线施加DC 5V并持续12小时。利用金属显微镜观察 施加后的A1梳型配线12组，按照W下的评价基准进行评价。
[0140] [评价基准]
[0141] 0;没有观察到腐蚀。
[0142] A ;观察到1?4个腐蚀位置。
[0143] X ;观察到5个W上腐蚀位置。
[0144] <<密合性评价>>
[0145] -试验用1C巧片及玻璃基板-
[0146] 作为第一电子部件，使用试验用1C巧片（尺寸1. 8mmX 20mm，厚度0. 5mm，金锻敷 凸块的尺寸30ymX85ym，凸块高度15ym)。
[0147] 作为第二电子部件，使用在整个面上形成有ITO膜的厚度0. 5mm的玻璃基板。 [014引-评价-
[0149] 通过目视观察压力锅蒸煮试验（PCT)后的相对于玻璃基板的各向异性导电膜的 隆起程度，按照W下的评价基准进行评价。另外，在12rC、2atm、5小时的条件下进行PCT。
[0150] [评价基准]
[0151] 0;没有观察到隆起。
[015引 A ;相对于压接面积，观察到超过0%且低于10%的隆起。
[0153] X ;相对于压接面积，观察到10% W上的隆起。
[0154] < <绝缘性评价> >
[0巧5]-试验用1C巧片及玻璃基板-
[0156] 作为第一电子部件，使用试验用1C巧片（尺寸1. 5mmX 300mm，厚度0. 5mm，金锻敷 凸块的凸块间间隔10 ym，凸块高度15 ym)。
[0157] 作为第二电子部件，使用形成有梳型的ITO配线图案的厚度0. 5mm的玻璃基板。
[015引-评价-
[0159] 利用2端子法，对于ITO梳型配线10组，计算每1组任意的16个位置（合计160 个）的凸块间的短路的数目，按照W下的评价基准进行评价。另外，利用2端子法测定的电 阻值为1〇8〇 W下时，判断为短路。
[0160] [评价基准]
[01川 0 ;没有短路。
[0162] A ;有1或2个短路。
[0163] X;有3个W上短路。
[0164] <<粒子捕捉率评价>>
[01化]-试验用1C巧片及玻璃基板-
[0166] 作为第一电子部件，使用试验用1C巧片（尺寸1. 8mmX 20mm，厚度0. 5mm，金锻敷 凸块的尺寸30ymX85ym，凸块高度15ym)。
[0167] 作为第二电子部件使用形成有ITO配线的厚度0. 7mm的玻璃基板。
[0168] -评价-
[0169] 利用W下的方法求出粒子捕捉率，进行评价。
[0170] 利用下述式（1)算出，在第一电子部件和第二电子部件的连接前，位于第一电子 部件的凸块（端子）上的导电性粒子的数（连接前粒子数）。
[0171] 连接前粒子数=含导电性粒子层中的导电性粒子的粒子（面）密度（个/mm2) X 端子的面积（mm2) ?. (1)
[0172] 另外，用金属显微镜计数来测定，在连接后位于端子上的导电性粒子的数（连接 后粒子数）。然后，利用下述式（2)，算出导电性粒子的粒子捕捉率。然后，按照W下的评价 基准进行评价。
[0173] 粒子捕捉率（％ )=(连接后粒子数/连接前粒子数）X 100 ? ? (2)
[0174] [评价基准]
[01巧]0;粒子捕捉率为20% W上
[0176] A ;粒子捕捉率为17% W上且低于20%
[0177] X ;粒子捕捉率低于17%
[017引 << 连接电阻评价>>
[0179] -试验用1C巧片及玻璃基板-
[0180] 作为第一电子部件，使用试验用1C巧片（尺寸l.SmmX 20mm，厚度0.5mm，金锻敷 凸块的尺寸30 ]imX85 ym，凸块高度15 ym)。
[0181] 作为第二电子部件，使用形成有IT0配线的厚度0. 7mm的玻璃基板。
[0182] -评价-
[0183] 用W下的方法测定得到的接合体的初期电阻值，进行评价。
[0184] 使用数字万用表（产品编号；Digital Multi-meter 7555,横河电机株式会社制） 用4端子法测定使电流1mA流过时的连接电阻。按照W下的评价基准评价得到的电阻值。 [0化 5][评价基准]
[0186] O;初期电阻值低于IQ
[0187] A ;初期电阻值为1 Q W上且低于3 Q
[0188] X ;初期电阻值为3 Q W上
[0189] (实施例2?6)
[0190] 除了将实施例1中，含导电性粒子层的制作时的氨氧化侣（填充剂）的渗混量变 为W下的表1中记载的渗混量之外，与实施例1同样地制作各向异性导电膜及接合体。
[0191] 对得到的接合体，进行与实施例1同样的评价。将结果示于表2-1。
[0192] [表 U
[0193]
【主权项】
1. 一种各向异性导电膜，其为使第一电子部件的端子和第二电子部件的端子进行各向 异性导电连接的各向异性导电膜，其特征在于， 具有：含有导电性粒子、填充剂及阳离子类固化剂的含导电性粒子层，和 含有阳离子类固化剂、不含有填充剂的绝缘性粘接层， 所述导电性粒子为金属粒子及金属被覆树脂粒子中的至少任一种， 所述填充剂为金属氢氧化物及金属氧化物中的至少任一种。
2. 根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，金属氢氧化物及金属氧化物中的至 少任一种为氢氧化铝、氢氧化镁及氧化铝中的至少任一种。
3. 根据权利要求1?2中任一项所述的各向异性导电膜，其中，含导电性粒子层含有膜 形成树脂及固化性树脂。
4. 根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中，相对于膜形成树脂、固化性树脂及阳 离子类固化剂的总量100质量份，含导电性粒子层中的填充剂的含量为〇. 20质量份?90 质量份。
5. 根据权利要求1?4中任一项所述的各向异性导电膜，其中，填充剂为粒子状，且所 述填充剂的平均粒径为〇. 5ym?3. 5ym。
6. 根据权利要求1?5中任一项所述的各向异性导电膜，其中，填充剂为非球形的粒子 状。
7. -种连接方法，其为使第一电子部件的端子和第二电子部件的端子进行各向异性导 电连接的连接方法，其特征在于，包含： 第一配置工序，在所述第二电子部件的端子上配置权利要求1?6中任一项所述的各 向异性导电膜； 第二配置工序，在所述各向异性导电膜上以所述第一电子部件的端子与所述各向异性 导电膜相接的方式配置所述第一电子部件； 加热挤压工序，将所述第一电子部件利用加热挤压部件进行加热及挤压。
8. -种接合体，其特征在于，通过权利要求7所述的连接方法而得到。
【专利摘要】一种各向异性导电膜，其为使第一电子部件的端子和第二电子部件的端子进行各向异性导电连接的各向异性导电膜，且具有含有导电性粒子、填充剂及阳离子类固化剂的含导电性粒子层和含有阳离子类固化剂、不含有填充剂的绝缘性粘接层，所述导电性粒子为金属粒子及金属被覆树脂粒子中的至少任一种，所述填充剂为金属氢氧化物及金属氧化物中的至少任一种。
【IPC分类】H01R11-01, C09J7-00, C09J201-00, C09J9-02, C09J11-04
【公开号】CN104603218
【申请号】CN201380046037
【发明人】深谷达朗, 伊藤将太
【申请人】迪睿合电子材料有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年9月13日
【公告号】WO2014046053A1