱色谱法纯化以得到中间体i-16(119g，97％)。

hrms(70ev,ei+)：c24h16cln的m/z计算值：353.0971，发现值：353。

元素分析：c，81％；h，5％

第二步：合成化合物g-4

在氮气环境下将中间体i-16(20g，56.5mmol)溶解在0.2l甲苯中，随后添加shenzhengre-synchemicaltechnology(http://www.gre-syn.com/)的二联苯-4-基胺(18.2g，56.5mmol)、双(二苄叉基丙酮)钯(0)(0.33g，0.57mmol)、三-叔丁基膦(0.58g，2.83mmol)、和叔丁醇钠(6.52g，67.8mmol)，并在100℃下加热并回流混合物15小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理由此产生的萃取液以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。分离得到的残留物并通过快速柱色谱法纯化以得到化合物g-4(32.5g，90％)。

hrms(70ev,ei+)：c48h34n2的m/z计算值：638.2722，发现值：638。

元素分析：c，90％；h，5％

合成实施例7：化合物g-9的合成[反应方案15]

在氮气环境下将中间体i-16(20g，56.5mmol)溶解在0.2l的甲苯中，随后添加shenzhengre-synchemicaltechnology(http://www.gre-syn.com/)的n-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺(20.4g，56.5mmol)、双(二苄叉基丙酮)钯(0)(0.33g，0.57mmol)、三-叔丁基膦(0.58g，2.83mmol)、和叔丁醇钠(6.52g，67.8mmol)，并在100℃下加热并回流混合物13小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，使用二氯甲烷(dcm)萃取，并用无水mgso4处理由此产生的萃取液以除去水分，过滤，且在降低的压力下浓缩。分离得到的残留物并通过快速柱色谱纯化以得到化合物g-9(33.8g，88％)。

hrms(70ev,ei+)：c48h34n2的m/z计算值：678.3045，发现值：678。

元素分析：c，90％；h，6％

合成实施例8：化合物g-32的合成

[反应方案16]

根据kr2011-0118542合成10.4g(产率82％)的化合物g-32。

hrms(70ev,ei+)：c60h40n2的m/z计算值：804.3140，发现值：804。

元素分析：c，90％；h，5％

有机发光二极管的制造

实施例1

在玻璃基板上涂覆厚的ito(氧化铟锡)，并用蒸馏水超声波洗涤涂覆的玻璃。用蒸馏水洗涤之后，用溶剂如异丙醇、丙酮、甲醇等超声波洗涤玻璃基板，移至等离子体清洁器以通过使用氧等离子体清洁基板10分钟，并移至真空沉积器。将该ito透明电极用作阳极，在ito基板上真空沉积化合物a以形成厚的空穴注入层，在注入层上沉积厚度的化合物b，沉积厚度的化合物c以形成空穴传输层。在空穴传输层上，通过同时将合成实施例1的第一化合物a-275、合成实施例3的第二化合物b-31、和合成实施例7的第三化合物g-9用作主体并用10wt％的三(2-(3-联苯-基)-吡啶)铱(ⅲ)掺杂它们，通过真空沉积形成厚的发射层。在本文中，以5:5的重量比使用化合物a-275和化合物b-31，以及

以9:1的重量比使用化合物a-275和b-31的组合物与化合物g-9。

随后，在发射层上，以1:1的比率同时真空沉积化合物d和liq以形成厚的电子传输层，并在电子传输层上依序真空沉积的liq和的al以形成阴极，来制造有机发光二极管。

有机发光二极管具有包括五层有机薄层的结构，并且具体地具有以下结构：

ito/化合物a/化合物b/化合物c/eml[{(化合物a-275：化合物b-31＝5:5wt％)：化合物g-9}＝9:1]:ir(ppy)3＝x:x:10％]/化合物d:liq/liq/al(x＝重量比)

化合物a：n4,n4'-二苯基-n4,n4'-双(9-苯基-9h-咔唑-3-基)联苯基-4,4'-二胺

化合物b：1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六甲腈(hat-cn)，

化合物c：n-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-n-(4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-二胺

化合物d：8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉

实施例2

根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管，区别在于将化合物a-275和化合物b-31的组合物的混合比改为7:3。

实施例3

根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管，区别在于将化合物a-275和化合物b-31的组合物与化合物g-9的混合比改为8:2。

实施例4

根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管，区别在于在发射层中使用合成实施例6的化合物g-4代替第三化合物g-9。

实施例5

根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管，区别在于在发射层中使用合成实施例8的化合物g-32代替第三化合物g-9。

实施例6

根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管区，区别在于在发射层中使用合成实施例5的化合物f-5代替第三化合物g-9。

参考实施例1

根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管，区别在于不使用第二和第三化合物并将第一化合物用作单一主体。

比较实施例1

除了不使用第三化合物，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。

比较实施例2

根据与实施例2相同的方法制造有机发光二极管，区别在于不使用第三化合物。

评估

评估根据实施例1-6，参考实施例1，和比较实施例1-2的每种有机发光二极管的驱动电压和发光效率特性。

具体地以以下方法进行测量，且结果示于表1和表2中。

(1)取决于电压变化的电流密度变化的测量

在使用电流-电压表(keithley2400)从0v至10v增加电压时，测量在制造的有机发光二极管的单元器件中流动的电流值，并将测量的电流值除以面积以提供结果。

(2)取决于电压变化的亮度变化的测量

对于亮度，在使用亮度计(minoltacs-1000a)从0v至10v增加电压时，测量制造的有机发光二极管的亮度。

(3)发光效率的测量

通过使用来自项目(1)和(2)的发光、电流密度、和电压(v)，计算在相同的电流密度(10ma/cm²)下的电流效率(cd/a)。

(4)发光效率比的计算

计算参照比较实施例2的发光效率，发光效率的增加/减小程度。

(5)驱动电压的测量

通过使用电流-电压计(keithley2400)在15ma/cm²下测量每个器件的驱动电压。

[表1]

[表2]

参考表1和2，与仅使用第一主体的参考实施例1和仅使用第一和第二主体的比较实施例1和2相比，当本发明包含第三主体时表现出降低的驱动电压和显著升高的发光效率。通过添加根据本发明具有优异的空穴注入和空穴传输能力的第三化合物作为主体得到该结果，并因此最小化了由于掺杂剂和主体之间的能级差引起的陷阱现象，以及改善了从空穴传输层到发射层的注入特征来提供具有优异的发光效率以及显著降低的驱动电压的有机光电器件。

虽然已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式描述了本发明，但是应当理解本发明并不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖包括在附加权利要求书的精神和范围内的各种更改和等效的安排。因此，应将上述实施方式理解为是示例性的且不以任何方式限制本发明。